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感应驱动器(7161)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 高侧电压 - 顶部（自举）
TSC426CPA+ ADI/Maxim Integrated TSC426CPA+ 9.8300
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 ECAD 10 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 管子 的积极 0℃～70℃（TA） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TSC426 反相 未验证 4.5V~18V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 -4941-TSC426CPA+ EAR99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 25纳秒, 25纳秒
FAN3224CMX onsemi 风扇3224CMX 2.2800
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 ECAD 10 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 风扇3224 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET - 5A、5A 12纳秒、9纳秒
TC4489CPD Microchip Technology TC4489CPD -
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 ECAD 6028 0.00000000 微芯片 - 管子 过时的 - 通孔 14-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TC4489 - 未验证 - 14-PDIP - 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 25 - - 4 - - - -
FAN7393AMX onsemi 风扇7393AMX 3.2100
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 ECAD 6 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 风扇7393 非反相 未验证 10V～20V 14-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 2.5A、2.5A 25纳秒、15纳秒 600伏
LTC4441ES8-1#PBF ADI LTC4441ES8-1#PBF 5.8400
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 ECAD 5 0.00000000 模拟器件公司 - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） LTC4441 非反相 未验证 5V~25V 8-SO 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 -2735-LTC4441ES8-1#PBF EAR99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET 1.8V、2V 6A, 6A 13纳秒、8纳秒
MIC4424BM-TR Microchip Technology MIC4424BM-TR -
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 ECAD 7630 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) SIC停产 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） 麦克风4424 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 3A、3A 28纳秒、32纳秒
6SD312EI Power Integrations 6SD312EI -
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 ECAD 9462 0.00000000 电源集成 规模™-1 大部分 过时的 -40℃～85℃ 安装结构 模块 6SD312 - 未验证 0V～16V 模块 下载 1（无限制） EAR99 8473.30.1180 1 - 半桥 6 IGBT - - 160纳秒、130纳秒
IXBD4411PI IXYS IXBD4411PI -
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 ECAD 4595 0.00000000 IXYS ISOSMART™ 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IXBD4411 非反相 未验证 10V～20V 16-DIP 下载 不适用 REACH 不出行 IXBD4411PI-NDR EAR99 8542.39.0001 25 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、3.65V 2A, 2A 15纳秒，15纳秒 1200伏
IXDI609SIATR IXYS Integrated Circuits Division IXDI609SIATR 2.1300
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 ECAD 14 0.00000000 IXYS集成电路事业部 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDI609 反相 未验证 4.5V～35V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,000 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 9A, 9A 22纳秒、15纳秒
LT1162ISW#TRPBF ADI LT1162ISW#TRPBF 10.9800
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 ECAD 6183 0.00000000 模拟器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 24-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） LT1162 非反相 未验证 10V~15V 24-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 4 N沟道MOSFET 0.8V、2V 1.5A、1.5A 130纳秒、60纳秒 60V
ISL6614IRZ-TR5238 Renesas Electronics America Inc ISL6614IRZ-TR5238 -
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 ECAD 3988 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 16-VQFN 裸露焊盘 ISL6614 非反相 未验证 10.8V～13.2V 16-QFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 同步化 半桥 4 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
IR21365STRPBF Infineon Technologies IR21365STRPBF -
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 ECAD 7191 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） IR21365 反相 未验证 12V~20V 28-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 SP001538510 EAR99 8542.39.0001 1,000 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、3V 200毫安、350毫安 125纳秒、50纳秒 600伏
IX2120B IXYS Integrated Circuits Division IX2120B -
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 ECAD 6441 0.00000000 IXYS集成电路事业部 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） IX2120 非反相 未验证 15V~20V 28-SOIC - 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 CLA4171 EAR99 8542.39.0001 28 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.5V 2A, 2A 9.4纳秒、9.7纳秒 1200伏
LTC4444IMS8E#WTRPBF ADI LTC4444IMS8E#WTRPBF -
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 ECAD 6192 0.00000000 模拟器件公司 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘 LTC4444 非反相 未验证 7.2V～13.5V 8-MSOP-EP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 1.85V、3.25V 2.5A、3A 8纳秒、5纳秒 114V
TC4428VPA Microchip Technology TC4428VPA 1.5100
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 ECAD 7863 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TC4428 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 TC4428VPA-NDR EAR99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 19纳秒, 19纳秒
