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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | SIC | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 通道类型 | 驱动配置 | 司机X | 闸门类型 | 逻辑电压 - VIL、VIH | 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) | 上升/下降T(典型值) | 高侧电压 - 顶部(自举) | SIC |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ISL89167FBEAZ | 3.2600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | ISL89167 | 反相 | 未验证 | 4.5V~16V | 8-SOIC-EP | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 98 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 1.22V、2.08V | 6A, 6A | 20纳秒, 20纳秒 | ||||||
![]() | UC1711L/883B | 41.2600 | ![]() | 309 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 大部分 | 的积极 | -55℃~125℃ | - | - | UC1711 | 非反相 | 未验证 | 5V~35V | - | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 1.5A、1.5A | 40纳秒, 40纳秒 | ||||
![]() | 风扇3223CMPX | 0.5600 | ![]() | 17号 | 0.00000000 | 仙童 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | 风扇3223 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-MLP (3x3) | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | - | 5A、5A | 12纳秒、9纳秒 | |||||||
![]() | UCC27201DG4 | - | ![]() | 4954 | 0.00000000 | 尤尼罗德 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 140°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | UCC27201 | 非反相 | 未验证 | 8V~17V | 8-SOIC | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 3A、3A | 8纳秒、7纳秒 | 120V | ||||||
![]() | MCP14A1202T-E/SNVAO | - | ![]() | 2965 | 0.00000000 | 微芯片 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | MCP14A1202 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 同步化 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2V | - | 25纳秒, 25纳秒 | ||||||
![]() | 2EDN7434BXTSA1 | 0.4487 | ![]() | 4323 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 2EDN7434 | 未验证 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | ||||||||||||||||||
![]() | MAX15492GTA/V+TW | - | ![]() | 7767 | 0.00000000 | ADI/Maxim 集成 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 8-WFDFN 裸露焊盘 | MAX15492 | 非反相 | 未验证 | 4.2V~5.5V | 8-TDFN-EP (2x2) | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 175-MAX15492GTA/V+TWTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 2.2A、2.7A | 14纳秒、7纳秒 | 30V | ||
TC4425AVPA | 2.5300 | ![]() | 149 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TC4425 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-PDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 4.5A、4.5A | 12纳秒, 12纳秒 | |||||
![]() | 风扇7361M | - | ![]() | 6650 | 0.00000000 | 仙童 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇7361 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 8,100 | 单身的 | 高侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 1V、3.6V | 250毫安、500毫安 | 70纳秒、30纳秒 | 600伏 | |||||
![]() | NCP3418PDR2 | 0.2400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | NCP3418 | 未验证 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | |||||||||||||||||
![]() | 风扇8811TMPX | 3.2300 | ![]() | 3270 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 10-WDFN 裸露焊盘 | 风扇8811 | 非反相 | 未验证 | 8V~16V | 10-MLP (4x4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 1.3V、2.5V | 3A、6A | 6纳秒、4纳秒 | 118V | |||
![]() | MCP14A0303-E/SN | 0.9450 | ![]() | 9114 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | MCP14A0303 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 高侧或低侧 | 2 | IGBT | 0.8V、2V | 3A、3A | 12纳秒, 12纳秒 | ||||
![]() | IX4340UETR | 1.2800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | IXYS集成电路事业部 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118"、3.00mm宽)裸露焊盘 | IX4340 | 非反相 | 未验证 | 5V~20V | 8-MSOP-EP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | 212-IX4340UETR | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 5A、5A | 7纳秒,7纳秒 | |||
MAX4420CSA+ | 4.7700 | ![]() | 3312 | 0.00000000 | ADI/Maxim 集成 | - | 管子 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | MAX4420 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | -4941-MAX4420CSA+ | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 6A, 6A | 25纳秒, 25纳秒 | ||||
MCP14E3-E/P | 2.5000 | ![]() | 37 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | MCP14E3 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-PDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 4A, 4A | 15纳秒、18纳秒 | |||||
