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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 高侧电压 - 顶部(自举)
ISL2100AAR3Z Intersil ISL2100AAR3Z -
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ECAD 第1155章 0.00000000 Intersil - 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 9-VFDFN 裸露焊盘 ISL2100 非反相 未验证 9V~14V 9-DFN-EP (3x3) - 0000.00.0000 1 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 3.7V、7.4V 2A, 2A 10纳秒,10纳秒 114V
MAX17602ASA+ ADI/Maxim Integrated MAX17602ASA+ 2.4500
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ECAD 第665章 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) MAX17602 反相、同相 未验证 4V~14V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 -4941-MAX17602ASA+ EAR99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.1V 4A, 4A 40纳秒、25纳秒
MAX5057AASA+T ADI/Maxim Integrated MAX5057AASA+T -
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ECAD 6401 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 MAX5057 反相、同相 未验证 4V~15V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.1V 4A, 4A 32纳秒、26纳秒
ISL6614IBZR5238 Renesas Electronics America Inc ISL6614IBZR5238 -
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ECAD 1837年 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) ISL6614 非反相 未验证 10.8V~13.2V 14-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 同步化 半桥 4 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
IRS2127PBF Infineon Technologies IRS2127PBF 1.8861
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ECAD 1736 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 最后一次购买 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 国税局2127 非反相 未验证 12V~20V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 290毫安、600毫安 80纳秒、40纳秒 600伏
ISL89164FBEAZ Renesas Electronics America Inc ISL89164FBEAZ 4.9700
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ECAD 1 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 ISL89164 反相 未验证 4.5V~16V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 -ISL89164FBEAZ EAR99 8542.39.0001 980 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.22V、2.08V 6A, 6A 20纳秒, 20纳秒
PCA9440HE/AZ NXP USA Inc. PCA9440HE/AZ -
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ECAD 5108 0.00000000 恩智浦 - 大部分 过时的 PCA9440 未验证 - REACH 不出行 568-PCA9440HE/AZ EAR99 8542.39.0001 1
EL7202CN Intersil EL7202CN 3.9300
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ECAD 2690 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) EL7202 非反相 未验证 4.5V~15V 8-PDIP 下载 不符合 RoHS 指令 EAR99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 2A, 2A 7.5纳秒、10纳秒
1SP0335V2M1C-FZ500R65KE3 Power Integrations 1SP0335V2M1C-FZ500R65KE3 271.3117
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ECAD 9896 0.00000000 电源集成 规模™-2 托盘 的积极 -40℃~85℃ 安装结构 模块 1SP0335 - 未验证 23.5V~26.5V 模块 - 1(无限制) 1810-1SP0335V2M1C-FZ500R65KE3 EAR99 8473.30.1180 6 单身的 高侧或低侧 1 IGBT - 35A, 35A 9纳秒、30纳秒 6500伏
2EDL8023G3CXTMA1 Infineon Technologies 2EDL8023G3CXTMA1 1.7900
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ECAD 9261 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 2EDL8023 非反相 未验证 8V~17V PG-VDSON-8-4 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET - 3A、5A 45纳秒, 45纳秒 120V
FAN7383MX Fairchild Semiconductor 风扇7383MX -
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ECAD 8353 0.00000000 仙童 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 14-SOIC(0.209英寸,5.30毫米宽) 风扇7383 非反相 未验证 15V~20V 14-SOP 下载 0000.00.0000 1 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 1.2V、2.9V 350毫安、650毫安 50纳秒、30纳秒 600伏
TC4428AVOA713-VAO Microchip Technology TC4428AVOA713-VAO -
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ECAD 8195 0.00000000 微芯片 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) TC4428 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 25纳秒, 25纳秒
ADP3413JR-REEL ADI ADP3413JR-卷盘 0.3000
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ECAD 11 0.00000000 模拟器件公司 ADP3413 大部分 的积极 0℃~70℃(TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) ADP3413 非反相 未验证 4.15V~7.5V 8-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.3V - 27纳秒、19纳秒 30V
LM5101ASDX/NOPB Texas Instruments LM5101ASDX/NOPB 1.9800
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ECAD 1985年 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 10-WDFN 裸露焊盘 LM5101 非反相 未验证 9V~14V 10-WSON (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 4,500 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 2.3V,- 3A、3A 430纳秒、260纳秒 118V
IXDD514SIA IXYS IXDD514SIA -
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ECAD 8605 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IXDD514 非反相 未验证 4.5V~30V 8-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 94 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、2.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
