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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | SIC | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 通道类型 | 驱动配置 | 司机X | 闸门类型 | 逻辑电压 - VIL、VIH | 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) | 上升/下降T(典型值) | 高侧电压 - 顶部(自举) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMC41420AUMA1 | 1.7050 | ![]() | 1204 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 符合ROHS3标准 | 448-PMC41420AUMA1TR | 5,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | HIP6603BCB | - | ![]() | 3204 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C ~ 125°C (太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | HIP6603 | 非反相 | 未验证 | 10.8V~13.2V | 8-SOIC | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | - | 20纳秒, 20纳秒 | 15V | ||
![]() | 2SP0430T2A0C-XXXX (2)(3)(4) | 261.8733 | ![]() | 6143 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 的积极 | - | 596-2SP0430T2A0C-XXXX(2)(3)(4) | 3 | ||||||||||||||||||||||
![]() | ISL6613BECB-T | - | ![]() | 4645 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 0°C ~ 125°C (太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | ISL6613 | 非反相 | 未验证 | 7V~13.2V | 8-SOIC-EP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 1.25A、2A | 26纳秒、18纳秒 | 36V | ||
![]() | MIC4429BN | - | ![]() | 4904 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 麦克风4429 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-PDIP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 6A, 6A | 12纳秒、13纳秒 | |||
![]() | LTC7066RMSE#WTRPBF | 5.9500 | ![]() | 4985 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 12-TSSOP(0.118",3.00mm宽)裸露焊盘 | 5V~14V | 12-MSOP-EP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 260 | |||||||||||||||
![]() | 1EDN8550BXTSA1 | 1.0700 | ![]() | 6742 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | EiceDriver™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | SOT-23-6 | 1EDN8550 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~20V | PG-SOT23-6 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | - | 4A、8A | 6.5纳秒、4.5纳秒 | 84V | ||
![]() | 1SD418F2-FZ1200R33KL2C | - | ![]() | 6483 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-1 | 盒子 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 安装结构 | 模块 | 1SD418F2 | - | 未验证 | 14.5V~15.5V | 模块 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8473.30.1180 | 1 | 单身的 | 半桥 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | - | 18A, 18A | 100纳秒,100纳秒 | |||||
![]() | UCC27323DGN | - | ![]() | 4742 | 0.00000000 | 尤尼罗德 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-UCC27323DGN-600018 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | ISL6605CR | - | ![]() | 6722 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C ~ 125°C (太焦) | 表面贴装 | 8-VQFN 裸露焊盘 | ISL6605 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 8-QFN (3x3) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 1V、2V | 2A, 2A | 8纳秒,8纳秒 | 33V | ||
![]() | 2ED21064S06JXUMA1 | 2.8300 | ![]() | 280 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 2ED21064 | - | 未验证 | 10V~20V | PG-DSO-14 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 高侧和低侧 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 1.1V、1.7V | 290毫安、700毫安 | 100纳秒、35纳秒 | 20V | ||
![]() | UCC27624QDGNRQ1 | 1.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-PowerTSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | 非反相 | 4.5V~26V | 8-HVSSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 1.2V、1.8V | 5A、5A | 6纳秒、10纳秒 | |||||
![]() | ADP3416JR-卷轴 | 0.3400 | ![]() | 155 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | ADP3416 | 非反相 | 未验证 | 4.15V~7.5V | 8-SOIC | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 高侧和低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.3V | - | - | |||
ISL89165FRTBZ | 2.9559 | ![]() | 7741 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | ISL89165 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~16V | 8-TDFN (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 1.85V、3.15V | 6A, 6A | 20纳秒, 20纳秒 | ||||
![]() | LM5101AMX/S7003027 | - | ![]() | 9377 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 非反相 | 9V~14V | 8-SOIC | - | 符合ROHS3标准 | 296-LM5101AMX/S7003027 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 2.3V | 3A | 8纳秒,8纳秒 | 118V | |||||||
