感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
MCP1416T-E/OTVAO	-	询价	5846	微芯片	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	SC-74A、SOT-753	MCP1416	非反相	未验证	4.5V~18V	SOT-23-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	18纳秒、21纳秒
MIC5016BN	-	询价	9519	微芯片	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风5016	非反相	未验证	2.75V～30V	14-DIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	独立的	高侧或低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	-
MCP14A1202T-E/SN	1.7400	询价	7151	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14A1202	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	12A, 12A	25纳秒, 25纳秒
LM5100BMAX	-	询价	5270	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	2A, 2A	570纳秒、430纳秒	118V
IXE611S1	-	询价	9107	IXYS	-	盒子	过时的	-	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXE611	-	未验证	-	8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	第470章	-	-		-	-	-	-
LM5105SDX	-	询价	5042	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5105	非反相	未验证	8V~14V	10-WSON (4x4)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,500	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.8A、1.8A	15纳秒，15纳秒	118V
HIP2101EIBZT	4.5800	询价	6437	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	HIP2101	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
ICL7667EPA	-	询价	2194	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	0℃～150℃（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	ICL7667	反相	未验证	4.5V～17V	8-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	-	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	20纳秒, 20纳秒
FAN3229CMX-F085	1.3537	询价	9064	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	最后一次购买	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3229	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	12纳秒、9纳秒
IR25600SPBF	-	询价	5241	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR25600	非反相	未验证	6V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	95	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.7V	2.3A、3.3A	15纳秒、10纳秒
IR2304PBF	3.1800	询价	6	英飞凌科技	-	管子	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR2304	非反相	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	60毫安、130毫安	200纳秒、100纳秒	600伏
ADP3654ARDZ-R7	2.8500	询价	1	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ADP3654	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	4A, 4A	10纳秒，10纳秒
TC4427AEPA	2.0000	询价	1	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4427AEPA-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
TC4429CAT	3.9700	询价	206	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	通孔	TO-220-5	TC4429	反相	未验证	4.5V~18V	TO-220-5	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	TC4429CAT-NDR	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
IR21364SPBF	-	询价	8434	英飞凌科技	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IR21364	非反相	未验证	11.5V～20V	28-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	SP001543818	EAR99	8542.39.0001	2,000	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
MAX15013BASA+	8.1400	询价	400	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX15013	反相、同相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX15013BASA+	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	175伏
TC4626EPA	5.2300	询价	6287	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4626	反相	未验证	4V~6V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4626EPA-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	单身的	高侧或低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	33纳秒、27纳秒
IXDN404SIA	-	询价	7115	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXDN404	非反相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行	Q3206197A	EAR99	8542.39.0001	94	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4A, 4A	16纳秒、13纳秒
麦克风5016YN	-	询价	6506	微芯片	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风5016	非反相	未验证	2.75V～30V	14-DIP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	576-1236	EAR99	8542.39.0001	25	独立的	高侧或低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	-
TC427EPA	1.7000	询价	2	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	30纳秒、30纳秒
IRS21271SPBF	0.8351	询价	6491	英飞凌科技	-	管子	最后一次购买	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局21271	非反相	未验证	9V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
MCP14A0305T-E/MNY	1.2200	询价	2	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	8-WFDFN 裸露焊盘	MCP14A0305	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-TDFN (2x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V、2V	3A、3A	12纳秒, 12纳秒
MCP1407-E/P	1.4700	询价	1	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MCP1407	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	MCP1407EP	EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
ISL6612ACR-T	-	询价	3391	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
LTC4440ES6-5#TRMPBF	6.0400	询价	15	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	LTC4440	非反相	未验证	4V～15V	TSOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.3V、1.6V	2.4A、2.4A	10纳秒、7纳秒	80V
111-4093PBF	-	询价	2419	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-			111-4093	-	未验证	-		下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001562736	过时的	0000.00.0000	2,500人	-	-		-	-	-	-
LTC1693-1IS8#TRPBF	6.6000	询价	4	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LTC1693	非反相	未验证	4.5V～13.2V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧或低侧	2	N沟道MOSFET	1.7V、2.2V	1.5A、1.5A	16纳秒, 16纳秒
LM5100BMAX/NOPB	2.8700	询价	3268	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	2A, 2A	570纳秒、430纳秒	118V
IR2103	-	询价	6662	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR2103	反相、同相	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IR2103	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	210毫安、360毫安	100纳秒、50纳秒	600伏
IR2086STRPBF	-	询价	6625	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	红外2086	RC输入电路	未验证	9.5V～15V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.2A、1.2A	40纳秒、20纳秒	100伏

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²