感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）	SIC
ADP3419JRM-卷盘	0.9600	询价	199	模拟器件公司	-	大部分	的积极		表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	ADP3419		未验证	4.6V～6V	10-MSOP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2					30V
LM5109ASD	-	询价	2860	国家安全委员会	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	LM5109	非反相	未验证	8V~14V	8-WSON (4x4)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1A、1A	15纳秒，15纳秒	108V
MP1924AHS-LF-P	1.4780	询价	6125	单片电力系统公司	国会议员	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		非反相		8V~15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	1589-MP1924AHS-LF-PTR			500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	4A、5.9A	15纳秒，15纳秒	115V
IRS2332DSPBF	-	询价	1921年	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	国税局2332	反相	未验证	10V～20V	28-SOIC	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001546484	EAR99	8542.39.0001	25	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	80纳秒、35纳秒	600伏
1SP0335S2M1-33	269.6700	询价	6556	电源集成	规模™-2	大部分	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块		-		23.5V～26.5V	模块	-				596-1SP0335S2M1-33			6	单身的	-	1	IGBT	-	35A, 35A	9纳秒、30纳秒	3300伏
77049022A	-	询价	1428	Texas Instruments	*	管子	的积极									下载	符合ROHS3标准	不适用		296-77049022A			1
ISL6605CRZA	1.8400	询价	290	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	ISL6605	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	33V
1SD210F2-FZ600R65KF1	-	询价	6159	电源集成	-	托盘	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SD210F2	-	未验证	15.5V～16.8V	模块	-		1（无限制）		1810-1SD210F2-FZ600R65KF1	过时的		20	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	6A、10A	100纳秒，100纳秒	1200伏
TPS28226DG4	-	询价	9734	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPS28226	非反相		6.8V～8.8V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	10纳秒，10纳秒	33V	未验证
HIP2211FRTZ	1.0310	询价	6887	瑞萨电子美国公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘		非反相		6V~18V	10-TDFN (4x4)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）		20-HIP2211FRTZ			1	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.47V、1.84V	3A、4A	20纳秒, 20纳秒	115V
IR2101PBF	-	询价	8416	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR2101	非反相		10V～20V	8-PDIP	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	210毫安、360毫安	100纳秒、50纳秒	600伏	未验证
UC2724N	4.1300	询价	4	Texas Instruments	*	大部分	的积极				UC2724		未验证			下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1
MIC4421AYN	2.4400	询价	1831年	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4421	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	576-3509-5	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、3V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
5962-8761903维埃	-	询价	3567	Texas Instruments	*	管子	的积极									下载	符合ROHS3标准	不适用		296-5962-8761903VEA			1
IR2131JTRPBF	7.0862	询价	5845	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR2131	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
HIP5015IS1	1.8300	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40℃～85℃	通孔	7-SSIP形成的引脚	HIP5015	非反相	未验证	9.6V～14.4V	7-SIP	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	1	N沟道MOSFET	-	5A、5A	20纳秒, 20纳秒
2CG010BBC11N	73.2700	询价	第593章	田村	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	模块	2CG010	非反相	未验证	13V~28V	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	132-2CG010BBC11N	EAR99	8543.90.8885	30	独立的	半桥	2	IGBT、碳化硅MOSFET	1.65V、3.85V		500纳秒、500纳秒
ISL89164FRTAZ	2.6300	询价	第366章	Intersil	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	ISL89164	反相	未验证	4.5V~16V	8-TDFN (3x3)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
风扇7371M	-	询价	8121	仙童	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7371	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	90	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4A, 4A	25纳秒、15纳秒	600伏
MAX5057BASA-T	-	询价	9653	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX5057	反相、同相	未验证	4V～15V	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.1V	4A, 4A	32纳秒、26纳秒
MIC4421CM	-	询价	6805	微芯片	-	大部分	SIC停产	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4421	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
HIP5011IS1	2.0800	询价	7	Intersil	同步场效应晶体管™	大部分	的积极	-40℃～85℃	通孔	7-SSIP形成的引脚	HIP5011	非反相	未验证	9.6V～14.4V	7-SIP	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	17A, 17A	20纳秒, 20纳秒
MP1906DS-LF-P	0.8611	询价	2954	单片电力系统公司	国会议员	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		非反相		10V~16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	1589-MP1906DS-LF-PTR			500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	350毫安，350毫安	50纳秒、30纳秒	80V
IR4426PBF	1.5400	询价	36	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR4426	反相	未验证	6V～20V	8-PDIP	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.7V	2.3A、3.3A	15纳秒、10纳秒
HIP2211FR8Z-T7A	-	询价	5187	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	HIP2211	非反相	未验证	6V~18V	8-DFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		20-HIP2211FR8Z-T7ATR	过时的		250	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.47V、1.84V	3A、4A	20纳秒, 20纳秒	115V
1SP0635D2S1-25	149.9283	询价	3876	电源集成	规模™-2	大部分	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块		-		14.5V～15.5V	模块	-				596-1SP0635D2S1-25			6	单身的	-	1	IGBT	-	35A, 35A	9纳秒、30纳秒	2500伏
MPQ1922GVE-AEC1-Z	4.1000	询价	4	单片电力系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 165°C (TJ)	表面贴装，可湿侧面	22-VFQFN 裸露焊盘	MPQ1922	非反相	未验证	0V～100V	22-QFN (4x5)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	1589-MPQ1922GVE-AEC1-ZTR	EAR99	8542.39.0001	5,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、4A	-	115V
1ED44171N01BXTSA1	0.8800	询价	2	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SC-74A、SOT-753	1ED44171	非反相	未验证	12.7V～20V	PG-SOT23-5-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	1.2V、1.9V	2.6A、2.6A	5纳秒，5纳秒
ZL1505ALNNT	-	询价	3014	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ZL1505	非反相	未验证	4.5V～7.5V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.7V、3.4V	3.2A、3.2A	5.3纳秒、4.8纳秒	30V
MAX17603ATA+	-	询价	3741	ADI/Maxim 集成	-	条	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	MAX17603	反相	未验证	4V~14V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准			175-MAX17603ATA+	过时的	0000.00.0000	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2V、4.25V	4A, 4A	6纳秒，6纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²