感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）	SIC
ISL89161FBEAZ	-	询价	3181	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89161	反相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-ISL89161FBEAZ	EAR99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
MCP1407-E/P	1.4700	询价	1	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MCP1407	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	MCP1407EP	EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
MIC4421ABM-TR	-	询价	第1731章	微芯片	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4421	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、3V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
IR25603PBF	-	询价	6030	英飞凌科技	-	管子	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR25603	RC输入电路	未验证	10V～15.6V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001538192	EAR99	8542.31.0001	50	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	180毫安、260毫安	80纳秒、45纳秒	600伏
IRS2113STRPBF	3.7000	询价	4631	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	国税局2113	非反相	未验证	10V～20V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	2.5A、2.5A	25纳秒、17纳秒	600伏
IR2111STR	-	询价	5332	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	红外2111	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	8.3V、12.6V	250毫安、500毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
TC1413EOA713	1.5100	询价	6342	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC1413	反相		4.5V~16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC1413EOA713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	3A、3A	20纳秒, 20纳秒		未验证
SM74104SDX/NOPB	1.6695	询价	1943年	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	SM74104	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,500	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	1.6A、1.6A	600纳秒, 600纳秒	118V
UC2710TG3	-	询价	8343	Texas Instruments	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-5	UC2710	反相、同相	未验证	4.7V~18V	TO-220-5	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2V	6A, 6A	85纳秒, 85纳秒
L6386ED	1.8500	询价	2827	意法半导体	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6386	反相	未验证	17V（最大）	14-SO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.5V、3.6V	400毫安、650毫安	50纳秒、30纳秒	600伏
IR2233JTRPBF	12.2400	询价	4125	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR2233	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2V	250毫安、500毫安	90纳秒、40纳秒	1200伏
IR21362S	-	询价	3695	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IR21362	反相、同相	未验证	11.5V～20V	28-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IR21362S	EAR99	8542.39.0001	25	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
LT1158ISW#TRPBF	7.6650	询价	4416	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	LT1158	反相、同相	未验证	5V～30V	16-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，500毫安	130纳秒、120纳秒	56V
ISL89166FRTAZ	-	询价	3716	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	ISL89166	非反相	未验证	4.5V~16V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
MAX4428CSA+	5.8000	询价	9409	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX4428CSA+	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒, 20纳秒
ISL6609ACBZ-T	2.6052	询价	6978	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6609	非反相	未验证	4.5V~5.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	-, 4A	8纳秒，8纳秒	36V
L6391D	2.4800	询价	2358	意法半导体	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6391	非反相	未验证	12.5V～20V	14-SO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.1V、1.9V	290毫安、430毫安	75纳秒、35纳秒	600伏
ISL6594DCBZ-T	-	询价	4905	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6594	非反相	未验证	6.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
IXDI614SI	4.7900	询价	4	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IXDI614	反相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	14A, 14A	25纳秒、18纳秒
MC33152P	-	询价	3032	onsemi	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MC33152	非反相	未验证	6.1V～18V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	MC33152POS	EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.6V	1.5A、1.5A	36纳秒、32纳秒
MCP14A0303-E/MNY	1.2200	询价	第430章	微芯片	-	管子	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	8-WFDFN 裸露焊盘	MCP14A0303	反相	未验证	4.5V~18V	8-TDFN (2x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	150	独立的	高侧或低侧	2	IGBT	0.8V、2V	3A、3A	12纳秒, 12纳秒
HIP2100EIBT	-	询价	4516	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	HIP2100	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC-EP	下载	不符合 RoHS 指令	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	4V、7V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
TC4424AVMF	2.4500	询价	5725	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4424	非反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	12纳秒, 12纳秒
TC4426AEMF	1.1850	询价	2165	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4426AEMF-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
HIP2101IR4Z	2.5866	询价	7835	瑞萨电子美国公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	12-VFDFN 裸露焊盘	HIP2101	非反相	未验证	9V~14V	12-DFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
MIC4428ZN	1.9300	询价	3043	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、29纳秒
EL7158ISZ-T13	7.8991	询价	9698	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7158	非反相	未验证	4.5V～12V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	0.8V、2.4V	12A, 12A	12纳秒、12.2纳秒
ADP3120AJRZ	-	询价	第1434章	onsemi	-	管子	过时的	-20°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3120	反相、同相	未验证	4.6V～13.2V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	20纳秒、11纳秒	35V
MCP1404-E/SNVAO	-	询价	8645	微芯片	汽车，AEC-Q100	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP1404	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	15纳秒、18纳秒
EL7154CS	-	询价	6512	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7154	非反相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	97	同步化	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.6V、2.4V	4A, 4A	4纳秒、4纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²