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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 高侧电压 - 顶部(自举)
HIP2101EIBZT Renesas Electronics America Inc HIP2101EIBZT 4.5800
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ECAD 6437 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 HIP2101 非反相 未验证 9V~14V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 2A, 2A 10纳秒,10纳秒 114V
IXDN404SIA IXYS IXDN404SIA -
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ECAD 7115 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IXDN404 非反相 未验证 4.5V~35V 8-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 Q3206197A EAR99 8542.39.0001 94 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.5V 4A, 4A 16纳秒、13纳秒
TC427EPA Microchip Technology TC427EPA 1.7000
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ECAD 2 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TC427 非反相 未验证 4.5V~18V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 30纳秒、30纳秒
IRS21271SPBF Infineon Technologies IRS21271SPBF 0.8351
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ECAD 6491 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 最后一次购买 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 国税局21271 非反相 未验证 9V~20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 95 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 290毫安、600毫安 80纳秒、40纳秒 600伏
ISL6612ACR-T Renesas Electronics America Inc ISL6612ACR-T -
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ECAD 3391 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 10-VFDFN 裸露焊盘 ISL6612 非反相 未验证 10.8V~13.2V 10-DFN (3x3) 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
LM5100BMAX/NOPB Texas Instruments LM5100BMAX/NOPB 2.8700
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ECAD 3268 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) LM5100 非反相 未验证 9V~14V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 2.3V,- 2A, 2A 570纳秒、430纳秒 118V
ADP3417JR-REEL onsemi ADP3417JR-卷轴 -
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ECAD 1346 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 ADP3417 - 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人
DGD1504S8-13 Diodes Incorporated DGD1504S8-13 1.2900
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ECAD 1 0.00000000 分散公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) DGD1504 非反相 未验证 10V~20V 8-SO 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 290毫安、600毫安 70纳秒、35纳秒 250伏
TPS2811PW Texas Instruments TPS2811PW 2.4420
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ECAD 5635 0.00000000 Texas Instruments - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) TPS2811 反相 未验证 4V~14V 8-TSSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 150 同步化 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 1V、4V 2A, 2A 14纳秒、15纳秒
MAX8791BGTA+ ADI/Maxim Integrated MAX8791BGTA+ -
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ECAD 第1752章 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-WQFN 裸露焊盘 MAX8791 非反相 未验证 4.2V~5.5V 8-TQFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 2.2A、2.7A 10纳秒、8纳秒
TC4420EOA Microchip Technology TC4420EOA 2.1300
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ECAD 第588章 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) TC4420 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 TC4420EOA-NDR EAR99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 6A, 6A 25纳秒, 25纳秒
LTC4440ES6-5#TRMPBF ADI LTC4440ES6-5#TRMPBF 6.0400
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ECAD 15 0.00000000 模拟器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 SOT-23-6薄型、TSOT-23-6 LTC4440 非反相 未验证 4V~15V TSOT-23-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 500 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 1.3V、1.6V 2.4A、2.4A 10纳秒、7纳秒 80V
ICL7667EPA ADI/Maxim Integrated ICL7667EPA -
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ECAD 2194 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 管子 过时的 0℃~150℃(太焦) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) ICL7667 反相 未验证 4.5V~17V 8-PDIP 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 - 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V - 20纳秒, 20纳秒
TC4626EPA Microchip Technology TC4626EPA 5.2300
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ECAD 6287 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TC4626 反相 未验证 4V~6V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 TC4626EPA-NDR EAR99 8542.39.0001 60 单身的 高侧或低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 33纳秒、27纳秒
MIC5016YN Microchip Technology 麦克风5016YN -
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ECAD 6506 0.00000000 微芯片 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 麦克风5016 非反相 未验证 2.75V~30V 14-DIP - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 576-1236 EAR99 8542.39.0001 25 独立的 高侧或低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V - -
