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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
TC4426EMF713	1.0950	RFQ	4469	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426EMF713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
IVCR2401DPR	1.5700	RFQ	3	发明	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IVCR2401	不转变	未行业行业经验证	8v〜20V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）			Ear99	8542.39.0001	4,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1.7V，1.6V	4a，4a	13ns，13ns
UCC27211DDA	2.3500	RFQ	3055	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	UCC27211	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.3V，2.8V	4a，4a	7.2NS，5.5NS	120 v
EL7243CMZ	-	RFQ	4452	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	EL7243	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	20-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	38	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	10n，10ns （最大）
1SP0335V2M1C-XXXX （2）（3）（4）（4）（5））	273.0783	RFQ	6736	电源集成	-	大部分	积极的									-				596-1SP0335V2M1C-XXXX（2）（3）（4）（4））（5）5）			6
L6569A	-	RFQ	4699	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	L6569	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜16.6V	8微米浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	170mA，270mA	-	600 v
NCP5359MNR2G	-	RFQ	5090	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	NCP5359	不转变	未行业行业经验证	10v〜13.2V	10-DFN （3x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	-	16ns，11ns	35 v
MIC4427YM	1.4500	RFQ	7494	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
IR2233JPBF	12.2400	RFQ	398	Infineon技术	-	管子	积极的	125°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2233	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	27	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	250mA，500mA	90NS，40NS	1200 v
ADP3118JRZ-RL	-	RFQ	5516	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3118	不转变	未行业行业经验证	4.15v〜13.2V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	25NS，20NS	25 v
TC4431EJA	-	RFQ	6070	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4431	反转	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4431EJA-NDR	Ear99	8542.39.0001	56	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25ns，33ns
TC4427AMJA	-	RFQ	7190	微芯片技术	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4427AMJA-NDR	Ear99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
MAX628MJA/883B	-	RFQ	5800	ADI/MAXIM集成	军事，MIL-STD-883	管子	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	Max628	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS
LM5100BMA/NOPB	2.1608	RFQ	8300	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	2a，2a	570NS，430NS	118 v
Auirs2301s	-	RFQ	5410	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Auirs2301	反转	未行业行业经验证	5v〜20V	8-SOIC	下载		3（168））	到达不受影响	SP001511526	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	130ns，50ns	600 v
LT1162ISW＃trpbf	10.9800	RFQ	6183	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	LT1162	不转变	未行业行业经验证	10v〜15V	24-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	130ns，60ns	60 V
A4919GetTr-5-T	3.0600	RFQ	3899	Allegro微型系统	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	28-VFQFN暴露垫	A4919	TTL	未行业行业经验证	5.5V〜50V	28-qfn（5x5）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,500	3相	高方面或低侧	6	n通道MOSFET	0.8V，1.5V	-	35NS，20NS
LTC7001HMSE ＃PBF	8.9300	RFQ	7312	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC7001	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜15V	10-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	-	90NS，40NS	135 v
MCP14E10T-E/MF	2.0850	RFQ	3836	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP14E10	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	3a，3a	25n，25n
LTC1155CS8＃tr	7.5900	RFQ	2	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC1155	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方向	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
MIC4423YWM-TR	2.1800	RFQ	1	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	28ns，32ns
ISL89163FRTCZ-T	-	RFQ	8501	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	ISL89163	不转变		7.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2.4V，9.6V	6a，6a	20N，20N		未行业行业经验证
ISL6612ACB-T	1.3200	RFQ	55	Intersil	-	大部分	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TC4426CPA	2.0000	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
max8811eee+t	-	RFQ	5794	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	16ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm）	max8811		未行业行业经验证	4.5V〜7V	16-qsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	4
HIP2100IR4Z	-	RFQ	8244	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-VFDFN暴露垫	HIP2100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	12-DFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	4V，7V	2a，2a	10n，10n	114 v
TC428EUA	-	RFQ	4217	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC428EUA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
ixdi630yi	9.7600	RFQ	230	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA	IXDI630	反转	未行业行业经验证	12.5v〜35v	TO-263-5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	30a，30a	11n，11ns
ISL6609CBZ	-	RFQ	4428	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6609	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	980	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	- ，4A	8ns，8ns	36 V
MIC4467YWM-TR	5.0800	RFQ	861	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4467	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²