SIC
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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 高侧电压 - 顶部(自举) SIC
ISL89167FBEAZ Intersil ISL89167FBEAZ 3.2600
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ECAD 4 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 ISL89167 反相 未验证 4.5V~16V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 98 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.22V、2.08V 6A, 6A 20纳秒, 20纳秒
UC1711L/883B Texas Instruments UC1711L/883B 41.2600
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ECAD 309 0.00000000 Texas Instruments - 大部分 的积极 -55℃~125℃ - - UC1711 非反相 未验证 5V~35V - - 不适用 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1 同步化 半桥 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 40纳秒, 40纳秒
FAN3223CMPX Fairchild Semiconductor 风扇3223CMPX 0.5600
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ECAD 17号 0.00000000 仙童 - 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 风扇3223 反相 未验证 4.5V~18V 8-MLP (3x3) 下载 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET - 5A、5A 12纳秒、9纳秒
UCC27201DG4 Unitrode UCC27201DG4 -
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ECAD 4954 0.00000000 尤尼罗德 - 大部分 的积极 -40°C ~ 140°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) UCC27201 非反相 未验证 8V~17V 8-SOIC 下载 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 3A、3A 8纳秒、7纳秒 120V
MCP14A1202T-E/SNVAO Microchip Technology MCP14A1202T-E/SNVAO -
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ECAD 2965 0.00000000 微芯片 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) MCP14A1202 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,300 同步化 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V - 25纳秒, 25纳秒
2EDN7434BXTSA1 Infineon Technologies 2EDN7434BXTSA1 0.4487
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ECAD 4323 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 2EDN7434 未验证 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000
MAX15492GTA/V+TW ADI/Maxim Integrated MAX15492GTA/V+TW -
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ECAD 7767 0.00000000 ADI/Maxim 集成 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~105℃(TA) 表面贴装 8-WFDFN 裸露焊盘 MAX15492 非反相 未验证 4.2V~5.5V 8-TDFN-EP (2x2) - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 175-MAX15492GTA/V+TWTR EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 2.2A、2.7A 14纳秒、7纳秒 30V
TC4425AVPA Microchip Technology TC4425AVPA 2.5300
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ECAD 149 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TC4425 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 4.5A、4.5A 12纳秒, 12纳秒
FAN7361M Fairchild Semiconductor 风扇7361M -
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ECAD 6650 0.00000000 仙童 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇7361 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 8,100 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 1V、3.6V 250毫安、500毫安 70纳秒、30纳秒 600伏
NCP3418PDR2 onsemi NCP3418PDR2 0.2400
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ECAD 7 0.00000000 onsemi * 大部分 的积极 NCP3418 未验证 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 2,500人
FAN8811TMPX onsemi 风扇8811TMPX 3.2300
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ECAD 3270 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 10-WDFN 裸露焊盘 风扇8811 非反相 未验证 8V~16V 10-MLP (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 1.3V、2.5V 3A、6A 6纳秒、4纳秒 118V
MCP14A0303-E/SN Microchip Technology MCP14A0303-E/SN 0.9450
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ECAD 9114 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) MCP14A0303 反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 独立的 高侧或低侧 2 IGBT 0.8V、2V 3A、3A 12纳秒, 12纳秒
IX4340UETR IXYS Integrated Circuits Division IX4340UETR 1.2800
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ECAD 4 0.00000000 IXYS集成电路事业部 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP(0.118"、3.00mm宽)裸露焊盘 IX4340 非反相 未验证 5V~20V 8-MSOP-EP 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 212-IX4340UETR EAR99 8542.39.0001 5,000 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.5V 5A、5A 7纳秒,7纳秒
MAX4420CSA+ ADI/Maxim Integrated MAX4420CSA+ 4.7700
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ECAD 3312 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 管子 的积极 0℃~70℃(TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) MAX4420 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 -4941-MAX4420CSA+ EAR99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 6A, 6A 25纳秒, 25纳秒
MCP14E3-E/P Microchip Technology MCP14E3-E/P 2.5000
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ECAD 37 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) MCP14E3 反相 未验证 4.5V~18V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 4A, 4A 15纳秒、18纳秒
