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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
SN75372D	3.4100	RFQ	1	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SN75372	反转	未行业行业经验证	4.75V〜5.25V，4.75V〜24V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	-
ISL6605CRZ-T	-	RFQ	7822	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6605	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
TPIC44H01DAG4	-	RFQ	8217	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	32-TSSOP （0.240英寸，6.10mm）	TPIC44H01	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	32-tssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	46	独立的	高方向	4	n通道MOSFET	-	-	-
ISL89160FBEAZ	3.2600	RFQ	124	Intersil	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89160	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.22V，2.08V	6a，6a	20N，20N
MCP14A0304-E/MNY	0.9750	RFQ	8628	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-WFDFN暴露垫	MCP14A0304	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	150	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	12n，12ns
IR21094S	-	RFQ	6820	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IR21094	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR21094S	Ear99	8542.39.0001	55	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
ISL6612AECBZ	-	RFQ	7278	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	980	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
LM5110-2SD/NOPB	2.4200	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5110	反转	未行业行业经验证	3.5V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
MIC4420CN	-	RFQ	5012	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
TC1410NEOA713	1.6500	RFQ	2235	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1410	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1410NEOA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	25n，25n
ADP3121JRZ-RL	-	RFQ	1179	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3121	不转变	未行业行业经验证	4.15v〜13.2V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，20N	35 v
MLX83100LGO-DBA-000-RE	2.2400	RFQ	3490	Melexis Technologies NV	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	28-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	MLX83100	-	未行业行业经验证	4.5V〜28V	28-TSSOP-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.4a，1.6a	7n，7ns
FAN3225CMPX	-	RFQ	7278	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	FAN3225	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-mlp （3x3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	5a，5a	12ns，9ns
max4427csa+t	5.7800	RFQ	5129	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，20N
max15024catb+t	-	RFQ	7010	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	Max15024	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜28V	10-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	4a，8a	24ns，16ns
max15025fatb+t	-	RFQ	5557	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	Max15025	反转，无变形	未行业行业经验证	6.5V〜28V	10-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	2a，4a	48ns，32ns
NCP5104PG	-	RFQ	6775	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	NCP5104	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.3V	250mA，500mA	85ns，35ns	600 v
NCP5111DR2G	1.4100	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCP5111	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.3V	250mA，500mA	85ns，35ns	600 v
LTC4442IMS8E＃trpbf	2.5650	RFQ	5725	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4442	不转变	未行业行业经验证	6v〜9.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.4a，2.4a	12n，8ns	42 v
IR21531SPBF	2.9600	RFQ	3	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR21531	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜15.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	80ns，45ns	600 v
ZXGD3001E6TA	0.7800	RFQ	9154	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	ZXGD3001	不转变	未行业行业经验证	12v （最大）	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	-	9a，9a	7.3NS，11NS
IR22141SSPBF	-	RFQ	4074	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24SSOP （0.209“，5.30mm宽度）	IR22141	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	24 SSOP	下载		3（168））	到达不受影响	SP001547750	Ear99	8542.39.0001	55	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V，2V	2a，3a	24ns，7ns	1200 v
L6741	-	RFQ	5890	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6741	不转变	未行业行业经验证	5v〜12v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.3V	2a，2a	-	41 v
L6743Q	-	RFQ	1653年	Stmicroelectronics	-	管子	在sic中停产	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	L6743	不转变	未行业行业经验证	5v〜12v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a， -	-	41 v
LM5105SDX/NOPB	2.7800	RFQ	2172	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5105	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.8a，1.8a	15ns，15ns	118 v
LM5106SDX/NOPB	0.8250	RFQ	2465	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5106	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.2a，1.8a	15ns，10ns	118 v
LM5109ASDX/NOPB	0.7590	RFQ	2454	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	108 v
LM5109BMAX/NOPB	0.9700	RFQ	3229	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	108 v
LM5112SDX/NOPB	1.5000	RFQ	3	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	LM5112	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	6-wson（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.3V	3a，7a	14ns，12ns
FAN73832MX	0.6352	RFQ	1103	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan73832	不转变	未行业行业经验证	15v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，2.9V	350mA，650mA	50ns，30ns	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²