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感应驱动器(7161)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 高侧电压 - 顶部（自举）
2EDN7434RXTMA1 Infineon Technologies 2EDN7434RXTMA1 1.3300
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 ECAD 5055 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽） 2EDN7434 非反相 未验证 4.5V～20V PG-TSSOP-8 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 5,000 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 5A、5A
UCC27511ADBVR Texas Instruments UCC27511ADBVR 1.2700
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 ECAD 第1531章 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 140°C (TJ) 表面贴装 SOT-23-6 UCC27511 反相、同相 未验证 4.5V~18V SOT-23-6 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 1V、2.4V 4A、8A 8纳秒、7纳秒
HIP2100IR Renesas Electronics America Inc HIP2100IR -
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 ECAD 1060 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 16-VQFN 裸露焊盘 HIP2100 非反相 未验证 9V~14V 16-QFN (5x5) 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 60 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 4V、7V 2A, 2A 10纳秒，10纳秒 114V
LT8672IMS#PBF ADI LT8672IMS#PBF 6.5600
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 ECAD 850 0.00000000 模拟器件公司 - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽） LT8672 非反相 未验证 3V～42V 10-MSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET - - -
MIC4225YMME Microchip Technology MIC4225YMME 2.8900
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 ECAD 第326章 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘 麦克风4225 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-MSOP-EP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.4V 4A, 4A 15纳秒，15纳秒
MP1909GTL-P Monolithic Power Systems Inc. MP1909GTL-P 1.5600
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 ECAD 第492章 0.00000000 单片电力系统公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 SOT-583 MP1909 非反相 未验证 4.5V～12V SOT-583 - 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 1589-MP1909GTL-PTR EAR99 8542.39.0001 500 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 2A、4A 10纳秒、6纳秒 50V
2ED020I12FIXUMA1 Infineon Technologies 2ED020I12FIXUMA1 5.4700
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 ECAD 11 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） 2ED020 反相 未验证 14V~18V PG-DSO-18-2 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2V 1A、2A 20纳秒, 20纳秒 1200伏
IR2011PBF Infineon Technologies IR2011PBF 4.8600
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 ECAD 5 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IR2011 反相 未验证 10V～20V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 独立的 高侧或低侧 2 N沟道MOSFET 0.7V、2.2V 1A、1A 35纳秒、20纳秒 200V
TPS2818MDBVREPG4 Texas Instruments TPS2818MDBVREPG4 -
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 ECAD 4373 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) SIC停产 -55℃～125℃（TA） 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TPS2818 反相 未验证 4V~14V SOT-23-5 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET 1V、4V 2A, 2A 14纳秒, 14纳秒
ISL6614CBZ-TR5214 Renesas Electronics America Inc ISL6614CBZ-TR5214 -
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 ECAD 8930 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） ISL6614 非反相 未验证 10.8V～13.2V 14-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 4 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
NCP5109BMNTWG onsemi NCP5109BMNTWG -
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 ECAD 9746 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 10-VFDFN 裸露焊盘 NCP5109 非反相 未验证 10V～20V 10-DFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.3V 250毫安、500毫安 85纳秒、35纳秒 200V
MAX4420CSA+T ADI/Maxim Integrated MAX4420CSA+T 2.8050
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 ECAD 7179 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） MAX4420 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 6A, 6A 25纳秒, 25纳秒
IX2A11S1T/R IXYS IX2A11S1T/R -
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 ECAD 4902 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 - 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IX2A11 - 未验证 - 8-SOIC - 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 - - - - - -
IX2204NETR IXYS Integrated Circuits Division IX2204NETR -
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 ECAD 7124 0.00000000 IXYS集成电路事业部 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IX2204 非反相 未验证 -10V～25V 16-SOIC - 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,000 独立的 低侧 2 IGBT 0.8V、2V 2A、4A -，8纳秒
L6498LDTR STMicroelectronics L6498LDTR 2.7800
