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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
CHL8515CRT	-	RFQ	6497	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	CHL8515CRT	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-DFN （3x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，1V	2a，2a	10n，8ns	35 v
TC427EPA	1.7000	RFQ	2	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
TPIC44H01DAG4	-	RFQ	8217	Texas Instruments	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	32-TSSOP （0.240英寸，6.10mm）	TPIC44H01	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	32-tssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	46	独立的	高方向	4	n通道MOSFET	-	-	-
ISL6613BCBZ	-	RFQ	9284	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IXDI430CI	-	RFQ	7296	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IXDI430	反转	未行业行业经验证	8.5V〜35V	TO-220-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	30a，30a	18NS，16NS
tps28225drbr	1.6300	RFQ	5	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TPS28225	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜8.8V	8-son （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	10n，10n	33 V
L6390DTR	2.4300	RFQ	8316	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	L6390	不转变	未行业行业经验证	12.5v〜20V	16件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.1V，1.9V	290mA，430mA	75ns，35ns	600 v
IXDI514SIA	-	RFQ	6413	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDI514	反转	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	94	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1V，2.5V	14a，14a	25ns，22ns
MIC4421AZN	2.4400	RFQ	1211	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4421	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-3511-5	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，3V	9a，9a	20N，24NS
SN75374D	4.1700	RFQ	278	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	SN75374	反转	未行业行业经验证	4.75V〜28V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	40	独立的	低侧	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	20N，20N
NCV5700DR2G	1.7900	RFQ	7027	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	NCV5700	-	未行业行业经验证	20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	高方面或低侧		IGBT	0.75V，4.3V	7.8a，6.8a	9.2NS，7.9NS
LM5110-1M/NOPB	2.9000	RFQ	926	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5110	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
TC4420CPA	2.3800	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
MIC4426CM-TR	-	RFQ	2350	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
IR21094S	-	RFQ	6820	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IR21094	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR21094S	Ear99	8542.39.0001	55	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
LTC1163CS8＃trpbf	5.3700	RFQ	6923	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC1163	不转变	未行业行业经验证	1.8V〜6V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方向	3	n通道MOSFET	-	-	-
UCC27325DGNR	0.5730	RFQ	6094	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC27325	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
IR2302	-	RFQ	7256	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2302	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2302	Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	130ns，50ns	600 v
IR2136S	-	RFQ	3450	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2136	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
ixdd514siat/r	-	RFQ	2428	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDD514	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1V，2.5V	14a，14a	25ns，22ns
max4420esa	-	RFQ	7672	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
MIC4126BME	-	RFQ	8374	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4126	反转	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-SOIC	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，18NS
LTC1177CN-5	-	RFQ	9829	模拟设备公司	-	大部分	过时的		通过洞	18 浸（0.300英寸，7.62mm）	LTC1177C	不转变	未行业行业经验证	4.75V〜5.25V	18浸	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	20		高方向	1
HIP2101ITT	-	RFQ	5888	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	HIP2101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	16 QFN（5x5）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
IXD611S7	-	RFQ	2291	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IXD611	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	14-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	424	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	2.4V，2.7V	600mA，600mA	28NS，18NS	600 v
MIC4451YN	3.2100	RFQ	7708	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4451	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1209	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	12a，12a	20N，24NS
ADP3631ARZ-R7	2.9800	RFQ	832	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3631	反转，无变形	未行业行业经验证	9.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	10n，10n
HIP2120FRTAZ-T	-	RFQ	9226	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	HIP2120	反转	未行业行业经验证	8v〜14V	10-tdfn （4x4）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	3.7V，7.93V	2a，2a	10n，10n	114 v
ISL89165FRTCZ-T	-	RFQ	8424	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	ISL89165	反转，无变形	未行业行业经验证	7.5V〜16V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2.4V，9.6V	6a，6a	20N，20N
UC3715DTR	1.5825	RFQ	3971	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	UC3715	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²