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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 高侧电压 - 顶部(自举)
PMC41420AUMA1 Infineon Technologies PMC41420AUMA1 1.7050
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ECAD 1204 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 - 符合ROHS3标准 448-PMC41420AUMA1TR 5,000
HIP6603BCB Renesas Electronics America Inc HIP6603BCB -
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ECAD 3204 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) HIP6603 非反相 未验证 10.8V~13.2V 8-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 98 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - - 20纳秒, 20纳秒 15V
2SP0430T2A0C-XXXX (2)(3)(4) Power Integrations 2SP0430T2A0C-XXXX (2)(3)(4) 261.8733
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ECAD 6143 0.00000000 电源集成 - 大部分 的积极 - 596-2SP0430T2A0C-XXXX(2)(3)(4) 3
ISL6613BECB-T Renesas Electronics America Inc ISL6613BECB-T -
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ECAD 4645 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 ISL6613 非反相 未验证 7V~13.2V 8-SOIC-EP 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
MIC4429BN Microchip Technology MIC4429BN -
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ECAD 4904 0.00000000 微芯片 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 麦克风4429 反相 未验证 4.5V~18V 8-PDIP 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 6A, 6A 12纳秒、13纳秒
LTC7066RMSE#WTRPBF ADI LTC7066RMSE#WTRPBF 5.9500
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ECAD 4985 0.00000000 模拟器件公司 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 12-TSSOP(0.118",3.00mm宽)裸露焊盘 5V~14V 12-MSOP-EP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 260
1EDN8550BXTSA1 Infineon Technologies 1EDN8550BXTSA1 1.0700
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ECAD 6742 0.00000000 英飞凌科技 EiceDriver™ 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SOT-23-6 1EDN8550 非反相 未验证 4.5V~20V PG-SOT23-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 单身的 高侧 1 N沟道、P沟道MOSFET - 4A、8A 6.5纳秒、4.5纳秒 84V
1SD418F2-FZ1200R33KL2C Power Integrations 1SD418F2-FZ1200R33KL2C -
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ECAD 6483 0.00000000 电源集成 规模™-1 盒子 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 安装结构 模块 1SD418F2 - 未验证 14.5V~15.5V 模块 下载 1(无限制) EAR99 8473.30.1180 1 单身的 半桥 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET - 18A, 18A 100纳秒,100纳秒
UCC27323DGN Unitrode UCC27323DGN -
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ECAD 4742 0.00000000 尤尼罗德 * 大部分 的积极 - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-UCC27323DGN-600018 1
ISL6605CR Renesas Electronics America Inc ISL6605CR -
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ECAD 6722 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-VQFN 裸露焊盘 ISL6605 非反相 未验证 4.5V~5.5V 8-QFN (3x3) 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2V 2A, 2A 8纳秒,8纳秒 33V
2ED21064S06JXUMA1 Infineon Technologies 2ED21064S06JXUMA1 2.8300
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ECAD 280 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 2ED21064 - 未验证 10V~20V PG-DSO-14 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 高侧和低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 1.1V、1.7V 290毫安、700毫安 100纳秒、35纳秒 20V
UCC27624QDGNRQ1 Texas Instruments UCC27624QDGNRQ1 1.6400
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ECAD 1 0.00000000 Texas Instruments 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-PowerTSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) 非反相 4.5V~26V 8-HVSSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.2V、1.8V 5A、5A 6纳秒、10纳秒
ADP3416JR-REEL ADI ADP3416JR-卷轴 0.3400
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ECAD 155 0.00000000 模拟器件公司 - 大部分 的积极 0℃~70℃(TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) ADP3416 非反相 未验证 4.15V~7.5V 8-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 高侧和低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.3V - -
ISL89165FRTBZ Renesas Electronics America Inc ISL89165FRTBZ 2.9559
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ECAD 7741 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 ISL89165 反相、同相 未验证 4.5V~16V 8-TDFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.85V、3.15V 6A, 6A 20纳秒, 20纳秒
LM5101AMX/S7003027 Texas Instruments LM5101AMX/S7003027 -
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ECAD 9377 0.00000000 Texas Instruments - 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 非反相 9V~14V 8-SOIC - 符合ROHS3标准 296-LM5101AMX/S7003027 1 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 2.3V 3A 8纳秒,8纳秒 118V
HIP2210FRTZ Renesas Electronics America Inc HIP2210FRTZ 1.0310
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ECAD 4974 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 10-WDFN 裸露焊盘 非反相 6V~18V 10-TDFN (4x4) - 符合ROHS3标准 3(168小时) 20-HIP2210FRTZ 1 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1.47V、1.84V 3A、4A 20纳秒, 20纳秒 115V
