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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 高侧电压 - 顶部(自举)
RAA228004GNP#AA0 Renesas Electronics America Inc RAA228004GNP#AA0 7.6398
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ECAD 5538 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 的积极 - 符合ROHS3标准 3(168小时) 20-RAA228004GNP#AA0 1
IRS2111PBF International Rectifier IRS2111PBF 1.7400
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ECAD 500 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 国税局2111 反相、同相 未验证 10V~20V 8-PDIP 下载 EAR99 8542.39.0001 1 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 8.3V、12.6V 290毫安、600毫安 75纳秒、35纳秒 600伏
IVCR1401DPR Inventchip IVCR1401DPR 2.8100
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ECAD 3 0.00000000 发明芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 IVCR1401 非反相 未验证 19V~25V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 2(1年) EAR99 8542.39.0001 4,000 单身的 低侧 1 IGBT、碳化硅MOSFET 1.7V、1.6V 4A, 4A 13纳秒, 13纳秒
MIC4478YM-TR Microchip Technology MIC4478YM-TR -
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ECAD 1276 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 麦克风4478 非反相 未验证 4.5V~32V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.4V 2.5A、2.5A 120纳秒、45纳秒
ISL6605IR Renesas Electronics America Inc ISL6605IR -
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ECAD 5496 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-VQFN 裸露焊盘 ISL6605 非反相 未验证 4.5V~5.5V 8-QFN (3x3) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2V 2A, 2A 8纳秒,8纳秒 33V
MCP14E3-E/MF Microchip Technology MCP14E3-E/MF 2.5300
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ECAD 198 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MCP14E3 反相 未验证 4.5V~18V 8-DFN-S (6x5) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 60 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 4A, 4A 15纳秒、18纳秒
1SD210F2-FX400R65KF2_OPT1 Power Integrations 1SD210F2-FX400R65KF2_OPT1 -
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ECAD 1406 0.00000000 电源集成 - 托盘 过时的 -40℃~85℃ 安装结构 模块 1SD210F2 - 未验证 15.5V~16.8V 模块 - 1(无限制) 1810-1SD210F2-FX400R65KF2_OPT1 过时的 20 单身的 高侧或低侧 1 IGBT - 6A、10A 100纳秒,100纳秒 1200伏
1SP0335V2M1-FZ600R65KE3 Power Integrations 1SP0335V2M1-FZ600R65KE3 202.2083
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ECAD 4820 0.00000000 电源集成 规模™-2 托盘 的积极 -40℃~85℃ 安装结构 模块 1SP0335 - 未验证 23.5V~26.5V 模块 - 1(无限制) 1810-1SP0335V2M1-FZ600R65KE3 EAR99 8473.30.1180 6 单身的 高侧或低侧 1 IGBT - 35A, 35A 9纳秒、30纳秒 6500伏
BD6562FV-LBE2 Rohm Semiconductor BD6562FV-LBE2 -
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ECAD 2503 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 过时的 -25°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 16-LSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) BD6562 非反相 未验证 10V~25V 16-SSOP-B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET - 600毫安,600毫安 -
ADP3635ARDZ-RL ADI ADP3635ARDZ-RL 1.5450
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ECAD 6068 0.00000000 模拟器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 ADP3635 反相、同相 未验证 9.5V~18V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V 4A, 4A 10纳秒,10纳秒
UCC27322DG4 Texas Instruments UCC27322DG4 -
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ECAD 1881年 0.00000000 Texas Instruments - 大部分 的积极 -40℃~105℃(TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) UCC27322 非反相 未验证 4V~15V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 75 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 1.1V、2.7V 9A, 9A 20纳秒, 20纳秒
TLE918021QKXUMA1 Infineon Technologies TLE918021QKXUMA1 -
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ECAD 4461 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 TLE918021 未验证 - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 448-TLE918021QKXUMA1TR EAR99 8542.39.0001 1,900人
6ED003L06-FXUMA1 Infineon Technologies 6ED003L06-FXUMA1 -
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ECAD 7246 0.00000000 英飞凌科技 - 大部分 的积极 -40℃~105℃(TA) 表面贴装 28-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) 6ED003 非反相 未验证 13V~17.5V PG-TSSOP-28 - 0000.00.0000 1 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1.1V、1.7V 165毫安、375毫安 60纳秒、26纳秒 620伏
FAN3229CMPX Fairchild Semiconductor 风扇3229CMPX 0.5300
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ECAD 22 0.00000000 仙童 - 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 风扇3229 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-MLP (3x3) 下载 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET - 3A、3A 12纳秒、9纳秒
ADP3110KRZ ADI ADP3110KRZ 0.8000
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ECAD 35 0.00000000 模拟器件公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) ADP3110 反相、同相 未验证 4.6V~13.2V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V - 20纳秒、11纳秒 35V
