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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
DGD0506FN-7	0.5480	RFQ	5875	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	DGD0506	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	W-DFN3030-10（TH）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.5V	1.5a，2.5a	17ns，12ns	50 V
TC1410COA	1.6200	RFQ	1691年	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1410	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1410COA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	25n，25n
EL7156CS	-	RFQ	8506	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7156	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	97	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2.4V	3.5a，3.5a	14.5ns，15ns
LTC7001HMSE ＃PBF	8.9300	RFQ	7312	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC7001	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜15V	10-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	-	90NS，40NS	135 v
ISL6208CB	-	RFQ	6834	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6208	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
ISL89163FRTCZ-T	-	RFQ	8501	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	ISL89163	不转变		7.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2.4V，9.6V	6a，6a	20N，20N		未行业行业经验证
HIP2100IR4Z	-	RFQ	8244	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-VFDFN暴露垫	HIP2100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	12-DFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	4V，7V	2a，2a	10n，10n	114 v
IX4424MTR	-	RFQ	6886	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）			IX4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，3V	3a，3a	18N，18NS
TC4627CPA	6.4400	RFQ	222	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4627	不转变	未行业行业经验证	4V〜6V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4627CPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	33ns，27ns
UC2714DTR	-	RFQ	7680	Texas Instruments	*	大部分	积极的				UC2714		未行业行业经验证			下载					Ear99	8542.39.0001	1
ATA6821-TUS	-	RFQ	8284	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ATA6821	不转变	未行业行业经验证	16V〜30V	14-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	4a，4a	12n，12ns
ISL6605CBZR5168	-	RFQ	8769	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6605	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
TC4426VMF713	0.9600	RFQ	5128	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426VMF713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
IR2233JTRPBF	12.2400	RFQ	4125	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2233	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	250mA，500mA	90NS，40NS	1200 v
EL7252CSZ-T13	2.5384	RFQ	1154	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7252	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	10n，10n
TC4420IJA	36.2300	RFQ	44	微芯片技术	-	管子	积极的	-25°C〜150°C（TJ）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	TC4420IJA-NDR	Ear99	8542.39.0001	56	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
ISL6610ACBZ-T	-	RFQ	3606	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	ISL6610	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	- ，4A	8ns，8ns	36 V
ADP3413JR-REEL	-	RFQ	4437	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				ADP3413					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500
IR2132JTRPBF	11.9200	RFQ	490	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR2132	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	250mA，500mA	80n，35ns	600 v
TC4420VPA	2.3800	RFQ	572	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4420VPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
MCP14A0305T-E/SN	1.1400	RFQ	17	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0305	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	12n，12ns
IRS26310DJTRPBF	3.5900	RFQ	429	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IRS26310	不转变	未行业行业经验证	12v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
ISL6615IRZ-T	3.0060	RFQ	2010	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6615	不转变	未行业行业经验证	6.8v〜13.2V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.5a，4a	13ns，10ns	36 V
LTC3901EGN ＃PBF	7.9200	RFQ	2270	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm）	LTC3901	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜11V	16ssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	15ns，15ns
ISL6612BCRZ	-	RFQ	4838	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TC4423AVMF	2.0100	RFQ	5282	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	12n，12ns
MCP14E7-E/SN	2.4200	RFQ	290	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E7	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E7ESN	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	2a，2a	12n，15ns
MIC5014BM	-	RFQ	4679	微芯片技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC5014	不转变	未行业行业经验证	2.75V〜30V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
LTC4449EDCB	-	RFQ	9287	模拟设备公司	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	LTC4449	不转变	未行业行业经验证	4V〜6.5V	8-DFN（2x3）	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1	同步	半桥	2	n通道MOSFET	3V，6.5V	3.2a，4.5a	8NS，7NS	42 v
max17602ata+	2.0000	RFQ	1	ADI/MAXIM集成	*	条	积极的				Max17602		未行业行业经验证			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	175-MAX17602ATA+	Ear99	8542.39.0001	10

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²