感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
MAX4420CPA+	4.0300	询价	52	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MAX4420	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX4420CPA+	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
1SD418F2-CM800HB-66H	-	询价	2757	电源集成	规模™-1	盒子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	安装结构	模块	1SD418F2	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	-	100纳秒，100纳秒
MPQ1924HS-LF-P	1.7664	询价	5111	单片电力系统公司	汽车、AEC-Q100、MPQ	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		非反相		9V~16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	1589-MPQ1924HS-LF-PTR			500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	4A、5.9A	15纳秒、9纳秒	115V
EL7156CNZ	-	询价	1519	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	EL7156	非反相	未验证	4.5V～16.5V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	50	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	0.8V、2.4V	3.5A、3.5A	14.5纳秒、15纳秒
EL7412CM	-	询价	9305	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	20-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	EL7412	反相	未验证	4.5V～15V	20-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	38	独立的	半桥	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	7.5纳秒、10纳秒
ISL6614CB-T	-	询价	5941	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	14-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
LM5101ASDX/NOPB	-	询价	9189	国家安全委员会	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5101	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载						0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	3A、3A	430纳秒、260纳秒	118V
2EDF7235KXUMA1	3.6300	询价	12	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	13-TFLGA	2EDF7235	非反相	未验证	20V	PG-TFLGA-13-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	独立的	半桥	2	N沟道、P沟道MOSFET	-，1.65V	4A、8A	6.5纳秒、4.5纳秒
LM27222M	2.4000	询价	380	国家安全委员会	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM27222	非反相	未验证	4V～6.85V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	3A、4.5A	17纳秒、12纳秒	33V
ADP3413JR	-	询价	2850	模拟器件公司	ADP3413	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3413	非反相	未验证	4.15V～7.5V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	-	27纳秒、19纳秒	30V
1SD418F2-FX800R33KF2	-	询价	5901	电源集成	规模™-1	盒子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	安装结构	模块	1SD418F2	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	1	单身的	半桥	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	18A, 18A	100纳秒，100纳秒
LT1162CN	-	询价	4097	模拟器件公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	通孔	24-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	LT1162	非反相	未验证	10V~15V	24-PDIP	下载		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	15	独立的	半桥	4	N沟道MOSFET	0.8V、2V	1.5A、1.5A	130纳秒、60纳秒	60V
ISL6608CBZ	2.4200	询价	967	Intersil	-	大部分	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6608	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	22V
IR21091SPBF	-	询价	4356	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR21091	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	不适用	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.9V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
ISL6208CIRZ-T	-	询价	6660	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VFDFN 裸露焊盘	ISL6208	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.5V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	33V
FAN3268TMX-F085	2.8200	询价	7626	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3268	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	3A、3A	12纳秒、9纳秒
1SP0335S2M1-XXXX (2)(3)(4)	269.6700	询价	9643	电源集成	-	大部分	的积极									-				596-1SP0335S2M1-XXXX(2)(3)(4)			6
MAX4429EPA	-	询价	2787	ADI/Maxim 集成	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MAX4429	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
MAX628ESA+T	3.7650	询价	6852	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX628	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	25纳秒、20纳秒
QP12W05S-37A	-	询价	8298	金升阳美国有限公司	-	托盘	过时的	-40℃～70℃	通孔	16-SIP模块，13接口		非反相		11.6～12.4V	-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		2725-QP12W05S-37A	过时的		60	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	5A、5A	300纳秒、300纳秒
CA3252E	1.7800	询价	204	哈里斯公司	汽车	大部分	的积极	-40℃～105℃	通孔	16-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	CA3252	反相、同相	未验证	5V	16-PDIP	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	低侧	4	N沟道MOSFET	0.8V、2V	600毫安，600毫安	-	35V
FAN3227CMX-F085	-	询价	3916	仙童	汽车，AEC-Q100	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3227	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	12纳秒、9纳秒
LM5111-4MYX/NOPB	-	询价	8020	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	LM5111	反相、同相	未验证	3.5V～14V	8-HVSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、5A	14纳秒、12纳秒
LTC1982ES6#TRMPBF	5.3400	询价	160	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	SOT-23-6	LTC1982	反相	未验证	1.8V～5.5V	TSOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.31.0001	500	独立的	高侧	2	N沟道MOSFET	0.6V、1.4V	-	-
LTC4446IMS8E#PBF	6.1800	询价	1	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40℃～85℃	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4446	非反相	未验证	7.2V～13.5V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.25V	2.5A、3A	8纳秒、5纳秒	114V
BD6563FV-LBE2	-	询价	8500	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	-25°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	16-LSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	BD6563	非反相	未验证	10V～25V	16-SSOP-B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	3	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	600毫安，600毫安	-
UCC27211DDA	2.3500	询价	3055	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27211	非反相	未验证	8V~17V	8-SO电源板	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.3V、2.8V	4A, 4A	7.2纳秒、5.5纳秒	120V
TC1411NVOA	1.1100	询价	8933	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC1411	非反相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	1A、1A	25纳秒, 25纳秒
LTC7000IMSE#WPBF	8.0500	询价	7246	模拟器件公司	汽车，AEC-Q100	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-TFSOP（0.118"，3.00mm宽）裸露焊盘	LTC7000	非反相	未验证	3.5V～135V	16-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	37	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、1.7V	-	90纳秒、40纳秒	14V
TCK401G,LF	0.6200	询价	51	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	6-UFBGA、WLCSP	TCK401	非反相	未验证	2.7V~28V	6-WCSPE (0.80x1.2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	5,000	单身的	高侧	1	-	0.4V、1.6V	-	0.2毫秒、1.5微秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²