感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
IR2233JTR	-	询价	8727	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR2233	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2V	250毫安、500毫安	90纳秒、40纳秒	1200伏
ISL78420AVEZ	5.1400	询价	6	瑞萨电子美国公司	汽车，AEC-Q100	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	14-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）裸露焊盘	ISL78420	非反相	未验证	8V~14V	14-高温SSOP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	-ISL78420AVEZ	EAR99	8542.39.0001	75	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1.8V、4V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
TC4426EMF	1.0950	询价	6789	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4426EMF-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
TC427COA	1.5900	询价	6161	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	30纳秒、30纳秒
TC4428EPA	2.0000	询价	第565章	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4428EPA-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
MCP14E10T-E/MF	2.0850	询价	3836	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCP14E10	非反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	25纳秒, 25纳秒
ISL6594ACRZ	2.0700	询价	第475章	Intersil	-	大部分	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6594	非反相	未验证	10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
TC4423EPA	2.7800	询价	8584	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4423	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4423EPA-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	23纳秒、25纳秒
LTC4441MPMSE#PBF	14.4200	询价	1	模拟器件公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4441	非反相	未验证	5V~25V	10-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-2735-LTC4441MPMSE#PBF	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、2V	6A, 6A	13纳秒、8纳秒
MCP1405-E/P	2.8000	询价	200	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MCP1405	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	15纳秒、18纳秒
2EDN8523GXTMA1	0.6683	询价	6075	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	2EDN8523	反相	未验证	4.5V～20V	PG-WSON-8-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.1V、1.98V	5A、5A	5.3纳秒、4.5纳秒
UC2715D	3.6900	询价	203	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UC2715	非反相	未验证	7V~20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	同步化	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，1安	30纳秒、25纳秒
ISL6207CRZ	-	询价	第1385章	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-10°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	ISL6207	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	36V
IR2136SPBF	7.2300	询价	1	英飞凌科技	-	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IR2136	反相	未验证	10V～20V	28-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
MIC4421AZN	2.4400	询价	1211	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4421	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	576-3511-5	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、3V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
MIC4124YME-TR	2.0100	询价	2	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	麦克风4124	非反相	未验证	4.5V～20V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	11纳秒, 11纳秒
MAX4426CPA+	6.7800	询价	7294	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MAX4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒, 20纳秒
ICL7667CBA	-	询价	6012	Intersil	-	管子	过时的	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ICL7667	反相	未验证	4.5V～17V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8542.39.0001	98	独立的	-	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	20纳秒, 20纳秒
FZE1065EGGEGXUMA1	104.0000	询价	1	英飞凌科技	*	大部分	过时的				FZE1065		未验证			-	不符合RoHS标准		REACH 不出行	2156-FZE1065EGGEGXUMA1	EAR99	8541.29.0095	1
TC4469EOE	5.4900	询价	7311	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	TC4469	反相、同相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4469EOE-NDR	EAR99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.2A、1.2A	15纳秒，15纳秒
ISL6605IB	-	询价	5784	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6605	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	33V
NCV51511PDR2G	3.2900	询价	8310	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	NCV51511	非反相	未验证	8V~16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	高侧或低侧	2	N沟道MOSFET	2V、1.8V	3A、6A	6纳秒、4纳秒	100伏
IXDN409SI	-	询价	4335	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXDN409	非反相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	94	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	9A, 9A	10纳秒，10纳秒
SN75374N	3.9900	询价	7	Texas Instruments	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	通孔	16-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	SN75374	反相	未验证	4.75V～28V	16-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	4	N沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，500毫安	20纳秒, 20纳秒
风扇7383MX	1.6600	询价	1	onsemi	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.209英寸，5.30毫米宽）	风扇7383	非反相	未验证	15V~20V	14-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.2V、2.9V	350毫安、650毫安	50纳秒、30纳秒	600伏
IRS2183PBF	-	询价	3041	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	国税局2183	反相、同相	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	1.9A、2.3A	40纳秒、20纳秒	600伏
TC427CPA	2.0000	询价	640	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	30纳秒、30纳秒
MIC4420CM-TR	-	询价	3996	微芯片	-	卷带式 (TR)	SIC停产	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4420	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	12纳秒、13纳秒
MAX5062DASA-T	-	询价	1869年	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	MAX5062	反相、同相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC-EP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	125V
M57161L-01	-	询价	1956年	动力克斯公司	-	大部分	过时的	-20°C ~ 60°C (TA)	通孔	28-SIP，15导联	M57161	非反相	未验证	14.3V～15.7V	模块	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		PM57161L-01R	EAR99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	IGBT	-	7A, 7A	400纳秒, 400纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²