ISL6594ACBZ Intersil ISL6594ACBZ 2.0600
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ECAD 264 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) ISL6594 非反相 未验证 10.8V~13.2V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 98 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
TPS2814PW Texas Instruments TPS2814PW 1.0955
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ECAD 4279 0.00000000 Texas Instruments - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) TPS2814 反相、同相 未验证 4V~14V 8-TSSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 150 同步化 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 1V、4V 2A, 2A 14纳秒、15纳秒
5962-0152001QPA Texas Instruments 5962-0152001QPA -
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ECAD 6729 0.00000000 Texas Instruments * 管子 的积极 下载 符合ROHS3标准 不适用 296-5962-0152001QPA 1
TMC6100-LA Trinamic Motion Control GmbH TMC6100-LA 5.7000
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ECAD 第486章 0.00000000 Trinamic运动控制有限公司 - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 37-VFQFN 裸露焊盘 TMC6100 非反相 未验证 10V~60V 37-QFN-EP (7x7) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 1460-TMC6100-LA EAR99 8542.39.0001 第416章 土耳其 半桥 6 N沟道MOSFET 1.65V、3.85V - 20纳秒, 20纳秒
5962-8961101EA Texas Instruments 5962-8961101EA -
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ECAD 9552 0.00000000 Texas Instruments - 管子 的积极 通孔 16-CDIP(0.300英寸,7.62毫米) 16-CDIP 下载 符合ROHS3标准 不适用 296-5962-8961101EA 1
UC3714D Unitrode UC3714D 1.5900
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ECAD 603 0.00000000 尤尼罗德 - 大部分 的积极 0℃~150℃(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) UC3714 非反相 未验证 7V~20V 8-SOIC 下载 EAR99 8542.39.0001 1 同步化 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 500毫安,1安 30纳秒、25纳秒
ADP3121JRZ-RL onsemi ADP3121JRZ-RL -
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ECAD 第1179章 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 0℃~150℃(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) ADP3121 非反相 未验证 4.15V~13.2V 8-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V - 20纳秒, 20纳秒 35V
NCP302155AMNTWG onsemi NCP302155AMNTWG 2.5000
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ECAD 6852 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 31-PowerWFQFN NCP302155 非反相 未验证 4.5V~5.5V 31-PQFN (5x5) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 单身的 高侧和低侧 2 N沟道MOSFET 0.7V、2.65V 2A、2.5A 12纳秒、6纳秒 40V
UCC27523DSDR Texas Instruments UCC27523DSDR 0.5700
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ECAD 6914 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 140°C (TJ) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 UCC27523 反相 未验证 4.5V~18V 8-SON (3x3) 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 1V、2.3V 5A、5A 7纳秒、6纳秒
VLA513-01 Powerex Inc. VLA513-01 1980年14月
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ECAD 2158 0.00000000 动力克斯公司 - 大部分 的积极 -20°C ~ 70°C (TA) 通孔 8-SIP模块,6接口 VLA513 非反相 未验证 14V~15V 模块 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 1 单身的 低侧 1 IGBT - 5A、5A 300纳秒、300纳秒
L6571B STMicroelectronics L6571B -
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ECAD 2047 0.00000000 意法半导体 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) L6571 RC输入电路 未验证 10V~16.6V 8-迷你 DIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 1026-L6571B EAR99 8542.39.0001 50 同步化 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET - 170毫安、270毫安 - 600伏
LT8672JDDB#TRMPBF ADI LT8672JDDB#TRMPBF 6.8400
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ECAD 第480章 0.00000000 模拟器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 10-WFDFN 裸露焊盘 LT8672 非反相 未验证 3V~42V 10-DFN (3x2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 500 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET - - -
MIC4469ZWMTR Microchip Technology MIC4469ZWMTR 1.3000
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ECAD 1 0.00000000 微芯片 - 大部分 的积极 0℃~70℃(TA) 表面贴装 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) 麦克风4469 反相、同相 未验证 4.5V~18V 16-SOIC 下载 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 4 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.2A、1.2A 14纳秒、13纳秒
IHD260NT1 Power Integrations IHD260NT1 -
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ECAD 3155 0.00000000 电源集成 规模™-1 托盘 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 36-DIP模块,24引脚 IHD260 非反相 未验证 14V~16V 模块 下载 1810-IHD260NT1 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET - - 100纳秒、80纳秒
2EDN7534RXTMA1 Infineon Technologies 2EDN7534RXTMA1 1.3300
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ECAD 7262 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) 2EDN7534 非反相 未验证 4.5V~20V PG-TSSOP-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 5,000 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 5A、5A
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库