感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）	SIC
ISL89168FBEAZ	3.2600	询价	2	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89168	反相、同相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
TSC427MJA/883B	-	询价	6950	ADI/Maxim 集成	军事，MIL-STD-883	管子	过时的	-55℃～125℃（TA）	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	TSC427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-CERDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
DGD2104AS8-13	-	询价	8264	分散公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	DGD2104	非反相	未验证	10V～20V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	210毫安、360毫安	100纳秒、50纳秒	600伏
MAX5075AAUA	-	询价	第1763章	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	MAX5075	RC输入电路	未验证	4.5V～15V	8-uMAX-EP\|8-uSOP-EP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	低侧	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	10纳秒，10纳秒
MAX4428ESA	-	询价	2403	ADI/Maxim 集成	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒, 20纳秒
2EDF9275FXUMA1	3.4000	询价	7	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2EDF9275	非反相	未验证	20V	PG-DSO-16-11	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、碳化硅MOSFET	-，1.65V	4A、8A	6.5纳秒、4.5纳秒	650伏
LM25101ASD-1/NOPB	4.2000年	询价	1	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	LM25101	非反相	未验证	9V~14V	8-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	3A、3A	430纳秒、260纳秒	100伏
ISL6614ACB-T	-	询价	4157	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	14-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
MIC4468ZN	5.3200	询价	8253	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4468	非反相	未验证	4.5V~18V	14-DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.2A、1.2A	14纳秒、13纳秒
2ASC-12A2HP	130.0200	询价	13	微芯片	-	大部分	的积极	-40℃～85℃	通孔	30-DIP模块	2ASC-12	非反相	未验证	14V~16V	-	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	150-2ASC-12A2HP	EAR99	8543.70.9860	1	同步化	半桥	2	IGBT、碳化硅MOSFET	1.25V、3.5V	10A、10A	80纳秒、90纳秒
ISL6613EIB-T	-	询价	9901	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
风扇7083CMX	1.1200	询价	3	仙童	汽车，AEC-Q100	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7083	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	8V、12.6V	200毫安、400毫安	200纳秒、25纳秒	600伏
MAX20307EWL+T	-	询价	7833	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的				MAX20307		未验证			下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1,000
2DUC51008CXE1	77.8500	询价	113	田村	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	安装结构	模块	2DUC51008	非反相	未验证	13V~28V	模块	-	符合RoHS标准	不适用		132-2DUC51008CXE1	EAR99	8542.39.0001	30	同步化	半桥	2	IGBT	-	-	-	1200伏
LM5110-1MX/NOPB	2.4200	询价	2	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5110	非反相	未验证	3.5V～14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、5A	14纳秒、12纳秒
IR2113SPBF	2.5400	询价	1	国际校正器公司	*	大部分	的积极									下载					EAR99	8542.39.0001	119									未验证
风扇7888M	-	询价	7446	仙童	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	20-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	风扇7888	非反相	未验证	10V～20V	20-SOIC	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	36	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	1V、2.5V	350毫安、650毫安	50纳秒、30纳秒	200V
MAX4420CPA+	4.0300	询价	52	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MAX4420	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX4420CPA+	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
1SD418F2-CM800HB-66H	-	询价	2757	电源集成	规模™-1	盒子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	安装结构	模块	1SD418F2	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	-	100纳秒，100纳秒
MPQ1924HS-LF-P	1.7664	询价	5111	单片电力系统公司	汽车、AEC-Q100、MPQ	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		非反相		9V~16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	1589-MPQ1924HS-LF-PTR			500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	4A、5.9A	15纳秒、9纳秒	115V
FAN7081M-GF085	-	询价	8417	onsemi	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7081	反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	9,500	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	-	250毫安、500毫安	15纳秒、10纳秒	600伏
EL7156CNZ	-	询价	1519	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	EL7156	非反相	未验证	4.5V～16.5V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	50	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	0.8V、2.4V	3.5A、3.5A	14.5纳秒、15纳秒
EL7412CM	-	询价	9305	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	20-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	EL7412	反相	未验证	4.5V～15V	20-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	38	独立的	半桥	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	7.5纳秒、10纳秒
ISL6614CB-T	-	询价	5941	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	14-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
LM5101ASDX/NOPB	-	询价	9189	国家安全委员会	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5101	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载						0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	3A、3A	430纳秒、260纳秒	118V
2EDF7235KXUMA1	3.6300	询价	12	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	13-TFLGA	2EDF7235	非反相	未验证	20V	PG-TFLGA-13-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	独立的	半桥	2	N沟道、P沟道MOSFET	-，1.65V	4A、8A	6.5纳秒、4.5纳秒
LM27222M	2.4000	询价	380	国家安全委员会	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM27222	非反相	未验证	4V～6.85V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	3A、4.5A	17纳秒、12纳秒	33V
ADP3413JR	-	询价	2850	模拟器件公司	ADP3413	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3413	非反相	未验证	4.15V～7.5V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	-	27纳秒、19纳秒	30V
1SD418F2-FX800R33KF2	-	询价	5901	电源集成	规模™-1	盒子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	安装结构	模块	1SD418F2	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	18A, 18A	100纳秒，100纳秒
LT1162CN	-	询价	4097	模拟器件公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	通孔	24-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	LT1162	非反相	未验证	10V~15V	24-PDIP	下载		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	15	独立的	半桥	4	N沟道MOSFET	0.8V、2V	1.5A、1.5A	130纳秒、60纳秒	60V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²