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LM5107SDX	-	RFQ	1110	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	LM5107	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-wson（4x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.3a，1.4a	15ns，15ns	118 v
ISL83204AIBZT	-	RFQ	1345	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	ISL83204	反转，无变形	未行业行业经验证	9.5V〜15V	20-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	1V，2.5V	2.6a，2.4a	10n，10n	75 v
FAN3229CMX-F085	1.3537	RFQ	9064	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3229	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	12ns，9ns
HT0440K6-G	2.4600	RFQ	8372	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	HT0440	不转变	未行业行业经验证	3.15V〜5.5V	10-DFN （3x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	高方向	2	n通道MOSFET	0.5V，3.15V	-	650µs，3ms（3ms）	400 v
FAN7080CM_F085	-	RFQ	1044	Onmi	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7080	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜20V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	9,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	300mA，600mA	40ns，25ns	600 v
LTC1154HS8 ＃PBF	7.4700	RFQ	402	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC1154	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
NCP303150MNTWG	-	RFQ	9765	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	39-PowerVFQFN	NCP303150	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	39-pqfn （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	半桥，低侧	2	n通道MOSFET	0.65V，2.7V	100mA，100mA	17ns，26ns	30 V
TC4420EOA	2.1300	RFQ	588	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4420EOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
LTC7003HMSE ＃PBF	8.8000	RFQ	8909	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-tfsop （0.118，3.00mm宽）	LTC7003	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜15V	16-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	37	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	-	90NS，40NS	60 V
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FAN5009MX	-	RFQ	9840	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan5009	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜13.5V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	-	40NS，20NS	15 v
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auirs2191str	3.7000	RFQ	3868	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	Auirs2191	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	3.5a，3.5a	15ns，15ns	600 v
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IR2181S	-	RFQ	3876	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2181	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2181S	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
IRS44262SPBF	-	RFQ	2614	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS44262	反转	未行业行业经验证	11.2v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP001547124	Ear99	8542.39.0001	3,800	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	2.3a，3.3a	25n，25n
IRS2003STRPBF	1.6500	RFQ	6326	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2003	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	200 v
LTC444444IMS8E ＃PBF	6.1800	RFQ	1976年	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4444	不转变	未行业行业经验证	7.2v〜13.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-2735-LTC444444IMS8E ＃PBF	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.85V，3.25V	2.5a，3a	8NS，5NS	114 v
max15019basa+	6.0700	RFQ	140	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max15019	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX15019BASA+	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	50n，40n	125 v
TC4427COA713	1.7800	RFQ	1143	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
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ISL6700IB	-	RFQ	5752	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6700	不转变	未行业行业经验证	9V〜15V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.4a，1.3a	5n，5ns	80 V
IXDN504PI	-	RFQ	3750	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXDN504	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8点	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	4a，4a	9NS，8NS
HT0740LG-G	1.4900	RFQ	6	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HT0740	不转变	未行业行业经验证	3.15V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	高方向	1	n通道，p通道MOSFET	0.5V，3.15V	-	650µs，3ms（3ms）	400 v
TC4626COE	4.6500	RFQ	7289	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4626	反转	未行业行业经验证	4V〜6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4626COE-NDR	Ear99	8542.39.0001	47	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	33ns，27ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²