SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
MAX1614EUA ADI/Maxim Integrated max1614eua -
RFQ
ECAD 9935 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) Max1614 不转变 未行业行业经验证 5v〜26V 8-umax/usop 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 0.6V,2V - -
TPS2830PWPR Texas Instruments tps2830pwpr 1.5945
RFQ
ECAD 6598 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 14-POWERTSOP (0.173英寸,4.40mm((4.40mm)) TPS2830 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜15V 14-htssop 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 同步 高方向 2 n通道MOSFET - 2.7a,2.4a 50n,50n 28 V
LM5109AMA Texas Instruments LM5109MA -
RFQ
ECAD 8479 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5109 不转变 未行业行业经验证 8v〜14V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 95 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1a,1a 15ns,15ns 108 v
E-L6386D STMicroelectronics E-L6386D -
RFQ
ECAD 6673 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) E-L6386 反转 未行业行业经验证 (17V)) 14件事 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 1.5V,3.6V 400mA,650mA 50ns,30ns 600 v
MIC4424ZN Microchip Technology MIC4424ZN 2.5800
RFQ
ECAD 5831 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 0°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) MIC4424 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 576-1200 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 3a,3a 28ns,32ns
MP6539GV-P Monolithic Power Systems Inc. MP6539GV-P 1.9321
RFQ
ECAD 5080 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. MP 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 28-VFQFN暴露垫 不转变 8v〜100V 28-qfn (4x5) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 1589-MP6539GV-PTR 500 3相 半桥 6 n通道MOSFET 0.8V,2V 800mA,1a - 120 v
IXDN502SIA IXYS IXDN502SIA -
RFQ
ECAD 6286 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXDN502 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜30V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 94 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 2a,2a 7.5NS,6.5NS
LM5101AMX/NOPB Texas Instruments LM5101AMX/NOPB 3.5000
RFQ
ECAD 6560 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V, - 3a,3a 430ns,260ns 118 v
ADP3654ARDZ ADI adp3654ardz 2.8500
RFQ
ECAD 523 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ADP3654 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -2735-adp3654ardz Ear99 8541.29.0095 98 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 4a,4a 10n,10n
MAX17601ASA+T ADI/Maxim Integrated max17601asa+t 1.2450
RFQ
ECAD 4055 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Max17601 不转变 未行业行业经验证 4V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.1V 4a,4a 40ns,25ns
FAN5109BMX onsemi FAN5109BMX -
RFQ
ECAD 6231 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Fan5109 不转变 未行业行业经验证 10v〜13.5V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2V - 25ns,15ns
TC4428AVMF713 Microchip Technology TC4428AVMF713 1.1700
RFQ
ECAD 2242 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 TC4428 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V 8-DFN-S( 6x5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TC4428AVMF713-NDR Ear99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.5a,1.5a 25n,25n
ISL6605IR Renesas Electronics America Inc ISL6605IR -
RFQ
ECAD 5496 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-vqfn裸露的垫子 ISL6605 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 8-qfn (3x3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 100 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2V 2a,2a 8ns,8ns 33 V
IR21364SPBF Infineon Technologies IR21364SPBF -
RFQ
ECAD 8434 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IR21364 不转变 未行业行业经验证 11.5v〜20V 28-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 SP001543818 Ear99 8542.39.0001 2,000 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 200mA,350mA 125ns,50ns 600 v
TPS2812D Texas Instruments tps2812d 2.2700
RFQ
ECAD 417 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TPS2812 不转变 未行业行业经验证 4V〜14V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 75 同步 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 1V,4V 2a,2a 14ns,15ns