LM5111-1MYX/NOPB Texas Instruments LM5111-1MYX/NOPB 1.2300
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ECAD 9891 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-PowerTSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) LM5111 非反相 未验证 3.5V~14V 8-HVSSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 3A、5A 14纳秒、12纳秒
LTC7000JMSE-1#PBF ADI LTC7000JMSE-1#PBF 8.5300
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ECAD 第1447章 0.00000000 模拟器件公司 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-TFSOP(0.118英寸,3.00毫米宽),12引脚,裸露焊盘 LTC7000 非反相 未验证 3.5V~135V 16-MSOP-EP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 37 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 1.8V、1.7V - 90纳秒、40纳秒
EL7457CLZ-T13 Elantec EL7457CLZ-T13 -
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ECAD 8164 0.00000000 伊兰泰克 - 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-VQFN 裸露焊盘 EL7457 非反相 未验证 4.5V~18V 16-QFN (4x4) 下载 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 高侧或低侧 4 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 2A, 2A 13.5纳秒、13纳秒
MC33395TDWBR2 NXP USA Inc. MC33395TDWBR2 -
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ECAD 4324 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 32-BSSOP(0.295英寸,7.50毫米宽) MC33395 非反相 未验证 5.5V~24V 32-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 土耳其 半桥 6 N沟道MOSFET - - 350纳秒、250纳秒
ADP3415LRM-REEL-AD ADI ADP3415LRM-卷盘-AD 1.4700
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ECAD 38 0.00000000 模拟器件公司 - 大部分 的积极 0℃~100℃(TA) 表面贴装 10-TFSOP、10-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) ADP3415 非反相 未验证 4.75V~5.25V 10-MSOP 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8542.39.0001 3,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V - 20纳秒、25纳秒 30V
EL7222CSZE9044-T7 Elantec EL7222CSZE9044-T7 1.1600
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ECAD 28 0.00000000 伊兰泰克 - 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) EL7222 反相、同相 未验证 4.5V~15V 8-SOIC 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 0000.00.0000 1,000 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 2A, 2A 10纳秒、13纳秒
UCC37324PE4 Unitrode UCC37324PE4 0.7200
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ECAD 7335 0.00000000 尤尼罗德 * 大部分 的积极 UCC37324 未验证 下载 EAR99 8542.39.0001 1
IR25602SPBF International Rectifier IR25602SPBF -
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ECAD 1918年 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IR25602 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC - 不适用 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、3V 210毫安、360毫安 100纳秒、50纳秒 600伏
ISL83202IPZ-REN Renesas Electronics America Inc ISL83202IPZ-REN 2.8900
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ECAD 6642 0.00000000 瑞萨电子美国公司 * 管子 的积极 ISL83202 未验证 下载 不适用 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1
FAN7080CMX_F085 onsemi FAN7080CMX_F085 -
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ECAD 6475 0.00000000 onsemi 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇7080 非反相 未验证 5.5V~20V 8-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.7V 300毫安、600毫安 40纳秒、25纳秒 600伏
1SD210F2-FX400R65KF1 Power Integrations 1SD210F2-FX400R65KF1 -
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ECAD 1843年 0.00000000 电源集成 - 托盘 过时的 -40℃~85℃ 安装结构 模块 1SD210F2 - 未验证 15.5V~16.8V 模块 - 1(无限制) 1810-1SD210F2-FX400R65KF1 过时的 20 单身的 高侧或低侧 1 IGBT - 6A、10A 100纳秒,100纳秒 1200伏
FAN7081M Fairchild Semiconductor 风扇7081M 0.6400
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ECAD 6 0.00000000 仙童 汽车,AEC-Q100 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇7081 反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 不适用 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 8V、12.6V 250毫安、500毫安 15纳秒、10纳秒 600伏
ISL6612AECB Intersil ISL6612AECB 0.9400
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ECAD 第354章 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 ISL6612 非反相 未验证 10.8V~13.2V 8-SOIC-EP 下载 不符合 RoHS 指令 EAR99 8542.39.0001 98 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
IX4310NTR IXYS IX4310NTR 0.4023
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ECAD 5564 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 的积极 IX4310 未验证 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 238-IX4310NTR 4,000
MIC4427ZM Microchip Technology MIC4427ZM 1.4500
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ECAD 9186 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 0℃~150℃(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 麦克风4427 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 20纳秒、29纳秒
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库