1EBN1002AEXUMA1 Infineon Technologies 1EBN1002AEXUMA1 1.6498
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ECAD 7131 0.00000000 英飞凌科技 EiceDRIVER™ 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 1EBN1002 非反相 未验证 8V~18V PG-DSO-14-43 - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 - 6 IGBT - - -
MAX15070AAUT+T ADI/Maxim Integrated MAX15070AAUT+T 1.8000
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ECAD 2678 0.00000000 ADI/Maxim 集成 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 SOT-23-6 MAX15070 反相、同相 未验证 4V~14V SOT-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V 3A、7A 6纳秒、4纳秒
SG1626Y-DESC Microchip Technology SG1626Y-DESC -
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ECAD 8094 0.00000000 微芯片 军事,MIL-STD-883 托盘 的积极 -55°C ~ 125°C(太焦) 通孔 8-CDIP(0.300英寸,7.62毫米) SG1626 反相 未验证 22V 8-CERDIP 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 150-SG1626Y-DESC EAR99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.7V、2V 3A 30纳秒、30纳秒
DHP1140N08P5AUMA1 Infineon Technologies DHP1140N08P5AUMA1 2.2356
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ECAD 8285 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 DHP1140 未验证 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 4,000
TDA21490AUMA1 Infineon Technologies TDA21490AUMA1 6.9500
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ECAD 1 0.00000000 英飞凌科技 OptiMOS™ 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 39电源VFQFN TDA21490 非反相 未验证 4.25V~16V PG-IQFN-39 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 5,000 独立的 高侧或低侧 2 N沟道MOSFET - 90A、70A -
DGD21814MS14-13 Diodes Incorporated DGD21814MS14-13 1.9800
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ECAD 2 0.00000000 分散公司 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) DGD21814 反相 未验证 10V~20V 14-SO TH型 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 1.9A、2.3A 40纳秒、20纳秒 600伏
AMT49107KEVSR-3-T Allegro MicroSystems AMT49107KEVSR-3-T 5.6000
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ECAD 5238 0.00000000 快板微系统公司 汽车,AEC-Q100 大部分 的积极 -40℃~150℃(TA) 表面贴装,可湿侧面 48-VFQFN 裸露焊盘 非反相 4.5V~50V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 620-AMT49107KEVSR-3-T 4,000 土耳其 半桥 6 N沟道MOSFET 0.99V、2.1V 1.1A、2.2A -
TCK420G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK420G,L3F 0.8500
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ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 6-XFBGA、WLCSP TCK420 非反相 未验证 2.7V~28V 6-WCSPG (0.8x1.2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 5,000 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 0.4V、1.2V - -
UCC21222D Texas Instruments UCC21222D 4.4100
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ECAD 2 0.00000000 Texas Instruments - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) UCC21222 CMOS/TTL 未验证 3V~5.5V 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 296-49437 EAR99 8542.39.0001 40 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 1.25V、1.6V 4A、6A 5纳秒、6纳秒
IRS2127PBF onsemi IRS2127PBF -
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ECAD 9275 0.00000000 onsemi - 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 非反相 12V~20V 8-DIP - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-IRS2127PBF-488 1 单身的 高侧和低侧 1 N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 200毫安、420毫安 80纳秒、40纳秒 600伏
HIP2100IR4ZT Intersil HIP2100IR4ZT 2.4900
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ECAD 6 0.00000000 Intersil - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 12-VFDFN 裸露焊盘 HIP2100 非反相 未验证 9V~14V 12-DFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 6,000 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 4V、7V 2A, 2A 10纳秒,10纳秒 114V
LF21814NTR IXYS Integrated Circuits Division LF21814NTR 2.3700
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ECAD 4 0.00000000 IXYS集成电路事业部 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) LF21814 非反相 未验证 10V~20V 14-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 212-LF21814NTR EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 1.9A、2.3A 40纳秒、20纳秒 600伏
ISL6207CRZ Intersil ISL6207CRZ 1.0000
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ECAD 第786章 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 -10°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-VQFN 裸露焊盘 ISL6207 非反相 未验证 4.5V~5.5V 8-QFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 100 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2V 2A, 2A 8纳秒,8纳秒 36V
LTC7063RMSE#TRPBF ADI LTC7063RMSE#TRPBF 2.0015
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ECAD 4481 0.00000000 模拟器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 12-TSSOP(0.118",3.00mm宽)裸露焊盘 6V~14V 12-MSOP-EP 下载 REACH 不出行 505-LTC7063RMSE#TRPBFTR EAR99 8542.39.0001 2,500人
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库