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感应驱动器(7161)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 高侧电压 - 顶部（自举）
IXDN404SI IXYS IXDN404SI -
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 ECAD 6715 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDN404 非反相 未验证 4.5V～35V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 IXDN404SI-NDR EAR99 8542.39.0001 94 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.5V 4A, 4A 16纳秒、13纳秒
TC4427AEMF713 Microchip Technology TC4427AEMF713 1.1850
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 ECAD 8075 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 TC4427 非反相 未验证 4.5V~18V 8-DFN-S (6x5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 TC4427AEMF713-NDR EAR99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 25纳秒, 25纳秒
IXDD509D1T/R IXYS IXDD509D1T/R -
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 ECAD 5908 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 6-VDFN 裸露焊盘 IXDD509 非反相 未验证 4.5V～30V 6-DFN (4x5) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 25纳秒、23纳秒
ISL6613CBZR5214 Renesas Electronics America Inc ISL6613CBZR5214 -
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 ECAD 1241 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） ISL6613 非反相 未验证 10.8V～13.2V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 98 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
IR2107STR Infineon Technologies IR2107STR -
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 ECAD 8566 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IR2107S 反相 未验证 10V～20V 8-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.7V 200毫安、350毫安 150纳秒、50纳秒 600伏
IXDD430YI IXYS IXDD430YI -
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 ECAD 9155 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 TO-263-6、D²Pak（5引脚+焊片）、TO-263BA IXDD430 非反相 未验证 8.5V～35V TO-263-5 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 30A、30A 18纳秒、16纳秒
IXDD504SIAT/R IXYS IXDD504SIAT/R -
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 ECAD 2231 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 IXDD504 非反相 未验证 4.5V～30V 8-SOIC-EP 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 4A, 4A 9纳秒、8纳秒
TC4428VMF Microchip Technology TC4428VMF 1.1700
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 ECAD 第1683章 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 TC4428 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-DFN-S (6x5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 TC4428VMF-NDR EAR99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 19纳秒, 19纳秒
MIC4429YM Microchip Technology MIC4429YM 2.0600
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 ECAD 860 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 麦克风4429 反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 95 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 6A, 6A 12纳秒、13纳秒
FAN3224CMX onsemi 风扇3224CMX 2.2800
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 ECAD 10 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 风扇3224 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET - 5A、5A 12纳秒、9纳秒
TC4489CPD Microchip Technology TC4489CPD -
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 ECAD 6028 0.00000000 微芯片 - 管子 过时的 - 通孔 14-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TC4489 - 未验证 - 14-PDIP - 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 25 - - 4 - - - -
FAN7393AMX onsemi 风扇7393AMX 3.2100
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 ECAD 6 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 风扇7393 非反相 未验证 10V～20V 14-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 2.5A、2.5A 25纳秒、15纳秒 600伏
NCP5901MNTBG onsemi NCP5901MNTBG 0.1700
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 ECAD 3 0.00000000 onsemi - 大部分 的积极 0℃～150℃（太焦） 表面贴装 8-VFDFN 裸露焊盘 NCP5901 非反相 未验证 4.5V～13.2V 8-DFN (2x2) 下载 EAR99 8542.39.0001 1,777 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2V - 16纳秒、11纳秒 35V
MP1909GTL-Z Monolithic Power Systems Inc. MP1909GTL-Z 1.2200
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 ECAD 4 0.00000000 单片电力系统公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 SOT-583 MP1909 非反相 未验证 4.5V～12V SOT-583 - 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 1589-MP1909GTL-ZTR EAR99 8542.39.0001 5,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 2A、4A 10纳秒、6纳秒 50V
LM5100AMR/NOPB Texas Instruments LM5100AMR/NOPB 3.6300
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 ECAD 820 0.00000000 Texas Instruments - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-PowerSOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） LM5100 非反相 未验证 9V~14V 8-SO电源板 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 2.3V，- 3A、3A 430纳秒、260纳秒 118V