![]() | HIP2210FRTZ | 1.0310 | ![]() | 4974 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 10-WDFN 裸露焊盘 | 非反相 | 6V~18V | 10-TDFN (4x4) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 20-HIP2210FRTZ | 1 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 1.47V、1.84V | 3A、4A | 20纳秒, 20纳秒 | 115V | ||||||
![]() | 1EBN1002AEXUMA1 | 1.6498 | ![]() | 7131 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | EiceDRIVER™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | 1EBN1002 | 非反相 | 未验证 | 8V~18V | PG-DSO-14-43 | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | - | 6 | IGBT | - | - | - | |||
![]() | MAX15070AAUT+T | 1.8000 | ![]() | 2678 | 0.00000000 | ADI/Maxim 集成 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | SOT-23-6 | MAX15070 | 反相、同相 | 未验证 | 4V~14V | SOT-6 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | 3A、7A | 6纳秒、4纳秒 | |||
![]() | SG1626Y-DESC | - | ![]() | 8094 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-STD-883 | 托盘 | 的积极 | -55°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 8-CDIP(0.300英寸,7.62毫米) | SG1626 | 反相 | 未验证 | 22V | 8-CERDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-SG1626Y-DESC | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.7V、2V | 3A | 30纳秒、30纳秒 | |||
![]() | DHP1140N08P5AUMA1 | 2.2356 | ![]() | 8285 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | DHP1140 | 未验证 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 4,000 | |||||||||||||||||
![]() | TDA21490AUMA1 | 6.9500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | OptiMOS™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 39电源VFQFN | TDA21490 | 非反相 | 未验证 | 4.25V~16V | PG-IQFN-39 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 独立的 | 高侧或低侧 | 2 | N沟道MOSFET | - | 90A、70A | - | |||
![]() | DGD21814MS14-13 | 1.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | DGD21814 | 反相 | 未验证 | 10V~20V | 14-SO TH型 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 1.9A、2.3A | 40纳秒、20纳秒 | 600伏 | ||
![]() | AMT49107KEVSR-3-T | 5.6000 | ![]() | 5238 | 0.00000000 | 快板微系统公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 的积极 | -40℃~150℃(TA) | 表面贴装,可湿侧面 | 48-VFQFN 裸露焊盘 | 非反相 | 4.5V~50V | 48-QFN (7x7) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | 620-AMT49107KEVSR-3-T | 4,000 | 土耳其 | 半桥 | 6 | N沟道MOSFET | 0.99V、2.1V | 1.1A、2.2A | - | ||||||
TCK420G,L3F | 0.8500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 6-XFBGA、WLCSP | TCK420 | 非反相 | 未验证 | 2.7V~28V | 6-WCSPG (0.8x1.2) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道MOSFET | 0.4V、1.2V | - | - | |||||
UCC21222D | 4.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | UCC21222 | CMOS/TTL | 未验证 | 3V~5.5V | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | 296-49437 | EAR99 | 8542.39.0001 | 40 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 1.25V、1.6V | 4A、6A | 5纳秒、6纳秒 | |||
![]() | IRS2127PBF | - | ![]() | 9275 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 非反相 | 12V~20V | 8-DIP | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-IRS2127PBF-488 | 1 | 单身的 | 高侧和低侧 | 1 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 200毫安、420毫安 | 80纳秒、40纳秒 | 600伏 | ||||||
![]() | HIP2100IR4ZT | 2.4900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 12-VFDFN 裸露焊盘 | HIP2100 | 非反相 | 未验证 | 9V~14V | 12-DFN (4x4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 4V、7V | 2A, 2A | 10纳秒,10纳秒 | 114V | ||||
![]() | LF21814NTR | 2.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | IXYS集成电路事业部 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | LF21814 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 14-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 212-LF21814NTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 1.9A、2.3A | 40纳秒、20纳秒 | 600伏 | |
![]() | ISL6207CRZ | 1.0000 | ![]() | 第786章 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -10°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-VQFN 裸露焊盘 | ISL6207 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 8-QFN (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 1V、2V | 2A, 2A | 8纳秒,8纳秒 | 36V | ||||
![]() | LTC7063RMSE#TRPBF | 2.0015 | ![]() | 4481 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 12-TSSOP(0.118",3.00mm宽)裸露焊盘 | 6V~14V | 12-MSOP-EP | 下载 | REACH 不出行 | 505-LTC7063RMSE#TRPBFTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 |
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