感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）	SIC
IRS21271PBF	1.6600	询价	250	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	国税局21271	非反相	未验证	9V～20V	8-PDIP	下载					EAR99	8542.39.0001	1	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
DGD05473FNQ-7-52	0.3629	询价	8244	分散公司	汽车，AEC-Q100	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	10-UFDFN 裸露焊盘		CMOS、TTL		4.7V~14V	U-DFN3030-10	下载				31-DGD05473FNQ-7-52			3,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、2.5A	16纳秒、12纳秒	50V
2EDN8533FXTMA1	1.4500	询价	9973	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2EDN8533	反相	未验证	4.5V～20V	PG-DSO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET		5A、5A
UC3705D	-	询价	9258	尤尼罗德	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准		供应商未定义	2156-UC3705D-600018			1
ISL6614IRZ	4.2200	询价	194	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	75	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
MCP14A0451T-E/SN	1.1700	询价	第1371章	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14A0451	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	4.5A、4.5A	9.5纳秒、9纳秒
5962-9579801MPA	29.0900	询价	161	Texas Instruments	*	大部分	的积极				5962-9579801		未验证			下载					EAR99	8542.39.0001	1
ISL89165FRTCZ	3.2600	询价	2	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VFDFN 裸露焊盘	ISL89165	反相、同相	未验证	7.5V～16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	2.4V、9.6V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
LF2113BTR	2.9600	询价	108	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	LF2113	非反相	未验证	10V～20V	16-SOIC	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	212-LF2113BTRCT	EAR99	8542.39.0001	1,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	5V、9.5V	2.5A、2.5A	15纳秒、13纳秒	600伏
ISL6614ACB	1.6200	询价	3	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	14-SOIC	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8542.39.0001	50	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
STDRIVEG600W	1.7283	询价	第1754章	意法半导体	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	死		非反相		4.75V～20V	晶圆	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	497-STDRIVEG600W			第537章	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.45V、2V	5.5A、6A	7纳秒、5纳秒	620伏
2EDN7534FXTMA1	1.4500	询价	1614	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2EDN7534	非反相	未验证	4.5V～20V	PG-DSO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET		5A、5A
MIC4425BWM	-	询价	1862年	微芯片	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4425	反相、同相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
MP1921GQ-BZ	0.8971	询价	2138	单片电力系统公司	国会议员	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘		非反相		9V~18V	10-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	1589-MP1921GQ-B-ZTR			5,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2.5A	12纳秒、9纳秒	120V
MP6539BGV-Z	1.3122	询价	7559	单片电力系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	28-VFQFN 裸露焊盘		非反相		8.5V~14V	28-QFN (4x5)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	1589-MP6539BGV-ZTR			5,000	土耳其	半桥	6	N沟道MOSFET	-	800毫安，1安	-
LM9061QDRQ1	1.9110	询价	5594	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM9061	非反相	未验证	7V~26V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.5V、3.5V	-	-
LM5100CMYE/NOPB	1.2900	询价	5	国家安全委员会	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	8-MSOP-PowerPad	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	1A、1A	990纳秒、715纳秒	118V
IRS2003PBF	1.9300	询价	10	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	国税局2003	反相、同相		10V～20V	8-PDIP	下载					EAR99	8542.39.0001	156	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	70纳秒、35纳秒	200V	未验证
IR2121PBF	-	询价	3155	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）		非反相		12V~18V	8-DIP	-	不符合RoHS标准		供应商未定义	2156-IR2121PBF-600047			1	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.6A、3.3A	43纳秒、26纳秒
ISL6613BCBZ	2.4000	询价	1	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6613	非反相	未验证	7V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
风扇3227CMX	1.0100	询价	第530章	仙童	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3227	非反相		4.5V~18V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	第297章	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	12纳秒、9纳秒		未验证
MIC4224YMME	2.8900	询价	128	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	麦克风4224	非反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4A, 4A	15纳秒，15纳秒
IR2235JPBF	10.1500	询价	1	国际校正器公司	-	大部分	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	红外2235	反相	未验证	10V～20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2V	250毫安、500毫安	90纳秒、40纳秒	1.2V
风扇3225TMPX	-	询价	5368	仙童	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	风扇3225	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-MLP (3x3)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	5A、5A	12纳秒、9纳秒
1SD210F2-CM200HG-130H	-	询价	2855	电源集成	-	托盘	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SD210F2	-	未验证	15.5V～16.8V	模块	-		1（无限制）		1810-1SD210F2-CM200HG-130H	过时的		20	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	6A、10A	100纳秒，100纳秒	1200伏
风扇7080CM	1.0700	询价	6	仙童	汽车，AEC-Q100	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7080	非反相	未验证	5.5V～20V	8-SOIC	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.7V	250毫安、500毫安	40纳秒、25纳秒	600伏
MAX14922ATE+	4.9600	询价	212	ADI/Maxim 集成	-	托盘	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	16-WFQFN 裸露焊盘	MAX14922	非反相	未验证	9V～70V	16-TQFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	第490章	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	-	-	-
ADP3414JRZ-卷轴-AD	1.4700	询价	2	模拟器件公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3414	非反相	未验证	4.15V～7.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	高侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	-	-
IRS2181PBF	2.8200	询价	1	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	国税局2181	非反相	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	1.9A、2.3A	40纳秒、20纳秒	600伏
HIP2105FRZ	0.4676	询价	8514	瑞萨电子美国公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	HIP2105	非反相	未验证	4.5V～5.5V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	20-HIP2105FRZ	EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1.65V、1.3V	4A, 4A	15纳秒，15纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²