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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
UCC27323DGN	1.6700	RFQ	168	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC27323	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
LTC1693-1CS8 ＃PBF	5.7300	RFQ	2634	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC1693	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	高方面或低侧	2	n通道MOSFET	1.7V，2.2V	1.5a，1.5a	16ns，16ns
ISL6612AECBZ	-	RFQ	7278	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	980	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
MIC4421ZN	3.2100	RFQ	90	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	9a，9a	20N，24NS
IXDI602SIATR	1.7100	RFQ	1	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDI602	反转	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	7.5NS，6.5NS
TC4626CPA	4.8800	RFQ	6968	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4626	反转	未行业行业经验证	4V〜6V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4626CPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	33ns，27ns
MCP14A0451T-E/RW	1.5200	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	MCP14A0451	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-WDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	4.5a，4.5a	9.5NS，9NS
IR21094STRPBF	3.3700	RFQ	20	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IR21094	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
ISL6605IRZA	-	RFQ	9045	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子	ISL6605	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-qfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
ISL6613ACR	-	RFQ	6750	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TD310IDT	3.0900	RFQ	25	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	TD310	反转，无变形	未行业行业经验证	4v〜16V	16件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	3	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
HIP2101IRZT	2.7221	RFQ	2791	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	HIP2101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	16 QFN（5x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
TC4426AEMF	1.1850	RFQ	2165	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426AEMF-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
IRS2183SPBF	1.2836	RFQ	1107	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2183	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
LM5101ASD/NOPB	4.2000	RFQ	9958	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
UC3705T	-	RFQ	4312	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	TO-220-5	UC3705	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	60n，60n
EL7158IS-T7	-	RFQ	3748	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7158	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜12V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2.4V	12a，12a	12ns，12.2ns
MC34152P	-	RFQ	7451	Onmi	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MC34152	不转变	未行业行业经验证	6.1v〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MC34152POS	Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	36ns，32ns
SI9978DW-T1-E3	-	RFQ	9971	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	SI9978	不转变	未行业行业经验证	14.5v〜17.5V	24-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,500	同步	半桥	4	n通道MOSFET	1V，4V	-	110NS，50NS	40 V
FAN3121CMPX	-	RFQ	4596	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	FAN3121	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-mlp （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	10.6a，11.4a	23ns，19ns
MCP14E3-E/p	2.5000	RFQ	37	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MCP14E3	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4a，4a	15NS，18NS
ixdd414pi	-	RFQ	6645	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXDD414	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8点	下载		不适用	到达不受影响	ixdd414pi-ndr	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	14a，14a	25ns，22ns
FAN7191MX-F085	2.9700	RFQ	4563	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7191	不转变	未行业行业经验证	10v〜22v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4.5a，4.5a	25n，25n	600 v
MP1906DS-LF	-	RFQ	5178	Monolithic Power Systems Inc.	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MP1906	不转变	未行业行业经验证	10v〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	350mA，350mA	50ns，30ns	80 V
6ED003L02F2XUMA1	3.7800	RFQ	11	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	28-TSSOP （0.173英寸，4.40mm）	6ed003	反转	未行业行业经验证	13v〜17.5V	PG-TSSOP-28	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	3相	半桥	6	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1.1V，1.7V	-	60ns，26ns	620 v
LM5110-2SD/NOPB	2.4200	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5110	反转	未行业行业经验证	3.5V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
LT1158ISW＃trpbf	7.6650	RFQ	4416	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	LT1158	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜30V	16件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	130ns，120ns	56 v
TC4422CPA	4.1700	RFQ	15	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
MLX83100LGO-DBA-000-RE	2.2400	RFQ	3490	Melexis Technologies NV	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	28-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	MLX83100	-	未行业行业经验证	4.5V〜28V	28-TSSOP-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.4a，1.6a	7n，7ns
UCC27511ADBVT	1.5000	RFQ	11	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	UCC27511	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.4V	4a，8a	8NS，7NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²