SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
MIC4467CWM TR Microchip Technology MIC4467CWM TR -
RFQ
ECAD 1326 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MIC4467 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 4 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.2a,1.2a 14ns,13ns
TC4431COA Microchip Technology TC4431COA 3.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TC4431 反转 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 单身的 高方面或低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 25ns,33ns
MAX17602ATA+T ADI/Maxim Integrated max17602ata+t 1.2450
RFQ
ECAD 3917 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Max17602 反转,无变形 未行业行业经验证 4V〜14V 8-tdfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.1V 4a,4a 40ns,25ns
EL7156CN Renesas Electronics America Inc EL7156CN -
RFQ
ECAD 1282 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) EL7156 不转变 未行业行业经验证 4.5v〜16.5V 8-pdip 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 高方面或低侧 1 IGBT 0.8V,2.4V 3.5a,3.5a 14.5ns,15ns
TPIC44L01DBG4 Texas Instruments TPIC44L01DBG4 -
RFQ
ECAD 2556 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 24SSOP (0.209“,5.30mm宽度) TPIC44L01 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 4 n通道,p通道MOSFET - 1.2mA,1.2mA 3.5µs,3µs
SN75374DRG4 Texas Instruments SN75374DRG4 -
RFQ
ECAD 5169 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) SN75374 反转 未行业行业经验证 4.75V〜28V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 4 n通道MOSFET 0.8V,2V 500mA,500mA 20N,20N
LTC4444EMS8E-5#PBF ADI LTC444444EMS8E-5 #PBF 5.8100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) LTC4444 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜13.5V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.85V,3.25V 2.5a,3a 8NS,5NS 114 v
ISL2101AAR3Z Renesas Electronics America Inc ISL2101AAR3Z 4.1600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 9-VFDFN暴露垫 ISL2101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 9-DFN-EP(3x3) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 -isl2101aar3z Ear99 8542.39.0001 100 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.4V,2.2V 2a,2a 10n,10n 114 v
LTC1155CS8#TRPBF ADI LTC1155CS8#trpbf 6.3450
RFQ
ECAD 6675 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LTC1155 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 高方向 2 n通道MOSFET 0.8V,2V - -
ISL6615AFRZ Renesas Electronics America Inc ISL6615AFRZ -
RFQ
ECAD 6769 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 ISL6615 不转变 未行业行业经验证 6.8v〜13.2V 10-DFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 2.5a,4a 13ns,10ns 36 V
ISL6209CB-T Renesas Electronics America Inc ISL6209CB-T -
RFQ
ECAD 4938 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -10°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6209 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-SOIC - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1.8V,3.1V 2a,2a 8ns,8ns 33 V
MIC4420BM Microchip Technology MIC4420BM -
RFQ
ECAD 8712 0.00000000 微芯片技术 - 管子 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC4420 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 单身的 低侧 1 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 6a,6a 12n,13ns
L6494LD STMicroelectronics L6494LD 2.7800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) L6494 CMOS/TTL 未行业行业经验证 10v〜20V 14件事 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.45V,2V 2a,2.5a 25n,25n 500 v
TC4423EMF713 Microchip Technology TC4423EMF713 1.6950
RFQ
ECAD 1392 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 TC4423 反转 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-DFN-S( 6x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4423EMF713-NDR Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 3a,3a 23ns,25ns
LM5111-4MY/NOPB Texas Instruments LM5111-4MY/NOPB 2.4200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-POWERTSOP,8-MSOP (0.118英寸,3.00mm宽度) LM5111 反转,无变形 未行业行业经验证 3.5V〜14V 8-HVSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 3a,5a 14ns,12ns
TC4427EUA713 Microchip Technology TC4427EUA713 2.0000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) TC4427 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-msop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 19NS,19NS
IR1169STRPBF Infineon Technologies IR1169STRPBF 2.9400
RFQ
ECAD 8164 0.00000000 Infineon技术 高级智能整流器™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR1169 反转 未行业行业经验证 11V〜19V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 2V,2.25V 1A,4A 20N,10N
MIC4422ZT Microchip Technology MIC442222ZT 3.9500
RFQ
ECAD 218 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 0°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-5 MIC4422 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V TO-220-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.4V 9a,9a 20N,24NS
MIC4452VM-TR Microchip Technology MIC4452VM-TR 2.9500
RFQ
ECAD 7821 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MIC4452 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 低侧 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.4V 12a,12a 20N,24NS
IR21844STRPBF Infineon Technologies IR21844STRPBF 4.5400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) IR21844 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 14-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.7V 1.9a,2.3a 40NS,20NS 600 v
ISL89165FBEBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL89165FBEBZ-T 2.9559
RFQ
ECAD 9809 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL89165 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 1.85V,3.15V 6a,6a 20N,20N
IXDE509PI IXYS ixde509pi -
RFQ
ECAD 1276 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IXDE509 反转 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8点 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,2.4V 9a,9a 25ns,23ns
MCZ33198EF NXP USA Inc. MCZ33198EF -
RFQ
ECAD 4402 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MCZ33198 不转变 未行业行业经验证 7v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.31.0001 98 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 1.5V,3.5V - 10µs,280µs
ISL6594ACB-T Renesas Electronics America Inc ISL6594ACB-T -
RFQ
ECAD 9899 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ISL6594 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 1.25a,2a 26NS,18NS 36 V
IR2136 Infineon Technologies IR2136 -
RFQ
ECAD 1654年 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) IR2136 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-pdip 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 13 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,3V 200mA,350mA 125ns,50ns 600 v
LM5106SD Texas Instruments LM5106SD -
RFQ
ECAD 9113 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-wdfn暴露垫 LM5106 不转变 未行业行业经验证 8v〜14V 10-wson(4x4) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1.2a,1.8a 15ns,10ns 118 v
LTC1177CN-12 ADI LTC1177CN-12 -
RFQ
ECAD 4177 0.00000000 模拟设备公司 - 大部分 过时的 通过洞 18 浸(0.300英寸,7.62mm) LTC1177C 不转变 未行业行业经验证 11.4v〜12.6v 18浸 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 20 高方向 1
TC428COA Microchip Technology TC428COA 1.9000
RFQ
ECAD 186 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TC428 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 30ns,30ns
FAN3217TMX onsemi FAN3217TMX 1.5200
RFQ
ECAD 4753 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FAN3217 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 3a,3a 12ns,9ns
NCP5901DR2G onsemi NCP5901DR2G 0.5900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) NCP5901 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜13.2V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2V - 16ns,11ns 35 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库