感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
ISL6612CR-T	-	询价	2934	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
ADP3654ARDZ-RL	2.8500	询价	4	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ADP3654	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	4A, 4A	10纳秒，10纳秒
TC4428MJA	-	询价	7672	微芯片	-	管子	过时的	-55℃～125℃（TA）	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-CERDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4428MJA-NDR	EAR99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
TC428COA	1.9000	询价	186	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	30纳秒、30纳秒
MIC4422BM	-	询价	8079	微芯片	-	管子	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4422	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
MCP14E5T-E/SN	2.0100	询价	6227	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14E5	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	MCP14E5T-E/SNTR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4A, 4A	15纳秒、18纳秒
AUIRS4427S	-	询价	3368	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRS4427	非反相	未验证	6V～20V	8-SOIC	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001513318	EAR99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.5V	2.3A、3.3A	25纳秒, 25纳秒
ISL6612AECBZ	-	询价	7278	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	980	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
MCP14E3T-E/SL	-	询价	7212	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14E3	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,600		低侧	2
L6387ED	1.6600	询价	9523	意法半导体	-	管子	的积极	-45°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6387	反相	未验证	17V（最大）	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.5V、3.6V	400毫安、650毫安	50纳秒、30纳秒	600伏
L6743BTR	-	询价	2670	意法半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	L6743	非反相	未验证	5V~12V	8-VFDFPN (3x3)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A，-	-	41V
UCC27423DGN	-	询价	6002	尤尼罗德	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	UCC27423	反相	未验证	4V～15V	8-MSOP-PowerPad	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
ISL89162FBEAZ-T	-	询价	8383	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89162	反相、同相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
IRS2184SPBF	2.8000	询价	1	英飞凌科技	-	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2184	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	1.9A、2.3A	40纳秒、20纳秒	600伏
ISL6594DCRZ	-	询价	2411	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6594	非反相	未验证	6.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
IR21064	-	询价	第1384章	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR21064	非反相	未验证	10V～20V	14-DIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IR21064	EAR99	8542.39.0001	25	独立的	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.9V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
VLA552-01R	-	询价	7534	动力克斯公司	-	大部分	的积极	-25°C ~ 70°C (TA)	通孔	30-SIP模块，21接口	VLA552	反相、同相	未验证	14.2V～15.8V	模块	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		835-1186	EAR99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	IGBT	-	-	600纳秒、300纳秒
UCC27210DPRR	0.9945	询价	6284	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	UCC27210	非反相	未验证	8V~17V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.4V、5.8V	4A, 4A	7.2纳秒、5.5纳秒	120V
IR2101SPBF	2.7700	询价	2	英飞凌科技	-	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2101	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	210毫安、360毫安	100纳秒、50纳秒	600伏
风扇7389MX1	3.4500	询价	3226	onsemi	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	风扇7389	非反相	未验证	10V～20V	28-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	350毫安、650毫安	50纳秒、30纳秒	600伏
IX4425N	-	询价	2538	IXYS集成电路事业部	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IX4425	反相、同相	未验证	4.5V～30V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	CLA398	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	3A、3A	18纳秒, 18纳秒
MIC4422YM-TR	2.6100	询价	4633	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4422	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
AUIRS2110S	-	询价	7350	国际校正器公司	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	AUIRS2110	非反相	未验证	3V～20V	16-SOIC	-	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	2.5A、2.5A	25纳秒、15纳秒	500V
TPIC44L01DBRG4	-	询价	1495	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	24-SSOP（0.209英寸，5.30毫米宽）	TPIC44L01	非反相	未验证	4.5V～5.5V	24-SSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	-	1.2毫安、1.2毫安	3.5μs、3μs
ADP3419JRMZ-卷盘	-	询价	8428	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	ADP3419	非反相	未验证	4.6V～6V	10-MSOP	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	14纳秒、11纳秒	30V
MAX1614EUA-T	-	询价	7301	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	MAX1614	非反相	未验证	5V~26V	8-uMAX/uSOP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	0.6V、2V	-	-
HIP2100IR4T	-	询价	8603	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	12-VFDFN 裸露焊盘	HIP2100	非反相	未验证	9V~14V	12-DFN (4x4)	下载	不符合RoHS标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	4V、7V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
LTC4444IMS8E#WPBF	-	询价	5770	模拟器件公司	汽车，AEC-Q100	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4444	非反相	未验证	7.2V～13.5V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.25V	2.5A、3A	8纳秒、5纳秒	114V
MIC4452YM-TR	2.9500	询价	3155	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4452	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	12A, 12A	20纳秒、24纳秒
UCC27425DR	1.5500	询价	3	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27425	反相、同相	未验证	4V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²