ADP3418JR-REEL7 ADI ADP3418JR-REEL7 0.4400
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 ECAD 2 0.00000000 模拟器件公司 - 大部分 过时的 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） ADP3418 未验证 4.15V～13.2V 8-SOIC 下载 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1,000 同步化 半桥 2 30V
RAA229618GNP#AA0 Renesas Electronics America Inc RAA229618GNP#AA0 9.7595
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 ECAD 1031 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 的积极 - 符合ROHS3标准 3（168小时） 20-RAA229618GNP#AA0 1
UCC24624DT Texas Instruments UCC24624DT 2.4500
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 ECAD 第639章 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） UCC24624 非反相 未验证 4.25V～26V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET - 1.5A、4A 23纳秒、19纳秒
2EDN7523GXTMA1 Infineon Technologies 2EDN7523GXTMA1 0.6683
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 ECAD 9885 0.00000000 英飞凌科技 EiceDriver™ 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 2EDN7523 反相 未验证 4.5V～20V PG-WSON-8-1 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 4,000 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET - 5A、5A 5.3纳秒、4.5纳秒
LM5060QDGSRDN Texas Instruments LM5060QDGSRDN -
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 ECAD 5181 0.00000000 Texas Instruments 汽车，AEC-Q100 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽） 非反相 5.5V～65V 10-VSSOP - 符合ROHS3标准 1（无限制） 296-LM5060QDGSRDN 1 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 0.8V、2V - -
1SD210F2-FZ600R65KE3_OPT1 Power Integrations 1SD210F2-FZ600R65KE3_OPT1 -
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 ECAD 3811 0.00000000 电源集成 - 托盘 过时的 -40℃～85℃ 安装结构 模块 1SD210F2 - 未验证 15.5V～16.8V 模块 - 1（无限制） 1810-1SD210F2-FZ600R65KE3_OPT1 过时的 20 单身的 高侧或低侧 1 IGBT - 6A、10A 100纳秒，100纳秒 1200伏
MIC4422ACM Microchip Technology MIC4422ACM -
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 ECAD 8848 0.00000000 微芯片 - 大部分 SIC停产 0℃～150℃（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 麦克风4422 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 95 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET 0.8V、3V 9A, 9A 20纳秒、24纳秒
TLE9180C21QKXUMA1 Infineon Technologies TLE9180C21QKXUMA1 -
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 ECAD 7122 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 TLE9180 未验证 - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 448-TLE9180C21QKXUMA1TR EAR99 8542.39.0001 1,900人
ISL83204AIPZ-REN Renesas Electronics America Inc ISL83204AIPZ-REN 4.1100
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 ECAD 5044 0.00000000 瑞萨电子美国公司 * 大部分 的积极 ISL83204 未验证 下载 不适用 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1
DGD0579UFN-7 Diodes Incorporated DGD0579UFN-7 1.1300
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 ECAD 2 0.00000000 分散公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 10-WFDFN 裸露焊盘 DGD0579 非反相 未验证 6.5V～18V W-DFN3030-10 - 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、6.5V 1.5A、2.5A 19纳秒、15纳秒 100伏
ISL6208CB-T Intersil ISL6208CB-T -
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 ECAD 6480 0.00000000 Intersil - 大部分 过时的 -10°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） ISL6208 非反相 未验证 4.5V~5.5V 8-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.5V、2V 2A, 2A 8纳秒，8纳秒 33V
DGD0597FUQ-7 Diodes Incorporated DGD0597FUQ-7 0.9000
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 ECAD 3 0.00000000 分散公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-VQFN 裸露焊盘 非反相 4.5V~5.5V V-QFN3030-8 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 3,000 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 1.5A、2.5A 7纳秒、5纳秒 40V
2ED1323S12PXUMA1 Infineon Technologies 2ED1323S12PXUMA1 5.8200
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 ECAD 1266 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 20-BSSOP（0.295英寸，7.50毫米宽） 非反相 13V~25V PG-DSO-20-U03 - 3（168小时） 1,000 同步化 半桥 1 IGBT 2.3A、2.3A 1200伏
IRS4427PBF International Rectifier IRS4427PBF -
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 ECAD 6369 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 非反相 6V～20V 8-PDIP - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-IRS4427PBF-600047 1 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 2.3A、3.3A 25纳秒, 25纳秒
ISL6612CB Intersil ISL6612CB 2.9600
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 ECAD 3 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） ISL6612 非反相 未验证 10.8V～13.2V 8-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 EAR99 8542.39.0001 98 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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