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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
IRS21084STRPBF	1.8002	RFQ	5296	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21084	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
TC4427AEMF713	1.1850	RFQ	8075	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4427AEMF713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
LTC1693-3CMS8 trpbf	3.2400	RFQ	4145	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	LTC1693	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	1.7V，2.2V	1.5a，1.5a	16ns，16ns
EL7156CSZ	8.4300	RFQ	8387	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7156	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	97	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2.4V	3.5a，3.5a	14.5ns，15ns
ixdd604si	3.5300	RFQ	4	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDD604	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	CLA332	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	4a，4a	9NS，8NS
HIP2106AIRZ-T	0.4676	RFQ	1915年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	HIP2106	-	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1.3V，1.9V	- ，4A	-
TC428EUA	-	RFQ	4217	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC428EUA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	30ns，30ns
ixdi630yi	9.7600	RFQ	230	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-6，D²Pak（5 + tab），TO-263BA	IXDI630	反转	未行业行业经验证	12.5v〜35v	TO-263-5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3.5V	30a，30a	11n，11ns
TC4424AVOA	2.2300	RFQ	9699	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	12n，12ns
ISL6614CRZR5238	2.5100	RFQ	1	Intersil	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	16 QFN （4x4）	-	不适用				Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TC1428COA	1.4900	RFQ	476	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，3V	1.2a，1.2a	35ns，25n
MCP14A0301T-E/MS	1.0500	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MCP14A0301	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	13ns，12ns
UCC27211AQDDARQ1	2.3100	RFQ	7910	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	UCC27211	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.2V，2.55V	4a，4a	7.2NS，5.5NS	120 v
ltc7001emse＃trpbf	7.3200	RFQ	6052	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC7001	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜15V	10-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	-	90NS，40NS	135 v
TC4424AVOA713	2.2300	RFQ	6389	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	12n，12ns
IR21363JPBF	-	RFQ	1306	Infineon技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR21363	反转	未行业行业经验证	12v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,134	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
2SC0435T2F1-17	99.7100	RFQ	23	电源集成	Scale™-2+	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	2SC0435	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载		（1 （无限）		1810-1027	Ear99	8473.30.1180	24	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	-	35a，35a	20N，20N	1700 v
HIP2100IR	-	RFQ	1060	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	HIP2100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	16 QFN（5x5）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	4V，7V	2a，2a	10n，10n	114 v
MIC4101BM-TR	-	RFQ	5111	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4101	不转变	未行业行业经验证	9V〜16V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	400NS，400NS	118 v
DGD1504S8-13	1.2900	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DGD1504	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	250 v
Max5077Aud	-	RFQ	2933	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	Max5077	RC输入电路	未行业行业经验证	4.5V〜15V	14-TSSOP-EP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	10n，10n
LM5100BMA/NOPB	2.1608	RFQ	8300	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5100	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	2a，2a	570NS，430NS	118 v
TC4429COA713	2.1300	RFQ	6	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
UC2709N	8.8662	RFQ	4249	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UC2709	反转	未行业行业经验证	5V〜40V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	20N，20N
DGD0506FN-7	0.5480	RFQ	5875	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-WFDFN暴露垫	DGD0506	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	W-DFN3030-10（TH）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.5V	1.5a，2.5a	17ns，12ns	50 V
TC1410COA	1.6200	RFQ	1691年	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1410	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1410COA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	25n，25n
EL7156CS	-	RFQ	8506	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7156	不转变	未行业行业经验证	4.5v〜16.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	97	单身的	高方面或低侧	1	IGBT	0.8V，2.4V	3.5a，3.5a	14.5ns，15ns
LTC7001HMSE ＃PBF	8.9300	RFQ	7312	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC7001	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜15V	10-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	-	90NS，40NS	135 v
ISL6208CB	-	RFQ	6834	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-10°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6208	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.5V，2V	2a，2a	8ns，8ns	33 V
ISL89163FRTCZ-T	-	RFQ	8501	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	ISL89163	不转变		7.5V〜16V	8-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2.4V，9.6V	6a，6a	20N，20N		未行业行业经验证

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²