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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
IVCR1407SR	1.5700	RFQ	14	发明	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SC-74A，SOT-753	IVCR1407	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜20V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	-	4a，4a	6ns，6ns
MIC5014BM	-	RFQ	4679	微芯片技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC5014	不转变	未行业行业经验证	2.75V〜30V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
ISL6594DCBZ-T	-	RFQ	4905	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6594	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
FAN3229CMX-F085	1.3537	RFQ	9064	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3229	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	12ns，9ns
IXDN409SIA	-	RFQ	3269	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDN409	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	9a，9a	10n，10n
MCP1406T-E/SN	1.3700	RFQ	6	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP1406	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	6a，6a	20N，20N
LM5100BSDX	-	RFQ	9183	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	2a，2a	570NS，430NS	118 v
LM5111-4M/NOPB	1.9680	RFQ	6738	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5111	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
MCP14A0454T-E/MS	1.5500	RFQ	9784	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MCP14A0454	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT	0.8V，2V	4.5a，4.5a	12n，12ns
MCP14A0303-E/MNY	1.2200	RFQ	430	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-WFDFN暴露垫	MCP14A0303	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	150	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	12n，12ns
UCC27323P	1.2600	RFQ	9729	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UCC27323	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
FAN3225TMPX	1.9300	RFQ	421	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	FAN3225	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-mlp （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	5a，5a	12ns，9ns
MCP1405T-E/SO	2.5350	RFQ	1740年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MCP1405	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	15NS，18NS
PX3511BDAG-R3	-	RFQ	5885	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PX3511	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
LTC4441ES8-1＃PBF	5.8400	RFQ	5	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC4441	不转变	未行业行业经验证	5v〜25V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-2735-LTC4441ES8-1＃PBF	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1.8V，2V	6a，6a	13ns，8ns
MCP14A0451-E/MS	1.4300	RFQ	978	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MCP14A0451	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	4.5a，4.5a	9.5NS，9NS
MIC4425亿	-	RFQ	2622	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4425	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
LM5109MAX/NOPB	0.9105	RFQ	9551	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	118 v
2SB315A-CM800DZ-34H	-	RFQ	7201	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-	底盘安装	模块	2SB315	-	未行业行业经验证	0v〜16V	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	2	单身的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	-	-
RT7028BGN	-	RFQ	4956	Richtek USA Inc.	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	RT7028	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8点	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	300mA，600mA	70ns，35ns	600 v
IR7304SPBF	-	RFQ	9225	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR7304	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP001548270	Ear99	8542.39.0001	3,800	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.3V	60mA，130mA	200NS，100NS	700 v
ZL1505ALNFT1	-	RFQ	8878	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ZL1505	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜7.5V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.7V，3.4V	3.2a，3.2a	5.3NS，4.8NS	30 V
ISL662222IRZ-TS2705	-	RFQ	2864	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的				ISL6622		未行业行业经验证			下载				20-isl662222irz-TS2705	过时的	0000.00.0000	1
TC4425CPA	3.4100	RFQ	207	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4425	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4425CPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
MIC4427YMM	1.4500	RFQ	9081	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MIC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
HIP6603BCBZ-T	-	RFQ	9063	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP6603	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	20N，20N	15 v
UC3710DW	8.9504	RFQ	9608	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UC3710	反转，无变形	未行业行业经验证	4.7V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	40	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	6a，6a	85ns，85ns
Max15054Aut+t	2.9200	RFQ	5341	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	Max15054	不转变	未行业行业经验证	4.6V〜5.5V	SOT-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.8V，3.9V	2.5a，2.5a	18NS，16NS	65 v
IXDF502PI	-	RFQ	8595	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXDF502	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8点	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	7.5NS，6.5NS
IR2155pbf	1.0200	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2155	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜20V	8点	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	250mA，500mA	80ns，45ns	600 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²