感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
TC4426AEMF	1.1850	询价	2165	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4426AEMF-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
HIP2101IR4Z	2.5866	询价	7835	瑞萨电子美国公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	12-VFDFN 裸露焊盘	HIP2101	非反相	未验证	9V~14V	12-DFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
MIC4428ZN	1.9300	询价	3043	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、29纳秒
EL7158ISZ-T13	7.8991	询价	9698	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7158	非反相	未验证	4.5V～12V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	0.8V、2.4V	12A, 12A	12纳秒、12.2纳秒
ADP3120AJRZ	-	询价	第1434章	onsemi	-	管子	过时的	-20°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3120	反相、同相	未验证	4.6V～13.2V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	20纳秒、11纳秒	35V
MCP1404-E/SNVAO	-	询价	8645	微芯片	汽车，AEC-Q100	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP1404	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	15纳秒、18纳秒
EL7154CS	-	询价	6512	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7154	非反相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	97	同步化	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.6V、2.4V	4A, 4A	4纳秒、4纳秒
ISL2101AABZ	3.9000	询价	1	瑞萨电子美国公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL2101	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-ISL2101AABZ	EAR99	8542.39.0001	98	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.4V、2.2V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
MC33152VDR2G	1.6200	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MC33152	非反相	未验证	6.1V～18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.6V	1.5A、1.5A	36纳秒、32纳秒
IXD611S7	-	询价	2291	IXYS	-	盒子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXD611	非反相	未验证	10V～35V	14-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	第424章	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	2.4V、2.7V	600毫安，600毫安	28纳秒、18纳秒	600伏
EL7212CS-T7	-	询价	8730	伊兰泰克	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7212	反相	未验证	4.5V～15V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	7.5纳秒、10纳秒
MC34152D	-	询价	9542	onsemi	-	管子	过时的	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MC34152	非反相	未验证	6.1V～18V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.6V	1.5A、1.5A	36纳秒、32纳秒
IR2107STR	-	询价	8566	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2107S	反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.7V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
6SD312EI	-	询价	9462	电源集成	规模™-1	大部分	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	6SD312	-	未验证	0V～16V	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	1	-	半桥	6	IGBT	-	-	160纳秒、130纳秒
TSC426CPA+	9.8300	询价	10	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TSC426	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-TSC426CPA+	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
IR2103SPBF-红外	-	询价	6049	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2103	反相、同相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	不适用	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	210毫安、360毫安	100纳秒、50纳秒	600伏
TC4404COA713	2.7900	询价	8186	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC4404	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	TC4404COA713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	40ns、40ns（顶部）
AUIRS2191S	-	询价	3629	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRS2191	非反相	未验证	10V～20V	16-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001511856	EAR99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	3.5A、3.5A	15纳秒，15纳秒	600伏
MAX628MJA/883B	-	询价	5800	ADI/Maxim 集成	军事，MIL-STD-883	管子	的积极	-55℃～125℃（TA）	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	MAX628	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-CERDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	25纳秒、20纳秒
ADP3118JRZ-RL	-	询价	5516	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3118	非反相	未验证	4.15V～13.2V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	25纳秒、20纳秒	25V
DGD05473FNQ-7	0.9200	询价	1	分散公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	10-UFDFN 裸露焊盘	DGD05473	CMOS/TTL	未验证	4.7V~14V	U-DFN3030-10	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、2.5A	16纳秒、12纳秒	50V
风扇3224CMX	2.2800	询价	10	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3224	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	5A、5A	12纳秒、9纳秒
ISL6613CBZR5214	-	询价	1241	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
IXDD504SIAT/R	-	询价	2231	IXYS	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IXDD504	非反相	未验证	4.5V～30V	8-SOIC-EP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	4A, 4A	9纳秒、8纳秒
IXDD430YI	-	询价	9155	IXYS	-	盒子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-6、D²Pak（5引脚+接片）、TO-263BA	IXDD430	非反相	未验证	8.5V～35V	TO-263-5	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	30A、30A	18纳秒、16纳秒
TC4489CPD	-	询价	6028	微芯片	-	管子	过时的	-	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4489	-	未验证	-	14-PDIP	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	-	-	4	-	-	-	-
风扇7393AMX	3.2100	询价	6	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7393	非反相	未验证	10V～20V	14-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	2.5A、2.5A	25纳秒、15纳秒	600伏
IXBD4411PI	-	询价	4595	IXYS	ISOSMART™	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	16-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXBD4411	非反相	未验证	10V～20V	16-DIP	下载		不适用	REACH 不出行	IXBD4411PI-NDR	EAR99	8542.39.0001	25	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	1V、3.65V	2A, 2A	15纳秒，15纳秒	1200伏
MIC4423CN	-	询价	9774	微芯片	-	管子	过时的	0℃～150℃（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4423	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
TC4428VPA	1.5100	询价	7863	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4428VPA-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²