MCP14A0451-E/MS Microchip Technology MCP14A0451-E/MS 1.4300
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ECAD 978 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) MCP14A0451 反相 未验证 4.5V~18V 8-MSOP 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 4.5A、4.5A 9.5纳秒、9纳秒
UCC27321PE4 Texas Instruments UCC27321PE4 1.0074
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ECAD 4777 0.00000000 Texas Instruments - 管子 的积极 -40℃~105℃(TA) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 反相 4V~15V 8-PDIP - 符合ROHS3标准 296-UCC27321PE4 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 1V、2V 9A, 9A 20纳秒, 20纳秒
MAX1614EUA+T ADI/Maxim Integrated MAX1614EUA+T 5.7100
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ECAD 1 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) MAX1614 非反相 未验证 5V~26V 8-uMAX/uSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 0.6V、2V - -
IR2135JPBF International Rectifier IR2135JPBF 6.6700
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ECAD 1 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 125°C(太焦) 表面贴装 44-LCC(J 引脚),32 引脚 IR2135 反相 10V~20V 44-PLCC,32端口 (16.58x16.58) 下载 EAR99 8542.39.0001 46 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 250毫安、500毫安 90纳秒、40纳秒 600伏 未验证
ISL6612ECB Intersil ISL6612ECB 1.8500
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ECAD 2 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 ISL6612 非反相 未验证 10.8V~13.2V 8-SOIC-EP 下载 不符合RoHS标准 EAR99 8542.39.0001 98 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
SG1644Y Microchip Technology SG1644Y -
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ECAD 2048 0.00000000 微芯片 军事,MIL-STD-883 托盘 的积极 -55°C ~ 125°C(太焦) 通孔 8-CDIP(0.300英寸,7.62毫米) SG1644 非反相 未验证 4.5V~20V 8-CERDIP 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 150-SG1644Y EAR99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.7V、2V 500毫安,500毫安 35纳秒、30纳秒
ISL6605CB Intersil ISL6605CB 0.7100
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ECAD 4 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) ISL6605 非反相 未验证 4.5V~5.5V 8-SOIC 下载 不符合RoHS标准 EAR99 8542.39.0001 98 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2V 2A, 2A 8纳秒,8纳秒 33V
1SD210F2-MBN1200H45E2-H Power Integrations 1SD210F2-MBN1200H45E2-H -
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ECAD 6254 0.00000000 电源集成 - 托盘 过时的 - 安装结构 模块 1SD210F2 - 未验证 - 模块 - 1(无限制) 1810-1SD210F2-MBN1200H45E2-H 过时的 20 单身的 高侧或低侧 1 IGBT - - - 6500伏
EL7154CN Intersil EL7154CN 5.9600
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ECAD 6 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) EL7154 非反相 未验证 4.5V~16V 8-PDIP 下载 不符合RoHS标准 EAR99 8542.39.0001 50 同步化 高侧或低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.6V、2.4V 4A, 4A 4纳秒、4纳秒
EL7104CSZ-T7 Renesas Electronics America Inc EL7104CSZ-T7 6.8900
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ECAD 9352 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) EL7104 非反相 未验证 4.5V~16V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 4A, 4A 7.5纳秒、10纳秒
1SP0335V2M1-5SNA0600G650100 Power Integrations 1SP0335V2M1-5SNA0600G650100 202.2083
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ECAD 第1392章 0.00000000 电源集成 规模™-2 托盘 的积极 -40℃~85℃ 安装结构 模块 1SP0335 - 未验证 23.5V~26.5V 模块 - 1(无限制) 1810-1SP0335V2M1-5SNA0600G650100 EAR99 8473.30.1180 6 单身的 高侧或低侧 1 IGBT - 35A, 35A 9纳秒、30纳秒 6500伏
IR21094PBF International Rectifier IR21094PBF 2.3100
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ECAD 2 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) IR21094 非反相 未验证 10V~20V 14-DIP 下载 EAR99 8542.39.0001 1 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.9V 200毫安、350毫安 150纳秒、50纳秒 600伏
MCP14E4T-E/MF Microchip Technology MCP14E4T-E/MF 2.2050
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ECAD 5330 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MCP14E4 非反相 未验证 4.5V~18V 8-DFN-S (6x5) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 MCP14E4T-E/MFTR EAR99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 4A, 4A 15纳秒、18纳秒
MCP14E7T-E/MF Microchip Technology MCP14E7T-E/MF 2.1600
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ECAD 6232 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MCP14E7 非反相 未验证 4.5V~18V 8-DFN-S (6x5) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 2A, 2A 12纳秒、15纳秒
FAN3224CMX-F085 Fairchild Semiconductor FAN3224CMX-F085 -
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ECAD 2449 0.00000000 仙童 汽车,AEC-Q100 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇3224 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET - 5A、5A 12纳秒、9纳秒
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库