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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
TD310IDT	3.0900	RFQ	25	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	TD310	反转，无变形	未行业行业经验证	4v〜16V	16件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	3	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
HIP2101IRZT	2.7221	RFQ	2791	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	HIP2101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	16 QFN（5x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
TC4426AEMF	1.1850	RFQ	2165	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426AEMF-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
IRS2183SPBF	1.2836	RFQ	1107	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2183	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
LM5101ASD/NOPB	4.2000	RFQ	9958	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
UC3705T	-	RFQ	4312	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	TO-220-5	UC3705	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	60n，60n
LM5110-2SD/NOPB	2.4200	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5110	反转	未行业行业经验证	3.5V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
LT1158ISW＃trpbf	7.6650	RFQ	4416	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	LT1158	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜30V	16件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	130ns，120ns	56 v
TC4422CPA	4.1700	RFQ	15	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
MLX83100LGO-DBA-000-RE	2.2400	RFQ	3490	Melexis Technologies NV	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	28-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	MLX83100	-	未行业行业经验证	4.5V〜28V	28-TSSOP-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.4a，1.6a	7n，7ns
UCC27511ADBVT	1.5000	RFQ	11	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	UCC27511	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.4V	4a，8a	8NS，7NS
TC4421VMF713	2.2350	RFQ	8148	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4421VMF713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
MIC5011M	5.9100	RFQ	6624	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC5011	不转变	未行业行业经验证	4.75V〜32V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1230	Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	2V，4.5V	-	-
IR2302SPBF	4.5900	RFQ	4	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2302	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	130ns，50ns	600 v
TC4423COE713	3.4100	RFQ	3876	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
RT7021AGN	-	RFQ	7048	Richtek USA Inc.	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	RT7021	不转变	未行业行业经验证	13v〜20V	8点	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	300mA，600mA	70ns，35ns	600 v
LM25101CMA/NOPB	3.4749	RFQ	9083	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM25101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	1a，1a	990NS，715NS	100 v
E-L6571BD013TR	-	RFQ	6283	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	E-L6571	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜16.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	170mA，270mA	-	600 v
ISL6620IBZ-T	-	RFQ	6264	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6620	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	36 V
LM5110-1SD/NOPB	2.9000	RFQ	4	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5110	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
ADP3121JRZ-RL	-	RFQ	1179	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3121	不转变	未行业行业经验证	4.15v〜13.2V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，20N	35 v
ADP3417JR-REEL	-	RFQ	1346	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				ADP3417					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500
ISL6700IR-T	-	RFQ	1589年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	12-VQFN暴露垫	ISL6700	不转变	未行业行业经验证	9V〜15V	12-qfn （4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.4a，1.3a	5n，5ns	80 V
FAN73832M	-	RFQ	2976	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan73832	不转变	未行业行业经验证	15v〜20V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，2.9V	350mA，650mA	50ns，30ns	600 v
IR2103SPBF	-	RFQ	6277	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2103	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,800	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
TC1410NEOA713	1.6500	RFQ	2235	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1410	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1410NEOA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	25n，25n
1SD418F2-CM1200HC-50H	-	RFQ	8963	电源集成	Scale™-1	盒子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	1SD418F2	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	100NS，100NS
IXDN404SIA	-	RFQ	7115	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDN404	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Q3206197A	Ear99	8542.39.0001	94	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.5V	4a，4a	16ns，13ns
SN75372D	3.4100	RFQ	1	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SN75372	反转	未行业行业经验证	4.75V〜5.25V，4.75V〜24V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	-
IR2136SPBF	7.2300	RFQ	1	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2136	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²