电话:+86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | SIC | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 通道类型 | 驱动配置 | 司机X | 闸门类型 | 逻辑电压 - VIL、VIH | 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) | 上升/下降T(典型值) | 高侧电压 - 顶部(自举) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RAA228004GNP#AA0 | 7.6398 | ![]() | 5538 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 管子 | 的积极 | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 20-RAA228004GNP#AA0 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | IRS2111PBF | 1.7400 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 国税局2111 | 反相、同相 | 未验证 | 10V~20V | 8-PDIP | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步化 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 8.3V、12.6V | 290毫安、600毫安 | 75纳秒、35纳秒 | 600伏 | |||||
![]() | IVCR1401DPR | 2.8100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 发明芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | IVCR1401 | 非反相 | 未验证 | 19V~25V | 8-SOIC-EP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、碳化硅MOSFET | 1.7V、1.6V | 4A, 4A | 13纳秒, 13纳秒 | ||||
![]() | MIC4478YM-TR | - | ![]() | 1276 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 麦克风4478 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~32V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 2.5A、2.5A | 120纳秒、45纳秒 | |||
![]() | ISL6605IR | - | ![]() | 5496 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-VQFN 裸露焊盘 | ISL6605 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 8-QFN (3x3) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 1V、2V | 2A, 2A | 8纳秒,8纳秒 | 33V | ||
![]() | MCP14E3-E/MF | 2.5300 | ![]() | 198 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | MCP14E3 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-DFN-S (6x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 60 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 4A, 4A | 15纳秒、18纳秒 | |||
![]() | 1SD210F2-FX400R65KF2_OPT1 | - | ![]() | 1406 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 托盘 | 过时的 | -40℃~85℃ | 安装结构 | 模块 | 1SD210F2 | - | 未验证 | 15.5V~16.8V | 模块 | - | 1(无限制) | 1810-1SD210F2-FX400R65KF2_OPT1 | 过时的 | 20 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | IGBT | - | 6A、10A | 100纳秒,100纳秒 | 1200伏 | ||||
![]() | 1SP0335V2M1-FZ600R65KE3 | 202.2083 | ![]() | 4820 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-2 | 托盘 | 的积极 | -40℃~85℃ | 安装结构 | 模块 | 1SP0335 | - | 未验证 | 23.5V~26.5V | 模块 | - | 1(无限制) | 1810-1SP0335V2M1-FZ600R65KE3 | EAR99 | 8473.30.1180 | 6 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | IGBT | - | 35A, 35A | 9纳秒、30纳秒 | 6500伏 | |||
![]() | BD6562FV-LBE2 | - | ![]() | 2503 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -25°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 16-LSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | BD6562 | 非反相 | 未验证 | 10V~25V | 16-SSOP-B | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | - | 600毫安,600毫安 | - | |||
![]() | ADP3635ARDZ-RL | 1.5450 | ![]() | 6068 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | ADP3635 | 反相、同相 | 未验证 | 9.5V~18V | 8-SOIC-EP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | 4A, 4A | 10纳秒,10纳秒 | |||
![]() | UCC27322DG4 | - | ![]() | 1881年 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 大部分 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | UCC27322 | 非反相 | 未验证 | 4V~15V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 75 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 1.1V、2.7V | 9A, 9A | 20纳秒, 20纳秒 | |||
![]() | TLE918021QKXUMA1 | - | ![]() | 4461 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLE918021 | 未验证 | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 448-TLE918021QKXUMA1TR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,900人 | |||||||||||||||
![]() | 6ED003L06-FXUMA1 | - | ![]() | 7246 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 大部分 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 28-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | 6ED003 | 非反相 | 未验证 | 13V~17.5V | PG-TSSOP-28 | - | 0000.00.0000 | 1 | 土耳其 | 半桥 | 6 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 1.1V、1.7V | 165毫安、375毫安 | 60纳秒、26纳秒 | 620伏 | ||||||
![]() | 风扇3229CMPX | 0.5300 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 仙童 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | 风扇3229 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-MLP (3x3) | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | - | 3A、3A | 12纳秒、9纳秒 | ||||||
