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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MAX4427CPA+	6.7800	RFQ	16	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Max4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX4427CPA+	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，20N
TC4422VPA	4.6000	RFQ	5607	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4422VPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	60n，60n
UCC37325DR	0.4500	RFQ	5290	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC37325	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
HIP6601BECB	-	RFQ	1599年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP6601	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	-	20N，20N	15 v
IR2108STR	-	RFQ	9098	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2108	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
IXDN609YI	3.8300	RFQ	9	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA	IXDN609	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	TO-263-5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	9a，9a	22ns，15ns
TC1412COA	1.3700	RFQ	4531	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1412	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1412COA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	18N，18NS
SM74101SD/NOPB	1.7900	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SM74101	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	6-wson（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.3V	3a，7a	14ns，12ns
max5063dasa+	11.2600	RFQ	41	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5063	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX5063DASA+	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	2a，2a	65ns，65ns	125 v
FAN7380MX-OP	1.1500	RFQ	9231	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7380	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	90mA，180mA	230ns，90ns	600 v
LTC4447IDD ＃PBF	-	RFQ	7552	模拟设备公司	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	12-WFDFN暴露垫	LTC4447	不转变	未行业行业经验证	4V〜6.5V	12-DFN （3x3）	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	121	同步	半桥	2	n通道MOSFET	2.5V，3V	3.2a，3.2a	8NS，7NS	42 v
UCC27511DBVR	1.1800	RFQ	22	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	UCC27511	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.4V	4a，8a	8NS，7NS
FAN3227TMX-F085	2.8800	RFQ	4338	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3227	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	12ns，9ns
EL7154CSZ-T7	-	RFQ	7901	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.6V，2.4V	4a，4a	4NS，4NS
U6083B-MY	-	RFQ	4032	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	U6083B	不转变	未行业行业经验证	（25V））	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,800	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	-	-
TC4429EOA713	1.6200	RFQ	6538	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4429EOA713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
IR2137J	-	RFQ	6898	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	68-Plcc	IR2137	反转	未行业行业经验证	12.5v〜20V	68-PLCC （24.23x24.23）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	19	3相	半桥	3	IGBT	-	-	115ns，25ns	600 v
Fan7362m	-	RFQ	8316	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7362	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	8,100	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	250mA，500mA	70NS，30NS	600 v
TC4427EUA	2.0000	RFQ	6764	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	TC4427EUA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
MCP14A0305-E/MNY	0.9750	RFQ	4481	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-WFDFN暴露垫	MCP14A0305	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	150	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	12n，12ns
LM25101ASD-1/NOPB	4.2000	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	LM25101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	100 v
MIC4102BM-TR	-	RFQ	4484	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4102	不转变	未行业行业经验证	9V〜16V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，3a	330NS，200NS	118 v
MIC4427YMM	1.4500	RFQ	9081	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MIC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
PX3511BDAG-R3	-	RFQ	5885	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PX3511	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
EMB1412MY/NOPB	5.0600	RFQ	378	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-POWERTSOP，8-MSOP （0.118英寸，3.00mm宽度）	EMB1412	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.3V	3a，7a	14ns，12ns
1SP0340V2M0-45	231.4000	RFQ	6	电源集成	Scale™-2	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	1SP0340	-	未行业行业经验证	23.5v〜26.5V	模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	6	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	-	35a，35a	10n，25ns	4500 v
IR1175S	-	RFQ	9044	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	20ssop （0.209英寸，5.30mm宽度）	IR1175	不转变	未行业行业经验证	4v〜5.5V	20ssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	67	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	20N，20N
FAN73611M	-	RFQ	7408	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan73611	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	90	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	250mA，500mA	70NS，30NS	600 v
ISL6613AEIBZ-T	3.8500	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TC4428AMJA	34.0800	RFQ	5495	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4428AMJA-NDR	Ear99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²