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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | SIC | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 通道类型 | 驱动配置 | 司机X | 闸门类型 | 逻辑电压 - VIL、VIH | 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) | 上升/下降T(典型值) | 高侧电压 - 顶部(自举) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HIP2101EIBZT | 4.5800 | ![]() | 6437 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | HIP2101 | 非反相 | 未验证 | 9V~14V | 8-SOIC-EP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 2A, 2A | 10纳秒,10纳秒 | 114V | ||
![]() | IXDN404SIA | - | ![]() | 7115 | 0.00000000 | IXYS | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IXDN404 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~35V | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | Q3206197A | EAR99 | 8542.39.0001 | 94 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 4A, 4A | 16纳秒、13纳秒 | |||
TC427EPA | 1.7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TC427 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-PDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 1.5A、1.5A | 30纳秒、30纳秒 | ||||
![]() | IRS21271SPBF | 0.8351 | ![]() | 6491 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 最后一次购买 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 国税局21271 | 非反相 | 未验证 | 9V~20V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 高侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 290毫安、600毫安 | 80纳秒、40纳秒 | 600伏 | ||
![]() | ISL6612ACR-T | - | ![]() | 3391 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 0°C ~ 125°C (太焦) | 表面贴装 | 10-VFDFN 裸露焊盘 | ISL6612 | 非反相 | 未验证 | 10.8V~13.2V | 10-DFN (3x3) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 1.25A、2A | 26纳秒、18纳秒 | 36V | ||
![]() | LM5100BMAX/NOPB | 2.8700 | ![]() | 3268 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | LM5100 | 非反相 | 未验证 | 9V~14V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 2.3V,- | 2A, 2A | 570纳秒、430纳秒 | 118V | ||
![]() | ADP3417JR-卷轴 | - | ![]() | 1346 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ADP3417 | - | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | |||||||||||||||||
![]() | DGD1504S8-13 | 1.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | DGD1504 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SO | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 290毫安、600毫安 | 70纳秒、35纳秒 | 250伏 | ||
TPS2811PW | 2.4420 | ![]() | 5635 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | TPS2811 | 反相 | 未验证 | 4V~14V | 8-TSSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 150 | 同步化 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 1V、4V | 2A, 2A | 14纳秒、15纳秒 | ||||
![]() | MAX8791BGTA+ | - | ![]() | 第1752章 | 0.00000000 | ADI/Maxim 集成 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-WQFN 裸露焊盘 | MAX8791 | 非反相 | 未验证 | 4.2V~5.5V | 8-TQFN (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 2.2A、2.7A | 10纳秒、8纳秒 | |||
![]() | TC4420EOA | 2.1300 | ![]() | 第588章 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | TC4420 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | TC4420EOA-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 6A, 6A | 25纳秒, 25纳秒 | ||
![]() | LTC4440ES6-5#TRMPBF | 6.0400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | SOT-23-6薄型、TSOT-23-6 | LTC4440 | 非反相 | 未验证 | 4V~15V | TSOT-23-6 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道MOSFET | 1.3V、1.6V | 2.4A、2.4A | 10纳秒、7纳秒 | 80V | ||
![]() | ICL7667EPA | - | ![]() | 2194 | 0.00000000 | ADI/Maxim 集成 | - | 管子 | 过时的 | 0℃~150℃(太焦) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | ICL7667 | 反相 | 未验证 | 4.5V~17V | 8-PDIP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | - | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | - | 20纳秒, 20纳秒 | |||
TC4626EPA | 5.2300 | ![]() | 6287 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TC4626 | 反相 | 未验证 | 4V~6V | 8-PDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | TC4626EPA-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 60 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 1.5A、1.5A | 33纳秒、27纳秒 | |||
![]() | 麦克风5016YN | - | ![]() | 6506 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 麦克风5016 | 非反相 | 未验证 | 2.75V~30V | 14-DIP | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 576-1236 | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 高侧或低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | - | - | ||
