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门司机（（7161）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 高侧电压 -最大（引导程序）
IXDN614CI IXYS Integrated Circuits Division IXDN614CI 6.2700
RFQ
 ECAD 880 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-5 IXDN614 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V TO-220-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 14a，14a 25NS，18NS
IXDN614SITR IXYS Integrated Circuits Division IXDN614SITR 4.9300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ixys集成电路部门 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IXDN614 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 14a，14a 25NS，18NS
IXDD614D2TR IXYS Integrated Circuits Division ixdd614d2tr -
RFQ
 ECAD 3014 0.00000000 ixys集成电路部门 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA IXDD614 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜35V TO-263（D²Pak） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 14a，14a 25NS，18NS
IXDF604SIA IXYS Integrated Circuits Division IXDF604SIA 2.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IXDF604 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 CLA359 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 4a，4a 9NS，8NS
ISL2100AABZ-T Renesas Electronics America Inc ISL2100AABZ-T -
RFQ
 ECAD 9897 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ISL2100 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 3.7V，7.4V 2a，2a 10n，10n 114 v
ISL89161FRTAZ-T Renesas Electronics America Inc ISL89161Frtaz-T -
RFQ
 ECAD 1209 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-WDFN暴露垫 ISL89161 反转 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-tdfn （3x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.22V，2.08V 6a，6a 20N，20N
NCP81051MNTBG onsemi NCP81051MNTBG -
RFQ
 ECAD 5337 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 0°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-vfdfn裸露的垫子 NCP81051 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-DFN（2x2） - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.6V，3.3V - 16ns，11ns
AUIRS2110S Infineon Technologies Auirs2110s -
RFQ
 ECAD 6793 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q100 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） Auirs2110 不转变 未行业行业经验证 3v〜20V 16-Soic 下载 3（168）） 到达不受影响 SP001511402 Ear99 8542.39.0001 45 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.5V 2.5a，2.5a 25ns，15ns 500 v
AUIRS2118S Infineon Technologies AUIRS2118S -
RFQ
 ECAD 6176 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q100 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） Auirs2118 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 3（168）） 到达不受影响 SP001511658 Ear99 8542.39.0001 95 单身的 高方向 1 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.5V 290mA，600mA 75ns，25ns 600 v
AUIRS21811STR Infineon Technologies Auirs21811st 2.8900
RFQ
 ECAD 2148 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） Auirs2181 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 1.9a，2.3a 60n，35ns （最大） 600 v
IRS21844MPBF Infineon Technologies IRS21844MPBF -
RFQ
 ECAD 7349 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 16-VFQFN暴露垫，14个线索 IRS21844 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 16-MLPQ （4x4） 下载 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 92 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2.5V 1.9a，2.3a 40NS，20NS 600 v
AUIR2085S Infineon Technologies AUIR2085S -
RFQ
 ECAD 6414 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q100 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AUIR2085 RC输入电路 未行业行业经验证 10v〜15V PG-DSO-8-904 下载 3（168）） 到达不受影响 SP001513986 Ear99 8542.39.0001 95 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1a，1a 40NS，20NS 100 v
ISL89167FBEAZ Renesas Electronics America Inc ISL89167FBEAZ -
RFQ
 ECAD 1002 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ISL89167 反转 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -isl89167fbeaz Ear99 8542.39.0001 98 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.22V，2.08V 6a，6a 20N，20N
ISL89162FBEBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL89162FBEBZ-T -
RFQ
 ECAD 4992 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ISL89162 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.85V，3.15V 6a，6a 20N，20N
ISL89167FBEAZ-T Renesas Electronics America Inc ISL89167FBEAZ-T -
RFQ
 ECAD 5466 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ISL89167 反转 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.22V，2.08V 6a，6a 20N，20N
ISL89168FRTAZ-T Renesas Electronics America Inc ISL89168Frtaz-T -
RFQ
 ECAD 1174 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-WDFN暴露垫 ISL89168 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-tdfn （3x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.22V，2.08V 6a，6a 20N，20N
MCP14E6-E/P Microchip Technology MCP14E6-E/p 2.0250
RFQ
 ECAD 9202 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） MCP14E6 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MCP14E6EP Ear99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，2.4V 2a，2a 12n，15ns
MCP14E7-E/P Microchip Technology MCP14E7-E/p 2.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） MCP14E7 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MCP14E7EP Ear99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，2.4V 2a，2a 12n，15ns
MCP14E6T-E/SN Microchip Technology MCP14E6T-E/SN 1.8900
RFQ
 ECAD 1348 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MCP14E6 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，2.4V 2a，2a 12n，15ns
SM72482X/NOPB Texas Instruments SM72482X/NOPB -
RFQ
 ECAD 4251 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SM72482 反转，无变形 未行业行业经验证 3.5V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2.2V 3a，5a 14ns，12ns
IXDD630CI IXYS Integrated Circuits Division ixdd630ci 9.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-5 IXDD630 不转变 未行业行业经验证 12.5v〜35v TO-220-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3.5V 30a，30a 11n，11ns
IXDN630MCI IXYS Integrated Circuits Division IXDN630MCI 9.7600
RFQ
 ECAD 349 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-5 IXDN630 不转变 未行业行业经验证 9V〜35V TO-220-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3.5V 30a，30a 11n，11ns
IXDN630CI IXYS Integrated Circuits Division IXDN630CI 9.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys集成电路部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-5 IXDN630 不转变 未行业行业经验证 12.5v〜35v TO-220-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 CLA374 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3.5V 30a，30a 11n，11ns
LTC4441MPMSE#TRPBF ADI LTC4441MPMSE＃trpbf 9.7200
RFQ
 ECAD 4354 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽） LTC4441 不转变 未行业行业经验证 5v〜25V 10-msop-ep 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 1.8V，2V 6a，6a 13ns，8ns
SI9912DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9912DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1095 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI9912 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1a，1a 30ns，20ns 30 V
TSC427CBA+T ADI/Maxim Integrated TSC427CBA+t -
RFQ
 ECAD 7045 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TSC427 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 低侧 2
IRS2181SPBF Infineon Technologies IRS2181SPBF 1.5232
RFQ
 ECAD 5023 0.00000000 Infineon技术 - 管子 上次购买 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRS2181 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 1.9a，2.3a 40NS，20NS 600 v
IRS2112PBF Infineon Technologies IRS2112PBF -
RFQ
 ECAD 6092 0.00000000 Infineon技术 - 管子 在sic中停产 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 14 浸（0.300英寸，7.62mm） IRS2112 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 25 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 6V，9.5V 290mA，600mA 75ns，35ns 600 v
IRS21851STRPBF Infineon Technologies IRS21851STRPBF -
RFQ
 ECAD 7655 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRS21851 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 4a，4a 15ns，15ns 600 v
IRS2304PBF Infineon Technologies IRS2304pbf 1.7267
RFQ
 ECAD 5015 0.00000000 Infineon技术 - 管子 上次购买 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IRS2304 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.7V，2.3V 290mA，600mA 70ns，35ns 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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