感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
TPS2817DBVT	2.1700	询价	500	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	SC-74A、SOT-753	TPS2817	非反相	未验证	4V~14V	SOT-23-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1V、4V	2A, 2A	14纳秒, 14纳秒
MIC4421ZM-TR	2.3500	询价	第440章	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4421	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
EL7457CU-T13	-	询价	8375	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SSOP（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7457	非反相	未验证	4.5V~18V	16-QSOP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧或低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	13.5纳秒、13纳秒
IXDF404SI	-	询价	1857年	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXDF404	反相、同相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行	IXDF404SI-NDR	EAR99	8542.39.0001	94	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4A, 4A	16纳秒、13纳秒
TD352IN	-	询价	8589	意法半导体	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TD352	非反相	未验证	12V~26V	8-DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、4.2V	1.3A、1.7A	100ns、100ns（顶部）
TC4452VPA	3.2000年	询价	180	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4452	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	13A, 13A	30纳秒、32纳秒
IRS2110SPBF	3.4700	询价	6	英飞凌科技	-	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	国税局2110	非反相	未验证	10V～20V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	SP001542768	EAR99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	2.5A、2.5A	25纳秒、17纳秒	500V
IR2108STR	-	询价	9098	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2108	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.9V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
MD1813K6-G	3.6900	询价	2	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-20°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	MD1813	非反相	未验证	4.5V～13V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	半桥	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.3V、1.7V	2A, 2A	6纳秒，6纳秒
MIC4414YFT-TR	0.8900	询价	1	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	4-UQFN	麦克风4414	非反相	未验证	4.5V~18V	4-TQFN (1.2x1.2)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	5,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、3V	1.5A、1.5A	12纳秒, 12纳秒
TC1411NCPA	1.7000	询价	5	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC1411	非反相	未验证	4.5V~16V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC1411NCPA-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	1A、1A	25纳秒, 25纳秒
LM5102SDX	-	询价	第1373章	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5102	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.6A、1.6A	600纳秒, 600纳秒	118V
2ED1324S12PXUMA1	5.8200	询价	5710	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	20-BSSOP（0.295英寸，7.50毫米宽）		非反相		13V~25V	PG-DSO-20-U03	-		3（168小时）					1,000	同步化	半桥	1	IGBT		2.3A、2.3A		1200伏
IR25600SPBF	-	询价	5241	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR25600	非反相	未验证	6V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	95	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.7V	2.3A、3.3A	15纳秒、10纳秒
IR2086STRPBF	-	询价	6625	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	红外2086	RC输入电路	未验证	9.5V～15V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.2A、1.2A	40纳秒、20纳秒	100伏
ADP3654ARDZ-R7	2.8500	询价	1	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ADP3654	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	4A, 4A	10纳秒，10纳秒
NCV33152DR2G	1.5600	询价	9002	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NCV33152	非反相	未验证	6.1V～18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.6V	1.5A、1.5A	36纳秒、32纳秒
IRS21531DSPBF	0.9233	询价	6110	英飞凌科技	-	管子	最后一次购买	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局21531	RC输入电路	未验证	10V～15.4V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	180毫安、260毫安	120纳秒、50纳秒	600伏
ISL6612ECBZ	-	询价	6278	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	980	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
ISL6608CBZ	-	询价	8384	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6608	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	980	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	22V
MAX15202ATE+	-	询价	5174	ADI/Maxim 集成	*	托盘	过时的				MAX15202		未验证			-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1
IR21064SPBF	-	询价	5494	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR21064	非反相	未验证	10V～20V	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	SP001538284	EAR99	8542.39.0001	1,980	独立的	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.9V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
LTC1693-1CS8#TRPBF	5.7300	询价	36	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LTC1693	非反相	未验证	4.5V～13.2V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧或低侧	2	N沟道MOSFET	1.7V、2.2V	1.5A、1.5A	16纳秒, 16纳秒
MCP14A0302T-E/MS	1.0500	询价	1	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	MCP14A0302	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	0.8V、2V	3A、3A	13纳秒、12纳秒
ISL6614AIRZ-T	-	询价	1588	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
TC4424AVMF	2.4500	询价	5725	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4424	非反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	12纳秒, 12纳秒
ISL89163FRTBZ-T	-	询价	9725	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	ISL89163	非反相	未验证	4.5V~16V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.15V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
MCP1416T-E/OTVAO	-	询价	5846	微芯片	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	SC-74A、SOT-753	MCP1416	非反相	未验证	4.5V~18V	SOT-23-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	18纳秒、21纳秒
IRS21952SPBF	-	询价	4820	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局21952	非反相	未验证	10V～20V	16-SOIC	下载		2（1年）	REACH 不出行	SP001548840	EAR99	8542.39.0001	45	独立的	半桥，低侧	3	N沟道MOSFET	0.6V、3.5V	500毫安，500毫安	25纳秒, 25纳秒	600伏
IXDI630MCI	9.7600	询价	248	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-5	IXDI630	反相	未验证	9V～35V	TO-220-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	30A、30A	11纳秒, 11纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²