![]() | ADP3110KRZ | 0.8000 | ![]() | 35 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | ADP3110 | 反相、同相 | 未验证 | 4.6V~13.2V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | - | 20纳秒、11纳秒 | 35V | ||
![]() | ISL6594ACBZ | 2.0600 | ![]() | 264 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | 0°C ~ 125°C (太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | ISL6594 | 非反相 | 未验证 | 10.8V~13.2V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 98 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 1.25A、2A | 26纳秒、18纳秒 | 36V | ||||
TPS2814PW | 1.0955 | ![]() | 4279 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | TPS2814 | 反相、同相 | 未验证 | 4V~14V | 8-TSSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 150 | 同步化 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 1V、4V | 2A, 2A | 14纳秒、15纳秒 | ||||
![]() | 5962-0152001QPA | - | ![]() | 6729 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 管子 | 的积极 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 296-5962-0152001QPA | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | TMC6100-LA | 5.7000 | ![]() | 第486章 | 0.00000000 | Trinamic运动控制有限公司 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 37-VFQFN 裸露焊盘 | TMC6100 | 非反相 | 未验证 | 10V~60V | 37-QFN-EP (7x7) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 1460-TMC6100-LA | EAR99 | 8542.39.0001 | 第416章 | 土耳其 | 半桥 | 6 | N沟道MOSFET | 1.65V、3.85V | - | 20纳秒, 20纳秒 | ||
![]() | 5962-8961101EA | - | ![]() | 9552 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | 16-CDIP(0.300英寸,7.62毫米) | 16-CDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 296-5962-8961101EA | 1 | |||||||||||||||||
![]() | UC3714D | 1.5900 | ![]() | 603 | 0.00000000 | 尤尼罗德 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~150℃(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | UC3714 | 非反相 | 未验证 | 7V~20V | 8-SOIC | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步化 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2V | 500毫安,1安 | 30纳秒、25纳秒 | ||||||
ADP3121JRZ-RL | - | ![]() | 第1179章 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 0℃~150℃(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | ADP3121 | 非反相 | 未验证 | 4.15V~13.2V | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | - | 20纳秒, 20纳秒 | 35V | ||||
![]() | NCP302155AMNTWG | 2.5000 | ![]() | 6852 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 31-PowerWFQFN | NCP302155 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 31-PQFN (5x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 高侧和低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 0.7V、2.65V | 2A、2.5A | 12纳秒、6纳秒 | 40V | ||
![]() | UCC27523DSDR | 0.5700 | ![]() | 6914 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 140°C (TJ) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | UCC27523 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SON (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 1V、2.3V | 5A、5A | 7纳秒、6纳秒 | |||
![]() | VLA513-01 | 1980年14月 | ![]() | 2158 | 0.00000000 | 动力克斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -20°C ~ 70°C (TA) | 通孔 | 8-SIP模块,6接口 | VLA513 | 非反相 | 未验证 | 14V~15V | 模块 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT | - | 5A、5A | 300纳秒、300纳秒 | ||||
![]() | L6571B | - | ![]() | 2047 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | L6571 | RC输入电路 | 未验证 | 10V~16.6V | 8-迷你 DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1026-L6571B | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步化 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | - | 170毫安、270毫安 | - | 600伏 | |
![]() | LT8672JDDB#TRMPBF | 6.8400 | ![]() | 第480章 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 10-WFDFN 裸露焊盘 | LT8672 | 非反相 | 未验证 | 3V~42V | 10-DFN (3x2) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | 单身的 | 高侧 | 1 | N沟道MOSFET | - | - | - | |||
![]() | MIC4469ZWMTR | 1.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 麦克风4469 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~18V | 16-SOIC | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 4 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 1.2A、1.2A | 14纳秒、13纳秒 | ||||||
![]() | IHD260NT1 | - | ![]() | 3155 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 通孔 | 36-DIP模块,24引脚 | IHD260 | 非反相 | 未验证 | 14V~16V | 模块 | 下载 | 1810-IHD260NT1 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | - | - | 100纳秒、80纳秒 | |||||
![]() | 2EDN7534RXTMA1 | 1.3300 | ![]() | 7262 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | 2EDN7534 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~20V | PG-TSSOP-8 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 5A、5A |
日平均询价量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库