FAN3224TUMX-F085 onsemi FAN3224TUMX-F085 2.8800
RFQ
ECAD 3749 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FAN3224 不转变 未行业行业经验证 9.5V〜18V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 5a,5a 12ns,9ns
UC2709DW Texas Instruments UC2709DW 10.4300
RFQ
ECAD 80 0.00000000 Texas Instruments - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) UC2709 反转 未行业行业经验证 5V〜40V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 40 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.2V 1.5a,1.5a 20N,20N
UCD7100PWPR Texas Instruments UCD7100PWPR 2.8300
RFQ
ECAD 9073 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TJ) 表面安装 14-POWERTSOP (0.173英寸,4.40mm((4.40mm)) UCD7100 不转变 未行业行业经验证 4.25V〜15V 14-htssop 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 1.16V,2.08V 4a,4a 10n,10n
IR2011S Infineon Technologies IR2011S -
RFQ
ECAD 6072 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IR2011 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *IR2011S Ear99 8542.39.0001 95 独立的 高方面或低侧 2 n通道MOSFET 0.7V,2.2V 1a,1a 35NS,20NS 200 v
IXDI514D1T/R IXYS IXDI514D1T/r -
RFQ
ECAD 9391 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 IXDI514 反转 未行业行业经验证 4.5V〜30V 6-DFN (4x5) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 单身的 低侧 1 Igbt,n通道,p通道Mosfet 1V,2.5V 14a,14a 25ns,22ns
IR2107 Infineon Technologies IR2107 -
RFQ
ECAD 5182 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) IR2107 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 8-pdip 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.7V 200mA,350mA 150NS,50NS 600 v
IXDF402SIA IXYS IXDF402SIA -
RFQ
ECAD 4142 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IXDF402 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜35V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 94 独立的 低侧 2 Igbt,n通道,p通道Mosfet 0.8V,3V 2a,2a 8ns,8ns
IRS23364DJTRPBF Infineon Technologies IRS23364DJTRPBF -
RFQ
ECAD 1600 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IRS23364 不转变 未行业行业经验证 11.5v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 200mA,350mA 125ns,50ns 600 v
MIC4424YWM Microchip Technology MIC4424YWM 2.8900
RFQ
ECAD 158 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MIC4424 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 47 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 3a,3a 28ns,32ns
IRS2332JPBF Infineon Technologies IRS2332JPBF -
RFQ
ECAD 7371 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IRS2332 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 3(168)) 到达不受影响 SP001534968 Ear99 8542.39.0001 27 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.2V 250mA,500mA 80n,35ns 600 v
A4919GETTR-5-T Allegro MicroSystems A4919GetTr-5-T 3.0600
RFQ
ECAD 3899 0.00000000 Allegro微型系统 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 28-VFQFN暴露垫 A4919 TTL 未行业行业经验证 5.5V〜50V 28-qfn(5x5) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,500 3相 高方面或低侧 6 n通道MOSFET 0.8V,1.5V - 35NS,20NS
MAX15013CASA+ ADI/Maxim Integrated max15013casa+ 11.2800
RFQ
ECAD 5859 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) Max15013 不转变 未行业行业经验证 8v〜12.6V 8-SOIC-EP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -4941-MAX15013CASA+ Ear99 8542.39.0001 100 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2V 2a,2a 65ns,65ns 175 v
TPS2828DBVRG4 Texas Instruments TPS2828DBVRG4 -
RFQ
ECAD 1839年 0.00000000 Texas Instruments - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 SC-74A,SOT-753 TPS2828 反转 未行业行业经验证 4V〜14V SOT-23-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 1V,4V 2a,2a 14ns,14ns
NCP5106AMNTWG onsemi NCP5106AMNTWG -
RFQ
ECAD 1004 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 10-vdfn裸露的垫子 NCP5106 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 10-DFN (4x4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 4,000 独立的 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.3V 250mA,500mA 85ns,35ns 600 v
L6569AD013TR STMicroelectronics L6569AD013TR -
RFQ
ECAD 5263 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) L6569 RC输入电路 未行业行业经验证 10v〜16.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 IGBT,N通道MOSFET - 170mA,270mA - 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库