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 ECAD 2166 0.00000000 意法半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） L6498 CMOS/TTL 未验证 10V～20V 14-SO 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 高侧或低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 1.45V、2V 2A、2.5A 25纳秒, 25纳秒 500V
IXDN430MYI IXYS IXDN430MYI -
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 ECAD 8710 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 TO-263-6、D²Pak（5引脚+接片）、TO-263BA IXDN430 非反相 未验证 8.5V～35V TO-263-5 下载 1（无限制） REACH 不出行 Q1952551 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 30A、30A 18纳秒、16纳秒
ISL6614CB Renesas Electronics America Inc ISL6614CB -
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 ECAD 4709 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） ISL6614 非反相 未验证 10.8V～13.2V 14-SOIC 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 同步化 半桥 4 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
MAX4426EPA+ ADI/Maxim Integrated MAX4426EPA+ -
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 ECAD 8475 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 反相 4.5V~18V 8-PDIP - EAR99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.5A、1.5A 20纳秒, 20纳秒
TC4424AVOA713 Microchip Technology TC4424AVOA713 2.2300
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 ECAD 6389 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） TC4424 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 4.5A、4.5A 12纳秒, 12纳秒
IXK611S1 IXYS IXK611S1 -
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 ECAD 3966 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 - 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXK611 - 未验证 - 8-SOIC - 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 第470章 - - - - - -
1SP0340V2M0-MG900GXH1US53 Power Integrations 1SP0340V2M0-MG900GXH1US53 202.2083
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 ECAD 5051 0.00000000 电源集成 * 大部分 的积极 1SP0340 未验证 下载 0000.00.0000 6
NCP81085MTTXG onsemi NCP81085MTTXG 1.2164
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 ECAD 2677 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 140°C (TJ) 表面贴装 9-WDFN 裸露焊盘 NCP81085 非反相 未验证 8.5V～20V 9-WDFN (4x5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 488-NCP81085MTTXGTR EAR99 8542.39.0001 4,000 单身的 高侧和低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.7V 4A, 4A 8纳秒、7纳秒 200V
ADP3419JRMZ-REEL-AD ADI ADP3419JRMZ-卷盘-AD -
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 ECAD 1996年 0.00000000 模拟器件公司 * 大部分 的积极 ADP3419 未验证 - 符合ROHS3标准 1（无限制） 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 2,500人
DHP0070N10N5AUMA1 Infineon Technologies DHP0070N10N5AUMA1 3.1859
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 ECAD 3797 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 DHP0070 未验证 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 4,000
IR44273LTRPBF Infineon Technologies IR44273LTRPBF -
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 ECAD 8346 0.00000000 英飞凌科技 µHVIC™ 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 IR44273 非反相 未验证 5V～20V PG-SOT23-5 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.6V、2.7V 1.5A、1.5A 10纳秒，10纳秒
ISL6608IBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6608IBZ-T -
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 ECAD 1197 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） ISL6608 非反相 未验证 4.5V～5.5V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 2A, 2A 8纳秒，8纳秒 22V
ISL6613IRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6613IRZ-T -
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 ECAD 2338 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 10-VFDFN 裸露焊盘 ISL6613 非反相 未验证 10.8V～13.2V 10-DFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
FAD7191M1X onsemi FAD7191M1X 4.1000
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 ECAD 2635 0.00000000 onsemi 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） FAD7191 非反相 未验证 10V~22V 14-SOP 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 高侧或低侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 1.2V、2.5V 4.5A、4.5A 25纳秒, 25纳秒 600伏
IXDN630MYI IXYS Integrated Circuits Division IXDN630MYI 9.7600
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 ECAD 325 0.00000000 IXYS集成电路事业部 - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 TO-263-6、D²Pak（5引脚+接片）、TO-263BA IXDN630 非反相 未验证 9V～35V TO-263-5 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 30A、30A 11纳秒, 11纳秒
MCP14E4-E/SN Microchip Technology MCP14E4-E/SN 2.4500
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 ECAD 660 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） MCP14E4 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 MCP14E4ESN EAR99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 4A, 4A 15纳秒、18纳秒
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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