IR2103SPBF-IR International Rectifier IR2103SPBF-红外 -
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 ECAD 6049 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IR2103 反相、同相 未验证 10V～20V 8-SOIC 下载 不适用 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、3V 210毫安、360毫安 100纳秒、50纳秒 600伏
ISL6613BEIB-T Renesas Electronics America Inc ISL6613BEIB-T -
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 ECAD 6090 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 ISL6613 非反相 未验证 7V～13.2V 8-SOIC-EP 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
TC4404COA713 Microchip Technology TC4404COA713 2.7900
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 ECAD 8186 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） TC4404 反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 TC4404COA713-NDR EAR99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 40ns、40ns（顶部）
MIC4426BMM Microchip Technology MIC4426BMM -
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 ECAD 1050 0.00000000 微芯片 - 大部分 SIC停产 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽） 麦克风4426 反相 未验证 4.5V~18V 8-MSOP - 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 20纳秒、29纳秒
IX2113B IXYS Integrated Circuits Division IX2113B -
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 ECAD 6814 0.00000000 IXYS集成电路事业部 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） IX2113 非反相 未验证 10V～20V 16-SOIC - 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 共增值税亚油酸404 EAR99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 6V、9.5V 2A, 2A 9.4纳秒、9.7纳秒 600伏
LTC1693-2IS8#PBF ADI LTC1693-2I​​​​S8#PBF 6.6000
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 ECAD 2664 0.00000000 模拟器件公司 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） LTC1693 反相、同相 未验证 4.5V～13.2V 8-SO 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 独立的 高侧或低侧 2 N沟道MOSFET 1.7V、2.2V 1.5A、1.5A 16纳秒, 16纳秒
TC4426EMF Microchip Technology TC4426EMF 1.0950
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 ECAD 6789 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 TC4426 反相 未验证 4.5V~18V 8-DFN-S (6x5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 TC4426EMF-NDR EAR99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 19纳秒, 19纳秒
MAX1614EUA ADI/Maxim Integrated MAX1614EUA -
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 ECAD 9935 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽） MAX1614 非反相 未验证 5V~26V 8-uMAX/uSOP 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 0.6V、2V - -
MIC4452BN Microchip Technology MIC4452BN -
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 ECAD 2800 0.00000000 微芯片 - 管子 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 麦克风4452 非反相 未验证 4.5V~18V 8-PDIP - 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.4V 12A, 12A 20纳秒、24纳秒
ISL6609ACRZ Renesas Electronics America Inc ISL6609ACRZ 3.2900
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 ECAD 15 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-VQFN 裸露焊盘 ISL6609 非反相 未验证 4.5V～5.5V 8-QFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 -ISL6609ACRZ EAR99 8542.39.0001 100 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2V -, 4A 8纳秒，8纳秒 36V
ADP36110091RMZR onsemi ADP36110091RMZR 0.1800
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 ECAD 28 0.00000000 onsemi * 大部分 的积极 ADP36110091 未验证 - 不适用 3（168小时） 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1
HIP2101IBZ Renesas Electronics America Inc HIP2101IBZ 4.4500
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 ECAD 8303 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） HIP2101 非反相 未验证 9V~14V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 -HIP2101IBZ EAR99 8542.39.0001 980 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 2A, 2A 10纳秒，10纳秒 114V
IXDF404PI IXYS IXDF404PI -
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 ECAD 6139 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IXDF404 反相、同相 未验证 4.5V～35V 8-DIP 下载 不适用 REACH 不出行 IXDF404PI-NDR EAR99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.5V 4A, 4A 16纳秒、13纳秒
IR2103STRPBF Infineon Technologies IR2103STRPBF 2.7900
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 ECAD 5 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IR2103 反相、同相 未验证 10V～20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、3V 210毫安、360毫安 100纳秒、50纳秒 600伏
MIC5016BN Microchip Technology MIC5016BN -
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 ECAD 9519 0.00000000 微芯片 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 14-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 麦克风5016 非反相 未验证 2.75V～30V 14-DIP 下载 不符合 RoHS 指令 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 25 独立的 高侧或低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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