电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MIC4467CWM TR | - | ![]() | 1326 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MIC4467 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 低侧 | 4 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.2a,1.2a | 14ns,13ns | |||
![]() | TC4431COA | 3.6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TC4431 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 25ns,33ns | |||
![]() | max17602ata+t | 1.2450 | ![]() | 3917 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Max17602 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | 8-tdfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.1V | 4a,4a | 40ns,25ns | |||
![]() | EL7156CN | - | ![]() | 1282 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | EL7156 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5v〜16.5V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | IGBT | 0.8V,2.4V | 3.5a,3.5a | 14.5ns,15ns | |||
![]() | TPIC44L01DBG4 | - | ![]() | 2556 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 24SSOP (0.209“,5.30mm宽度) | TPIC44L01 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 24 SSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 4 | n通道,p通道MOSFET | - | 1.2mA,1.2mA | 3.5µs,3µs | |||
SN75374DRG4 | - | ![]() | 5169 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 0°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | SN75374 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.75V〜28V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 4 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 500mA,500mA | 20N,20N | ||||
![]() | LTC444444EMS8E-5 #PBF | 5.8100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | LTC4444 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.5V | 8-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.85V,3.25V | 2.5a,3a | 8NS,5NS | 114 v | ||
![]() | ISL2101AAR3Z | 4.1600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 9-VFDFN暴露垫 | ISL2101 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 9-DFN-EP(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | -isl2101aar3z | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.4V,2.2V | 2a,2a | 10n,10n | 114 v | |
![]() | LTC1155CS8#trpbf | 6.3450 | ![]() | 6675 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LTC1155 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高方向 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | - | |||
![]() | ISL6615AFRZ | - | ![]() | 6769 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ISL6615 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6.8v〜13.2V | 10-DFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2.5a,4a | 13ns,10ns | 36 V | ||
![]() | ISL6209CB-T | - | ![]() | 4938 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -10°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6209 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.8V,3.1V | 2a,2a | 8ns,8ns | 33 V | ||
![]() | MIC4420BM | - | ![]() | 8712 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC4420 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 12n,13ns | |||
L6494LD | 2.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | L6494 | CMOS/TTL | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14件事 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.45V,2V | 2a,2.5a | 25n,25n | 500 v | |||
![]() | TC4423EMF713 | 1.6950 | ![]() | 1392 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | TC4423 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-DFN-S( 6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4423EMF713-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 3a,3a | 23ns,25ns | ||
![]() | LM5111-4MY/NOPB | 2.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTSOP,8-MSOP (0.118英寸,3.00mm宽度) | LM5111 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜14V | 8-HVSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 3a,5a | 14ns,12ns | |||
![]() | TC4427EUA713 | 2.0000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | TC4427 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 19NS,19NS | |||
![]() | IR1169STRPBF | 2.9400 | ![]() | 8164 | 0.00000000 | Infineon技术 | 高级智能整流器™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR1169 | 反转 | 未行业行业经验证 | 11V〜19V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 2V,2.25V | 1A,4A | 20N,10N | |||
![]() | MIC442222ZT | 3.9500 | ![]() | 218 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-5 | MIC4422 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | TO-220-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 9a,9a | 20N,24NS | |||
![]() | MIC4452VM-TR | 2.9500 | ![]() | 7821 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC4452 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 12a,12a | 20N,24NS | |||
![]() | IR21844STRPBF | 4.5400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | IR21844 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.7V | 1.9a,2.3a | 40NS,20NS | 600 v | ||
![]() | ISL89165FBEBZ-T | 2.9559 | ![]() | 9809 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL89165 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.85V,3.15V | 6a,6a | 20N,20N | |||
![]() | ixde509pi | - | ![]() | 1276 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IXDE509 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8点 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 9a,9a | 25ns,23ns | ||||
![]() | MCZ33198EF | - | ![]() | 4402 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MCZ33198 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.31.0001 | 98 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 1.5V,3.5V | - | 10µs,280µs | |||
![]() | ISL6594ACB-T | - | ![]() | 9899 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6594 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a,2a | 26NS,18NS | 36 V | ||
![]() | IR2136 | - | ![]() | 1654年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) | IR2136 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 13 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,3V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | ||
![]() | LM5106SD | - | ![]() | 9113 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-wdfn暴露垫 | LM5106 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 10-wson(4x4) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.2a,1.8a | 15ns,10ns | 118 v | ||
![]() | LTC1177CN-12 | - | ![]() | 4177 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | 18 浸(0.300英寸,7.62mm) | LTC1177C | 不转变 | 未行业行业经验证 | 11.4v〜12.6v | 18浸 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.39.0001 | 20 | 高方向 | 1 | |||||||||||
![]() | TC428COA | 1.9000 | ![]() | 186 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TC428 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 30ns,30ns | |||
![]() | FAN3217TMX | 1.5200 | ![]() | 4753 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FAN3217 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 3a,3a | 12ns,9ns | |||
NCP5901DR2G | 0.5900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | NCP5901 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.2V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2V | - | 16ns,11ns | 35 v |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库