感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）	SIC
NCP5106BMNTWG	-	询价	5255	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VDFN 裸露焊盘	NCP5106	非反相	未验证	10V～20V	10-DFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	250毫安、500毫安	85纳秒、35纳秒	600伏
LTC7000ARMSE#TRPBF	7.4200	询价	2	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-TFSOP（0.118"，3.00mm宽）裸露焊盘	LTC7000	非反相	未验证	3.5V～135V	16-MSOP-EP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、1.7V	-	90纳秒、40纳秒	14V
IR2181S	-	询价	3876	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2181	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IR2181S	EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.7V	1.9A、2.3A	40纳秒、20纳秒	600伏
HIP2103FRTAAZ-T7A	2.8600	询价	4	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	HIP2103	非反相	未验证	4.5V~14V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.63V、2.06V	1A、1A	8纳秒、2纳秒	60V
UCC27519AQDBVRQ1	1.2700	询价	1	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SC-74A、SOT-753	UCC27519	非反相	未验证	4.5V~18V	SOT-23-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	-	4A, 4A	8纳秒、7纳秒
IR2213PBF	8.8400	询价	2	英飞凌科技	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR2213	非反相	未验证	12V~20V	14-DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	2A、2.5A	25纳秒、17纳秒	1200伏
IXS839BQ2T/R	-	询价	3258	IXYS	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	IXS839	非反相	未验证	4.5V～5.5V	10-QFN (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A、4A	20纳秒、15纳秒	24V
L6494LD	2.7800	询价	1	意法半导体	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6494	CMOS/TTL	未验证	10V～20V	14-SO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.45V、2V	2A、2.5A	25纳秒, 25纳秒	500V
ISL89163FRTCZ-T	-	询价	8501	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WFDFN 裸露焊盘	ISL89163	非反相		7.5V～16V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	2.4V、9.6V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒		未验证
IXDN609SITR	3.2200	询价	13	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IXDN609	非反相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	9A, 9A	22纳秒、15纳秒
EL7243CM	-	询价	4953	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	20-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	EL7243	反相、同相	未验证	4.5V~16V	20-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	38	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	10ns、10ns（顶部）
TC4428VOA713-VAO	-	询价	2463	微芯片	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
IRS2301SPBF	0.8143	询价	9332	英飞凌科技	-	管子	最后一次购买	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2301	非反相	未验证	5V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	200毫安、350毫安	130纳秒、50纳秒	600伏
TC4427AVUA713	2.0500	询价	7069	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC4427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
TC1428CUA713	-	询价	2597	微芯片	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC1428	反相、同相	未验证	4.5V~16V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC1428CUA713-NDR	EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	1.2A、1.2A	35纳秒、25纳秒
LTC1623IS8#PBF	5.1055	询价	2008年	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LTC1623	非反相	未验证	2.7V～5.5V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	高侧	2	N沟道MOSFET	0.6V、1.4V	-	-
MIC4102BM-TR	-	询价	4484	微芯片	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4102	非反相	未验证	9V~16V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	2A、3A	330纳秒、200纳秒	118V
TC4425CPA	3.4100	询价	207	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4425	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4425CPA-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	23纳秒、25纳秒
MIC4126YME-TR	1.1300	询价	965	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	麦克风4126	反相	未验证	4.5V～20V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、18纳秒
TC4427COA	1.7800	询价	第489章	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC4427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
IXDN602PI	1.7100	询价	2	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXDN602	非反相	未验证	4.5V～35V	8-DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	2A, 2A	7.5纳秒、6.5纳秒
TPIC44H01DAG4	-	询价	8217	Texas Instruments	-	管子	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	32-TSSOP（0.240英寸，6.10毫米宽）	TPIC44H01	非反相	未验证	4.5V～5.5V	32-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	46	独立的	高侧	4	N沟道MOSFET	-	-	-
SC530AULTRT	-	询价	4720	森泰克公司	-	卷带式 (TR)	过时的				SC530		未验证			-		3（168小时）			EAR99	8542.39.0001	3,000
IXDD609SITR	3.2200	询价	2	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IXDD609	非反相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	9A, 9A	22纳秒、15纳秒
UCC27322DRG4	-	询价	1834年	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27322	非反相	未验证	4V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	1.1V、2.7V	9A, 9A	20纳秒, 20纳秒
MIC4427YM	1.4500	询价	7494	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、29纳秒
TC4425EPA	2.7800	询价	8409	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4425	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4425EPA-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	23纳秒、25纳秒
ISL6613EIBZ-T	-	询价	9837	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
MIC4467CWM TR	-	询价	1326	微芯片	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4467	反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.2A、1.2A	14纳秒、13纳秒
ISL89160FBEBZ-T	-	询价	1788	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89160	非反相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.15V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²