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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
TC1410NCOA	1.6200	RFQ	3335	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1410	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1410NCOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	25n，25n
MIC4429ZM-TR	1.5600	RFQ	2930	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
TC1426CUA713	-	RFQ	4821	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC1426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1426CUA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，3V	1.2a，1.2a	35ns，25n
TC4429EOA713	1.6200	RFQ	6538	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4429EOA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
IR2233JTRPBF	12.2400	RFQ	4125	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2233	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	250mA，500mA	90NS，40NS	1200 v
ISL6613ACBZ	-	RFQ	2974	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TC4427COA713	1.7800	RFQ	1143	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
adp3110akcpz-rl	0.7000	RFQ	120	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	ADP3110	反转，无变形	未行业行业经验证	4.6V〜13.2V	8-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，11n	35 v
IRS21084STRPBF	1.8002	RFQ	5296	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21084	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
MCP14E7-E/SN	2.4200	RFQ	290	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E7	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E7ESN	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	2a，2a	12n，15ns
ISL6614AIB	-	RFQ	6434	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	14-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
U6083B-MY	-	RFQ	4032	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	U6083B	不转变	未行业行业经验证	（25V））	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,800	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	-	-
MIC4127YMME-TR	1.2200	RFQ	3	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	MIC4127	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，18NS
EL7252CSZ-T13	2.5384	RFQ	1154	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7252	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	10n，10n
IRS2003STRPBF	1.6500	RFQ	6326	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2003	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	200 v
Fan5009m	0.3400	RFQ	4	Fairchild半导体	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan5009	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜13.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	-	40NS，20NS	15 v
FAN7085MX-GF085	3.0900	RFQ	7307	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7085	反转	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	-	450mA，450mA	65ns，25ns	300 v
TC4424AVOA	2.2300	RFQ	9699	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	12n，12ns
TC4423EPA	2.7800	RFQ	8584	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4423EPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
Max5077Aud	-	RFQ	2933	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	Max5077	RC输入电路	未行业行业经验证	4.5V〜15V	14-TSSOP-EP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	10n，10n
UCC27324DGNR	1.2600	RFQ	4659	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC27324	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
IRS44262SPBF	-	RFQ	2614	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS44262	反转	未行业行业经验证	11.2v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP001547124	Ear99	8542.39.0001	3,800	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	2.3a，3.3a	25n，25n
MIC4101BM-TR	-	RFQ	5111	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4101	不转变	未行业行业经验证	9V〜16V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	400NS，400NS	118 v
DGD1504S8-13	1.2900	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DGD1504	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	250 v
max15019basa+	6.0700	RFQ	140	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max15019	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX15019BASA+	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	50n，40n	125 v
IXDN502D1	-	RFQ	2602	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	IXDN502	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V	6-DFN （4x5）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	7.5NS，6.5NS
UCC37324P	1.6000	RFQ	480	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UCC37324	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
LTC1154HS8 ＃PBF	7.4700	RFQ	402	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC1154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
NCP81145MNTBG	0.6700	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	NCP81145	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-DFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.6V，3.3V	-	16ns，11ns	35 v
ISL6614CRZR5238	2.5100	RFQ	1	Intersil	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	-	不适用				Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²