![]() | FAN3229CMX-F085 | 1.3537 | ![]() | 9064 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇3229 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | - | 3A、3A | 12纳秒、9纳秒 | |||
![]() | ISL6594ACB-T | - | ![]() | 9899 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 0°C ~ 125°C (太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | ISL6594 | 非反相 | 未验证 | 10.8V~13.2V | 8-SOIC | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 1.25A、2A | 26纳秒、18纳秒 | 36V | ||
![]() | IR2137J | - | ![]() | 6898 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 68-PLCC | IR2137 | 反相 | 未验证 | 12.5V~20V | 68-PLCC (24.23x24.23) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 19 | 土耳其 | 半桥 | 3 | IGBT | - | - | 115纳秒、25纳秒 | 600伏 | ||
![]() | IXF611P1 | - | ![]() | 3418 | 0.00000000 | IXYS | - | 盒子 | 过时的 | - | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | IXF611 | - | 未验证 | - | 8-DIP | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 450 | - | - | - | - | - | - | |||||
![]() | MCP14A1202T-E/MS | 1.7400 | ![]() | 8501 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | MCP14A1202 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-MSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2V | 12A, 12A | 25纳秒, 25纳秒 | |||
![]() | TD350E | 2.8400 | ![]() | 9735 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | TD350 | 非反相 | 未验证 | 12V~26V | 14-SO | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 高侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、4.2V | 1.5A、2.3A | 130ns、75ns(顶部) | |||
![]() | IXE611S1 | - | ![]() | 9107 | 0.00000000 | IXYS | - | 盒子 | 过时的 | - | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IXE611 | - | 未验证 | - | 8-SOIC | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 第470章 | - | - | - | - | - | - | |||||
![]() | LTC1693-1IS8#TRPBF | 6.6000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | LTC1693 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~13.2V | 8-SO | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 高侧或低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 1.7V、2.2V | 1.5A、1.5A | 16纳秒, 16纳秒 | |||
![]() | TC1413COA | 1.4300 | ![]() | 8155 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | 0℃~150℃(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | TC1413 | 反相 | 未验证 | 4.5V~16V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | TC1413COA-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2V | 3A、3A | 20纳秒, 20纳秒 | ||
![]() | LTC4446IMS8E#TRPBF | 3.3000 | ![]() | 3606 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118"、3.00mm宽)裸露焊盘 | LTC4446 | 非反相 | 未验证 | 7.2V~13.5V | 8-MSOP-EP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 1.85V、3.25V | 2.5A、3A | 8纳秒、5纳秒 | 114V | ||
![]() | 2SP0115T2B0-17 | 105.0000 | ![]() | 1913年 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-2 | 托盘 | 的积极 | -20℃~85℃(TA) | 表面贴装 | 模块 | 2SP0115 | - | 未验证 | 14.5V~15.5V | 模块 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | 1810-1042 | EAR99 | 8473.30.1180 | 12 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | - | 8A、15A | 5纳秒、10纳秒 | 1700伏 | ||
![]() | IR21814PBF | - | ![]() | 3061 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | IR21814 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 14-DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,500人 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.7V | 1.9A、2.3A | 40纳秒、20纳秒 | 600伏 | ||
![]() | MCP14A1202T-E/SN | 1.7400 | ![]() | 7151 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | MCP14A1202 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2V | 12A, 12A | 25纳秒, 25纳秒 | |||
![]() | TC4429CAT | 3.9700 | ![]() | 206 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | 0℃~150℃(太焦) | 通孔 | TO-220-5 | TC4429 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | TO-220-5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | TC4429CAT-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 6A, 6A | 25纳秒, 25纳秒 | ||
![]() | IR21364SPBF | - | ![]() | 8434 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 28-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | IR21364 | 非反相 | 未验证 | 11.5V~20V | 28-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | SP001543818 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 土耳其 | 半桥 | 6 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 200毫安、350毫安 | 125纳秒、50纳秒 | 600伏 |
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