![]() | MCP14A0451-E/MS | 1.4300 | ![]() | 978 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | MCP14A0451 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-MSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2V | 4.5A、4.5A | 9.5纳秒、9纳秒 | ||||
![]() | UCC27321PE4 | 1.0074 | ![]() | 4777 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 反相 | 4V~15V | 8-PDIP | - | 符合ROHS3标准 | 296-UCC27321PE4 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 1V、2V | 9A, 9A | 20纳秒, 20纳秒 | |||||||
![]() | MAX1614EUA+T | 5.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ADI/Maxim 集成 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | MAX1614 | 非反相 | 未验证 | 5V~26V | 8-uMAX/uSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道MOSFET | 0.6V、2V | - | - | ||||
![]() | IR2135JPBF | 6.6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | 125°C(太焦) | 表面贴装 | 44-LCC(J 引脚),32 引脚 | IR2135 | 反相 | 10V~20V | 44-PLCC,32端口 (16.58x16.58) | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 土耳其 | 半桥 | 6 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 250毫安、500毫安 | 90纳秒、40纳秒 | 600伏 | 未验证 | ||||||
![]() | ISL6612ECB | 1.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | 0°C ~ 125°C (太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | ISL6612 | 非反相 | 未验证 | 10.8V~13.2V | 8-SOIC-EP | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 1.25A、2A | 26纳秒、18纳秒 | 36V | |||||
![]() | SG1644Y | - | ![]() | 2048 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-STD-883 | 托盘 | 的积极 | -55°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 8-CDIP(0.300英寸,7.62毫米) | SG1644 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~20V | 8-CERDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-SG1644Y | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.7V、2V | 500毫安,500毫安 | 35纳秒、30纳秒 | ||||
![]() | ISL6605CB | 0.7100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | 0°C ~ 125°C (太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | ISL6605 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 8-SOIC | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 1V、2V | 2A, 2A | 8纳秒,8纳秒 | 33V | |||||
![]() | 1SD210F2-MBN1200H45E2-H | - | ![]() | 6254 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 托盘 | 过时的 | - | 安装结构 | 模块 | 1SD210F2 | - | 未验证 | - | 模块 | - | 1(无限制) | 1810-1SD210F2-MBN1200H45E2-H | 过时的 | 20 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | IGBT | - | - | - | 6500伏 | |||||
![]() | EL7154CN | 5.9600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | EL7154 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~16V | 8-PDIP | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步化 | 高侧或低侧 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.6V、2.4V | 4A, 4A | 4纳秒、4纳秒 | ||||||
![]() | EL7104CSZ-T7 | 6.8900 | ![]() | 9352 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | EL7104 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~16V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 4A, 4A | 7.5纳秒、10纳秒 | ||||
![]() | 1SP0335V2M1-5SNA0600G650100 | 202.2083 | ![]() | 第1392章 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-2 | 托盘 | 的积极 | -40℃~85℃ | 安装结构 | 模块 | 1SP0335 | - | 未验证 | 23.5V~26.5V | 模块 | - | 1(无限制) | 1810-1SP0335V2M1-5SNA0600G650100 | EAR99 | 8473.30.1180 | 6 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | IGBT | - | 35A, 35A | 9纳秒、30纳秒 | 6500伏 | ||||
![]() | IR21094PBF | 2.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | IR21094 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 14-DIP | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步化 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.9V | 200毫安、350毫安 | 150纳秒、50纳秒 | 600伏 | ||||||
![]() | MCP14E4T-E/MF | 2.2050 | ![]() | 5330 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | MCP14E4 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-DFN-S (6x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | MCP14E4T-E/MFTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 4A, 4A | 15纳秒、18纳秒 | |||
![]() | MCP14E7T-E/MF | 2.1600 | ![]() | 6232 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | MCP14E7 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-DFN-S (6x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 2A, 2A | 12纳秒、15纳秒 | ||||
![]() | FAN3224CMX-F085 | - | ![]() | 2449 | 0.00000000 | 仙童 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇3224 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | - | 5A、5A | 12纳秒、9纳秒 |
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