FAN3229CMX-F085 onsemi FAN3229CMX-F085 1.3537
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ECAD 9064 0.00000000 onsemi 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 最后一次购买 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇3229 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET - 3A、3A 12纳秒、9纳秒
ISL6594ACB-T Renesas Electronics America Inc ISL6594ACB-T -
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ECAD 9899 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) ISL6594 非反相 未验证 10.8V~13.2V 8-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
IR2137J Infineon Technologies IR2137J -
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ECAD 6898 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 68-PLCC IR2137 反相 未验证 12.5V~20V 68-PLCC (24.23x24.23) 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 19 土耳其 半桥 3 IGBT - - 115纳秒、25纳秒 600伏
IXF611P1 IXYS IXF611P1 -
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ECAD 3418 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 - 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) IXF611 - 未验证 - 8-DIP - 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 450 - - - - - -
MCP14A1202T-E/MS Microchip Technology MCP14A1202T-E/MS 1.7400
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ECAD 8501 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) MCP14A1202 非反相 未验证 4.5V~18V 8-MSOP 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 12A, 12A 25纳秒, 25纳秒
TD350E STMicroelectronics TD350E 2.8400
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ECAD 9735 0.00000000 意法半导体 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) TD350 非反相 未验证 12V~26V 14-SO 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、4.2V 1.5A、2.3A 130ns、75ns(顶部)
IXE611S1 IXYS IXE611S1 -
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ECAD 9107 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 - 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IXE611 - 未验证 - 8-SOIC - 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 第470章 - - - - - -
LTC1693-1IS8#TRPBF ADI LTC1693-1IS8#TRPBF 6.6000
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ECAD 4 0.00000000 模拟器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) LTC1693 非反相 未验证 4.5V~13.2V 8-SO 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 高侧或低侧 2 N沟道MOSFET 1.7V、2.2V 1.5A、1.5A 16纳秒, 16纳秒
TC1413COA Microchip Technology TC1413COA 1.4300
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ECAD 8155 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 0℃~150℃(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) TC1413 反相 未验证 4.5V~16V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 TC1413COA-NDR EAR99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 3A、3A 20纳秒, 20纳秒
LTC4446IMS8E#TRPBF ADI LTC4446IMS8E#TRPBF 3.3000
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ECAD 3606 0.00000000 模拟器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP(0.118"、3.00mm宽)裸露焊盘 LTC4446 非反相 未验证 7.2V~13.5V 8-MSOP-EP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 1.85V、3.25V 2.5A、3A 8纳秒、5纳秒 114V
2SP0115T2B0-17 Power Integrations 2SP0115T2B0-17 105.0000
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ECAD 1913年 0.00000000 电源集成 规模™-2 托盘 的积极 -20℃~85℃(TA) 表面贴装 模块 2SP0115 - 未验证 14.5V~15.5V 模块 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) 1810-1042 EAR99 8473.30.1180 12 独立的 半桥 2 IGBT - 8A、15A 5纳秒、10纳秒 1700伏
IR21814PBF Infineon Technologies IR21814PBF -
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ECAD 3061 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) IR21814 非反相 未验证 10V~20V 14-DIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.7V 1.9A、2.3A 40纳秒、20纳秒 600伏
MCP14A1202T-E/SN Microchip Technology MCP14A1202T-E/SN 1.7400
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ECAD 7151 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) MCP14A1202 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 12A, 12A 25纳秒, 25纳秒
TC4429CAT Microchip Technology TC4429CAT 3.9700
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ECAD 206 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 0℃~150℃(太焦) 通孔 TO-220-5 TC4429 反相 未验证 4.5V~18V TO-220-5 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 TC4429CAT-NDR EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 6A, 6A 25纳秒, 25纳秒
IR21364SPBF Infineon Technologies IR21364SPBF -
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ECAD 8434 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 28-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) IR21364 非反相 未验证 11.5V~20V 28-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 SP001543818 EAR99 8542.39.0001 2,000 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 200毫安、350毫安 125纳秒、50纳秒 600伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库