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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
L9856-LF	-	RFQ	2735	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L9856	反转	未行业行业经验证	4.4V〜6.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	500mA，500mA	100NS，100NS	150 v
TC1427VPA	2.0000	RFQ	7	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC1427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，3V	1.2a，1.2a	35ns，25n
MLX83100LGO-DBA-000-SP	-	RFQ	4496	Melexis Technologies NV	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	28-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	MLX83100	-	未行业行业经验证	4.5V〜28V	28-TSSOP-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.4a，1.6a	7n，7ns
LTC4447IDD ＃PBF	-	RFQ	7552	模拟设备公司	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	12-WFDFN暴露垫	LTC4447	不转变	未行业行业经验证	4V〜6.5V	12-DFN （3x3）	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	121	同步	半桥	2	n通道MOSFET	2.5V，3V	3.2a，3.2a	8NS，7NS	42 v
UCC27511DBVR	1.1800	RFQ	22	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	UCC27511	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.4V	4a，8a	8NS，7NS
FAN3227TMX-F085	2.8800	RFQ	4338	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3227	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	12ns，9ns
LT1166CS8 ＃PBF	8.2500	RFQ	470	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LT1166	不转变	未行业行业经验证	-	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	高方向	2	n通道MOSFET	-	-	-
LTC1156CSW＃trpbf	10.4550	RFQ	2693	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	LTC1156	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	高方向	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
TC427CPAG	-	RFQ	9836	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC427CPAG-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
IRS2817DSPBF	1.2793	RFQ	2583	Infineon技术	*	管子	不适合新设计				IRS2817		未行业行业经验证			下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,800
ISL6612ACBZA	-	RFQ	7089	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
MIC4102BM-TR	-	RFQ	4484	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4102	不转变	未行业行业经验证	9V〜16V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，3a	330NS，200NS	118 v
MCP1404-E/SO	2.7900	RFQ	334	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MCP1404	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	15NS，18NS
HIP2123FRTBZ	-	RFQ	4147	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-WDFN暴露垫	HIP2123	反转	未行业行业经验证	8v〜14V	9-TDFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.4V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
IXDD409SI	-	RFQ	7964	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDD409	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	94	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	9a，9a	10n，10n
L9856	-	RFQ	2737	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L9856	反转	未行业行业经验证	4.4V〜6.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	500mA，500mA	100NS，100NS	150 v
IR2103STRPBF	2.7900	RFQ	5	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2103	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
L6390DTR	2.4300	RFQ	8316	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	L6390	不转变	未行业行业经验证	12.5v〜20V	16件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.1V，1.9V	290mA，430mA	75ns，35ns	600 v
Max15070baut+t	-	RFQ	6018	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	Max15070	反转，无变形	未行业行业经验证	6v〜14V	SOT-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	2V，4.25V	3a，7a	36ns，17ns
MIC4421AZN	2.4400	RFQ	1211	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-3511-5	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，3V	9a，9a	20N，24NS
max4420cpa	-	RFQ	6856	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Max4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
IR2101SPBF	2.7700	RFQ	2	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2101	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
MCZ33198EF	-	RFQ	4402	NXP USA Inc.	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCZ33198	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	98	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.5V，3.5V	-	10µs，280µs
IXDF604SITR	1.9382	RFQ	2707	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDF604	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	4a，4a	9NS，8NS
LTC1177CN-5	-	RFQ	9829	模拟设备公司	-	大部分	过时的		通过洞	18 浸（0.300英寸，7.62mm）	LTC1177C	不转变	未行业行业经验证	4.75V〜5.25V	18浸	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	20		高方向	1
LTC1155CS8＃trpbf	6.3450	RFQ	6675	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC1155	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方向	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
LM5110-1M/NOPB	2.9000	RFQ	926	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5110	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
EL7457CL-T13	-	RFQ	9820	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-VQFN暴露垫	EL7457	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16 QFN （4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方面或低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	13.5ns，13ns
ISL6615AFRZ	-	RFQ	6769	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6615	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.5a，4a	13ns，10ns	36 V
IRS21064STRPBF	3.4200	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21064	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²