感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
LTC4441MPMSE#PBF	14.4200	询价	1	模拟器件公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4441	非反相	未验证	5V~25V	10-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-2735-LTC4441MPMSE#PBF	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、2V	6A, 6A	13纳秒、8纳秒
MCP1405-E/P	2.8000	询价	200	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MCP1405	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	15纳秒、18纳秒
2EDN8523GXTMA1	0.6683	询价	6075	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	2EDN8523	反相	未验证	4.5V～20V	PG-WSON-8-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.1V、1.98V	5A、5A	5.3纳秒、4.5纳秒
UC2715D	3.6900	询价	203	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UC2715	非反相	未验证	7V~20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	同步化	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，1安	30纳秒、25纳秒
ISL6207CRZ	-	询价	第1385章	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-10°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	ISL6207	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	36V
IR2136SPBF	7.2300	询价	1	英飞凌科技	-	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IR2136	反相	未验证	10V～20V	28-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
MIC4421AZN	2.4400	询价	1211	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4421	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	576-3511-5	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、3V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
MIC4124YME-TR	2.0100	询价	2	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	麦克风4124	非反相	未验证	4.5V～20V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	11纳秒, 11纳秒
MAX4426CPA+	6.7800	询价	7294	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MAX4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒, 20纳秒
ICL7667CBA	-	询价	6012	Intersil	-	管子	过时的	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ICL7667	反相	未验证	4.5V～17V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	98	独立的	-	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	20纳秒, 20纳秒
IXDI430CI	-	询价	7296	IXYS	-	盒子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-5	IXDI430	反相	未验证	8.5V～35V	TO-220-5	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	30A、30A	18纳秒、16纳秒
L6389ED	1.6600	询价	8568	意法半导体	-	管子	的积极	-45°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6389	反相	未验证	17V（最大）	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	1.1V、1.8V	400毫安、650毫安	70纳秒、40纳秒	600伏
AUIR3200STR	-	询价	4367	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIR3200	非反相	未验证	6V～36V	PG-DSO-8-904	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	0.9V、2.7V	-	1微秒、1微秒
MCP1405T-E/SN	2.5200	询价	6793	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP1405	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	MCP1405T-E/SNTR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	15纳秒、18纳秒
LT8672HMS#TRPBF	4.3500	询价	5925	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	LT8672	非反相	未验证	3V～42V	10-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	-	-	-
L6747A	-	询价	2238	意法半导体	-	托盘	SIC停产	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	L6747	反相	未验证	5V~12V	8-VFDFPN (3x3)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	3.5A，-	-	41V
IRS21952SPBF	-	询价	4820	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局21952	非反相	未验证	10V～20V	16-SOIC	下载		2（1年）	REACH 不出行	SP001548840	EAR99	8542.39.0001	45	独立的	半桥，低侧	3	N沟道MOSFET	0.6V、3.5V	500毫安，500毫安	25纳秒, 25纳秒	600伏
ADP36110091RMZR	0.1800	询价	28	onsemi	*	大部分	的积极				ADP36110091		未验证			-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
UCC27221PWPRG4	-	询价	1611	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 115°C（太焦）	表面贴装	14-PowerTSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	UCC27221	反相	未验证	3.7V～20V	14-高温SSOP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.7V、2.6V	4A, 4A	17纳秒, 17纳秒
ISL89163FRTBZ-T	-	询价	9725	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	ISL89163	非反相	未验证	4.5V~16V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.15V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
IR21064SPBF	-	询价	5494	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR21064	非反相	未验证	10V～20V	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	SP001538284	EAR99	8542.39.0001	1,980	独立的	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.9V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
UCC27519DBVR	0.8900	询价	5791	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	SC-74A、SOT-753	UCC27519	非反相	未验证	4.5V~18V	SOT-23-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	-	4A, 4A	8纳秒、7纳秒
MIC4427YMM	1.4500	询价	9081	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	麦克风4427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、29纳秒
IR2184SPBF	3.7700	询价	6	英飞凌科技	-	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2184	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.7V	1.9A、2.3A	40纳秒、20纳秒	600伏
ISL89164FBEAZ-T	2.9559	询价	1313	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89164	反相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
UCC37324P	1.6000	询价	第480章	Texas Instruments	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	UCC37324	非反相	未验证	4.5V～15V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
LTC1177IN-12	-	询价	6024	模拟器件公司	-	大部分	过时的		通孔	18-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	LTC1177I	非反相	未验证	11.4V～12.6V	18-DIP	下载		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	20		高侧	1
LM5100CSD	-	询价	8482	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	1A、1A	990纳秒、715纳秒	118V
IXDN609SIA	2.1300	询价	4	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXDN609	非反相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	9A, 9A	22纳秒、15纳秒
IXDI630MCI	9.7600	询价	248	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-5	IXDI630	反相	未验证	9V～35V	TO-220-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	30A、30A	11纳秒, 11纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²