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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MIC4126ME-TR	1.1300	RFQ	965	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4126	反转	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，18NS
ISL89165FBECZ	-	RFQ	7158	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89165	反转，无变形	未行业行业经验证	7.5V〜16V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-isl89165fbecz	Ear99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2.4V，9.6V	6a，6a	20N，20N
Max17600AUA+t	1.2450	RFQ	7257	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	Max17600	反转	未行业行业经验证	4V〜14V	8-umax-ep \| 8-usop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	40ns，25ns
L9856-LF	-	RFQ	2735	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L9856	反转	未行业行业经验证	4.4V〜6.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	500mA，500mA	100NS，100NS	150 v
MC33152P	-	RFQ	3032	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MC33152	不转变	未行业行业经验证	6.1v〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MC33152POS	Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	36ns，32ns
MC34152P	-	RFQ	7451	Onmi	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MC34152	不转变	未行业行业经验证	6.1v〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MC34152POS	Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	36ns，32ns
UCC37324DGNR	0.4500	RFQ	2713	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC37324	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
lt1158in＃pbf	11.6300	RFQ	135	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	LT1158	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜30V	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-2735-LT1158in＃pbf	Ear99	8542.39.0001	25	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	130ns，120ns	56 v
IXDN602SIATR	1.7100	RFQ	22	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDN602	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	7.5NS，6.5NS
TC427CPA	2.0000	RFQ	640	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
IR21064S	-	RFQ	6618	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IR21064	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR21064S	Ear99	8542.39.0001	55	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
LTC1623CMS8 pbf	4.8575	RFQ	1277	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	LTC1623	不转变	未行业行业经验证	2.7V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	高方向	2	n通道MOSFET	0.6V，1.4V	-	-
ISL6209CB	-	RFQ	9694	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6209	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1.8V，3.1V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
IR21368pbf	-	RFQ	4412	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）	IR21368	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-pdip	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IR21368pbf	Ear99	8542.39.0001	13	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
IRS21091pbf	-	RFQ	5144	Infineon技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS21091	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
MCP14E7T-E/MF	2.1600	RFQ	6232	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP14E7	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	2a，2a	12n，15ns
TC4404MJA	-	RFQ	1772年	微芯片技术	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4404	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4404MJA-NDR	Ear99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	40n，40n （最大）
TC4429VPA	2.3800	RFQ	292	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4429VPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
IR2127STRPBF	3.0800	RFQ	25	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2127	不转变	未行业行业经验证	12v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方面或低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
NCP81071CDR2G	1.4000	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCP81071	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.2V，1.8V	5a，5a	8ns，8ns
MCP1404-E/SNVAO	-	RFQ	8645	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP1404	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	15NS，18NS
MIC4429CN	-	RFQ	1170	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
ISL89168FBEAZ-T	-	RFQ	6069	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89168	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.22V，2.08V	6a，6a	20N，20N
TC4424AVOE	2.8300	RFQ	2809	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	12n，12ns
2EDF7175FXUMA1	2.8600	RFQ	8280	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	2EDF7175	不转变	未行业行业经验证	20V	PG-DSO-16-11	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道，p通道MOSFET	- ，1.65V	1a，2a	6.5NS，4.5NS
ISL6620CRZ-T	-	RFQ	7551	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6620	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	8ns，8ns	36 V
BD2270HFV-Tr	1.8500	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	SOT-665	BD2270	不转变	未行业行业经验证	2.7V〜5.5V	5-HVSOF	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	-	130µs，18µs
lt1160cs＃trpbf	5.6550	RFQ	4622	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	LT1160	不转变	未行业行业经验证	10v〜15V	14件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	130ns，60ns	60 V
UCC27322DGN	1.5600	RFQ	5209	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC27322	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N
麦克风5016亿	-	RFQ	9519	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	MIC5016	不转变	未行业行业经验证	2.75V〜30V	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	高方面或低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²