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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
ATA6821-TUS	-	RFQ	8284	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ATA6821	不转变	未行业行业经验证	16V〜30V	14-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	4a，4a	12n，12ns
TC426EOA	1.9000	RFQ	9324	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC426EOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
FAN5009MX	-	RFQ	9840	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan5009	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜13.5V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	-	40NS，20NS	15 v
IR4428	-	RFQ	2788	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR4428	反转，无变形	未行业行业经验证	6v〜20V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR4428	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	2.3a，3.3a	15ns，10ns
TC1426COA	1.4900	RFQ	8443	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，3V	1.2a，1.2a	35ns，25n
UCC27211AQDDARQ1	2.3100	RFQ	7910	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	UCC27211	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.2V，2.55V	4a，4a	7.2NS，5.5NS	120 v
HIP2100EIBZ	4.5800	RFQ	9537	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP2100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	-HIP2100EIBZ	Ear99	8542.39.0001	98	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	4V，7V	2a，2a	10n，10n	114 v
auirs2191str	3.7000	RFQ	3868	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	Auirs2191	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	3.5a，3.5a	15ns，15ns	600 v
TPIC44L01DBRG4	-	RFQ	1495	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24SSOP （0.209“，5.30mm宽度）	TPIC44L01	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	24 SSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	-	1.2mA，1.2mA	3.5µs，3µs
MIC4423ZWM-TR	2.1800	RFQ	2411	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
LM5107SDX	-	RFQ	1110	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	LM5107	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.3a，1.4a	15ns，15ns	118 v
NCP5109BDR2G	1.2400	RFQ	3	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCP5109	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.3V	250mA，500mA	85ns，35ns	200 v
FAN3224TMX-F085	2.8800	RFQ	6250	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3224	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	5a，5a	12ns，9ns
ISL6613BECBZ-T	-	RFQ	6490	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
ix4r11m6t/r	-	RFQ	7060	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-vdfn暴露垫	IX4R11	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-MLP（7x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，7V	4a，4a	23ns，22ns	650 v
IR21363JPBF	-	RFQ	1306	Infineon技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR21363	反转	未行业行业经验证	12v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,134	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
TPS2829QDBVRQ1	1.5225	RFQ	6316	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	TPS2829	不转变	未行业行业经验证	4V〜14V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	2a，2a	14ns，14ns	34 v
IR2181S	-	RFQ	3876	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2181	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2181S	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
HT0440K6-G	2.4600	RFQ	8372	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	HT0440	不转变	未行业行业经验证	3.15V〜5.5V	10-DFN （3x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	高方向	2	n通道MOSFET	0.5V，3.15V	-	650µs，3ms（3ms）	400 v
ISL6605CBZR5168	-	RFQ	8769	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6605	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
UCC27200DRG4	-	RFQ	3210	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27200	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3V，8V	3a，3a	8NS，7NS	120 v
NCP5359AMNTBG	-	RFQ	2375	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	NCP5359	不转变	未行业行业经验证	10v〜13.2V	8-DFN（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	-	16ns，15ns	30 V
TC4426VMF713	0.9600	RFQ	5128	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426VMF713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
FAN7080CM_F085	-	RFQ	1044	Onmi	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7080	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜20V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	9,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	300mA，600mA	40ns，25ns	600 v
HIP2100IR	-	RFQ	1060	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	HIP2100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	16 QFN（5x5）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	4V，7V	2a，2a	10n，10n	114 v
LTC444444IMS8E ＃PBF	6.1800	RFQ	1976年	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4444	不转变	未行业行业经验证	7.2v〜13.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-2735-LTC444444IMS8E ＃PBF	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.85V，3.25V	2.5a，3a	8NS，5NS	114 v
MIC4469YWM-TR	5.0800	RFQ	5198	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4469	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns
MIC4420BM-TR	-	RFQ	9854	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
IX4424MTR	-	RFQ	6886	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）			IX4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，3V	3a，3a	18N，18NS
ISL6614CRZ-TR5238	-	RFQ	6176	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²