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门司机（（7161）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 高侧电压 -最大（引导程序）
ADP3118JCPZ-RL onsemi ADP3118JCPZ-RL -
RFQ
 ECAD 2369 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 0°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-VFDFN暴露垫，CSP ADP3118 不转变 未行业行业经验证 4.15v〜13.2V 8-lfcsp （3x3） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V，2V - 25NS，20NS 25 v
LTC4444HMS8E#TRPBF ADI LTC4444HMS8E＃trpbf 3.6450
RFQ
 ECAD 7241 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） LTC4444 不转变 未行业行业经验证 7.2v〜13.5V 8-msop-ep 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 1.85V，3.25V 2.5a，3a 8NS，5NS 114 v
IRS2123STRPBF Infineon Technologies IRS2123STRPBF -
RFQ
 ECAD 1761年 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRS2123 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 IGBT，N通道MOSFET - 500mA，500mA 80n，80n 600 v
2SB315A-DIM800DDM12-A000 Power Integrations 2SB315A-DIM800DDM12-A000 -
RFQ
 ECAD 1103 0.00000000 电源集成 Scale™-1 大部分 过时的 - 底盘安装 模块 2SB315 - 未行业行业经验证 0v〜16V 模块 下载 （1 （无限） Ear99 8473.30.1180 2 单身的 半桥 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet - - -
IR2011STRPBF Infineon Technologies IR2011STSTRPBF 3.4600
RFQ
 ECAD 522 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IR2011 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 高方面或低侧 2 n通道MOSFET 0.7V，2.2V 1a，1a 35NS，20NS 200 v
LTC7003MPMSE#TRPBF ADI LTC7003MPMSE＃trpbf 12.4650
RFQ
 ECAD 9007 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 16-tfsop （0.118，3.00mm宽） LTC7003 不转变 未行业行业经验证 3.5V〜15V 16-msop-ep 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - - 90NS，40NS 60 V
TPS2830PWP Texas Instruments tps2830pwp 2.3606
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 ECAD 4810 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm）） TPS2830 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜15V 14-htssop 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 90 同步 高方向 2 n通道MOSFET - 2.7a，2.4a 50n，50n 28 V
L6386D STMicroelectronics L6386D -
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 ECAD 6015 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） L6386 反转 未行业行业经验证 （17V）） 14件事 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 1.5V，3.6V 400mA，650mA 50ns，30ns 600 v
IXDF502D1 IXYS IXDF502D1 -
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 ECAD 2936 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 IXDF502 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜30V 6-DFN （4x5） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 56 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 2a，2a 7.5NS，6.5NS
IRS2153DSTRPBF Infineon Technologies IRS2153DSTRPBF 1.8300
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRS2153 RC输入电路 未行业行业经验证 10v〜15.4V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - 180mA，260mA 120NS，50NS 600 v
ISL6614ACBZ-TR5214 Renesas Electronics America Inc ISL6614ACBZ-TR5214 -
RFQ
 ECAD 9602 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 0°C〜125°C（TJ） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） ISL6614 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 14-Soic 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 4 n通道MOSFET - 1.25a，2a 26NS，18NS 36 V
IR2107 Infineon Technologies IR2107 -
RFQ
 ECAD 5182 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） IR2107 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 8-pdip 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.7V 200mA，350mA 150NS，50NS 600 v
IXDF402SIA IXYS IXDF402SIA -
RFQ
 ECAD 4142 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IXDF402 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 94 独立的 低侧 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 0.8V，3V 2a，2a 8ns，8ns
MAX8552ETB+TG069 ADI/Maxim Integrated MAX8552ETB+TG069 -
RFQ
 ECAD 9515 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 MAX8552 未行业行业经验证 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
TC1410COA Microchip Technology TC1410COA 1.6200
RFQ
 ECAD 1691年 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 0°C〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TC1410 反转 未行业行业经验证 4.5V〜16V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 TC1410COA-NDR Ear99 8542.39.0001 100 单身的 低侧 1 n通道，p通道MOSFET 0.8V，2V 500mA，500mA 25n，25n
MIC4479YME-T5 Microchip Technology MIC4479ME-T5 -
RFQ
 ECAD 3456 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MIC4479 反转 未行业行业经验证 4.5V〜32V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 2a （4周） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V，2.4V 2.5a，2.5a 120NS，45NS
EL7156CS Renesas Electronics America Inc EL7156CS -
RFQ
 ECAD 8506 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） EL7156 不转变 未行业行业经验证 4.5v〜16.5V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 97 单身的 高方面或低侧 1 IGBT 0.8V，2.4V 3.5a，3.5a 14.5ns，15ns
UCC27710DR Texas Instruments UCC27710DR 1.4800
RFQ
 ECAD 7002 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） UCC27710 - 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 2（1年） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 Igbt，n通道，p通道Mosfet 1.5V，1.6V 500mA，1a 40NS，20NS 600 v
TPS2818DBVRG4 Texas Instruments TPS2818DBVRG4 -
RFQ
 ECAD 7421 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TPS2818 反转 未行业行业经验证 4V〜14V SOT-23-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 1V，4V 2a，2a 14ns，14ns
TPS2828DBVRG4 Texas Instruments TPS2828DBVRG4 -
RFQ
 ECAD 1839年 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TPS2828 反转 未行业行业经验证 4V〜14V SOT-23-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 1V，4V 2a，2a 14ns，14ns
ISL6208CB Renesas Electronics America Inc ISL6208CB -
RFQ
 ECAD 6834 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -10°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ISL6208 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 98 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.5V，2V 2a，2a 8ns，8ns 33 V
NCP5106AMNTWG onsemi NCP5106AMNTWG -
RFQ
 ECAD 1004 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-vdfn裸露的垫子 NCP5106 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 10-DFN （4x4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 4,000 独立的 半桥 2 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.3V 250mA，500mA 85ns，35ns 600 v
UCC27425DR Texas Instruments UCC27425DR 1.5500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） UCC27425 反转，无变形 未行业行业经验证 4V〜15V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道，p通道MOSFET 1V，2V 4a，4a 20N，15n
IRS2336DJTRPBF Infineon Technologies IRS2336DJTRPBF 6.8257
RFQ
 ECAD 4989 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 44-LCC（J-LEAD），32个领先优势 IRS2336 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 3相 半桥 6 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.5V 200mA，350mA 125ns，50ns 600 v
IRS2332SPBF Infineon Technologies IRS2332SPBF -
RFQ
 ECAD 6889 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） IRS2332 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 28-Soic 下载 3（168）） 到达不受影响 SP001542988 Ear99 8542.39.0001 25 3相 半桥 6 IGBT，N通道MOSFET 0.8V，2.2V 250mA，500mA 80n，35ns 600 v
ISL6614AIRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6614AIRZ-T -
RFQ
 ECAD 1588年 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 16-VQFN暴露垫 ISL6614 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 16 QFN （4x4） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 6,000 同步 半桥 4 n通道MOSFET - 1.25a，2a 26NS，18NS 36 V
MCP14A0455T-E/SN Microchip Technology MCP14A0455T-E/SN 1.5500
RFQ
 ECAD 4056 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MCP14A0455 反转，无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 IGBT 0.8V，2V 4.5a，4.5a 12n，12ns
LTC4449EDCB ADI LTC4449EDCB -
RFQ
 ECAD 9287 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-WFDFN暴露垫 LTC4449 不转变 未行业行业经验证 4V〜6.5V 8-DFN（2x3） - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 1 同步 半桥 2 n通道MOSFET 3V，6.5V 3.2a，4.5a 8NS，7NS 42 v
LTC7001EMSE#TRPBF ADI ltc7001emse＃trpbf 7.3200
RFQ
 ECAD 6052 0.00000000 模拟设备公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽） LTC7001 不转变 未行业行业经验证 3.5V〜15V 10-msop-ep 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - - 90NS，40NS 135 v
IR1175 Infineon Technologies IR1175 -
RFQ
 ECAD 1831年 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 20 DIP（0.300英寸，7.62mm） IR1175 不转变 未行业行业经验证 4v〜5.5V 20-pdip 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 18 同步 低侧 2 n通道MOSFET - 2a，2a 20N，20N
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

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