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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | SIC | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 通道类型 | 驱动配置 | 司机X | 闸门类型 | 逻辑电压 - VIL、VIH | 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) | 上升/下降T(典型值) | 高侧电压 - 顶部(自举) | SIC |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MCP14A0301T-E/MS | 1.0500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | MCP14A0301 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-MSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | IGBT | 0.8V、2V | 3A、3A | 13纳秒、12纳秒 | ||||
![]() | 1SD210F2-FX200R65KF2 | - | ![]() | 5870 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 托盘 | 过时的 | -40℃~85℃ | 安装结构 | 模块 | 1SD210F2 | - | 未验证 | 15.5V~16.8V | 模块 | - | 1(无限制) | 1810-1SD210F2-FX200R65KF2 | 过时的 | 20 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | IGBT | - | 6A、10A | 100纳秒,100纳秒 | 1200伏 | |||||
ISL89165FRTBZ | 2.6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | ISL89165 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~16V | 8-TDFN (3x3) | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 1.85V、3.15V | 6A, 6A | 20纳秒, 20纳秒 | ||||||||
![]() | UCC27624DR | 1.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | UCC27624 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~26V | 8-SOIC | - | 不适用 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 1.2V、1.8V | 5A、5A | 6纳秒、10纳秒 | |||||
![]() | TDA88240AUMA1 | - | ![]() | 9889 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | TDA88240 | 未验证 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 过时的 | 0000.00.0000 | 5,000 | ||||||||||||||||||
![]() | 风扇7083M | 1.1200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 仙童 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇7083 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 8V、12.6V | 200毫安、400毫安 | 200纳秒、25纳秒 | 600伏 | |||
![]() | MIC4421YM-TR | 2.3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 麦克风4421 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 9A, 9A | 20纳秒、24纳秒 | ||||
![]() | MD1210K6-G | 2.0100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 12-VQFN 裸露焊盘 | MD1210 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~13V | 12-QFN (4x4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.3V、1.2V | 2A, 2A | 6纳秒,6纳秒 | ||||
![]() | EL7243CMZ | - | ![]() | 3919 | 0.00000000 | 伊兰泰克 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 20-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | EL7243 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~16V | 20-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 38 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 2A, 2A | 10ns、10ns(顶部) | ||||||
IX4351NETR | 3.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | IXYS集成电路事业部 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | IX4351 | CMOS、TTL | 未验证 | -10V~25V | 16-SOIC-EP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、碳化硅MOSFET | 1V、2.2V | 9A, 9A | 10纳秒,10纳秒 | |||||
![]() | NCP4413P | 0.4600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | NCP4413 | 未验证 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | ZL1505ALNFT6S2568 | - | ![]() | 4010 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 大部分 | 过时的 | ZL1505 | 未验证 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 20-ZL1505ALNFT6S2568 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | MPQ1923GR-AEC1-P | - | ![]() | 1268 | 0.00000000 | 单片电力系统公司 | 汽车、AEC-Q100、MPQ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | 非反相 | 5V~17V | 8-QFN (4x4) | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1589-MPQ1923GR-AEC1-PTR | 500 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 7A、8A | 7.2纳秒、5.5纳秒 | 120V | ||||||
ISL89167FRTAZ | 3.2600 | ![]() | 第830章 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | ISL89167 | 反相 | 未验证 | 4.5V~16V | 8-TDFN (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 1.22V、2.08V | 6A, 6A | 20纳秒, 20纳秒 | |||||||
![]() | 1SP0335S2M1C-XXXX (2)(3)(4)(5) | 339.2233 | ![]() | 5589 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 的积极 | - | 596-1SP0335S2M1C-XXXX(2)(3)(4)(5) | 6 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1SD210F2-CM900HG-90H | - | ![]() | 5783 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 托盘 | 过时的 | -40℃~85℃ | 安装结构 | 模块 | 1SD210F2 | - | 未验证 | 15.5V~16.8V | 模块 | - | 1(无限制) | 1810-1SD210F2-CM900HG-90H | 过时的 | 20 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | IGBT | - | 6A、10A | 100纳秒,100纳秒 | 680伏 | |||||
![]() | IRS44262SPBF | - | ![]() | 7829 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 国税局44262 | 反相 | 未验证 | 11.2V~20V | 8-SOIC | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 2.3A、3.3A | 25纳秒, 25纳秒 | |||||||
![]() | MAX17602AUA+ | 2.9200 | ![]() | 第397章 | 0.00000000 | ADI/Maxim 集成 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118"、3.00mm宽)裸露焊盘 | MAX17602 | 反相、同相 | 未验证 | 4V~14V | 8-uMAX-EP|8-uSOP-EP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | -4941-MAX17602AUA+ | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.1V | 4A, 4A | 40纳秒、25纳秒 | |||
![]() | 1SP0351V2C0C-XXXX (2)(3)(4) | 391.2200 | ![]() | 9591 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 的积极 | - | 596-1SP0351V2C0C-XXXX(2)(3)(4) | 2 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MPQ18021HS-A-LF | - | ![]() | 3790 | 0.00000000 | 单片电力系统公司 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | MPQ18021 | 非反相 | 未验证 | 9V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 1V、2.4V | 2.5A、2.5A | 12纳秒、9纳秒 | 115V | |||
![]() | LM5110-2M | 0.4000 | ![]() | 5007 | 0.00000000 | 国家安全委员会 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | LM5110 | 反相 | 未验证 | 3.5V~14V | 8-SOIC | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 3A、5A | 14纳秒、12纳秒 | |||||||
![]() | 2SC0435T2F1-17 | 99.7100 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-2+ | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 模块 | 2SC0435 | - | 未验证 | 14.5V~15.5V | 模块 | 下载 | 1(无限制) | 1810-1027 | EAR99 | 8473.30.1180 | 24 | 独立的 | 高侧或低侧 | 2 | IGBT | - | 35A, 35A | 20纳秒, 20纳秒 | 1700伏 | ||||
![]() | ISL89166FBEAZ | 3.2600 | ![]() | 第814章 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | ISL89166 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~16V | 8-SOIC-EP | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 98 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 1.22V、2.08V | 6A, 6A | 20纳秒, 20纳秒 | ||||||
![]() | 2ED2182S06FXUMA1 | 2.9100 | ![]() | 4111 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 2ED2182 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | PG-DSO-8-69 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 448-2ED2182S06FXUMA1CT | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 半桥 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 1.1V、1.7V | 2.5A、2.5A | 15纳秒,15纳秒 | 650伏 | ||
![]() | IRS2308PBF | 2.8900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 104 | 未验证 | |||||||||||||||||||||
![]() | RAA2261104GNP#HA0 | 5.0600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-VQFN 裸露焊盘 | RAA2261104 | 非反相 | 未验证 | 6.5V~18V | 16-QFN (4x4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 1.6V、2.3V | 2A、1.2A | 30纳秒、31纳秒 | ||||
![]() | 98-0206PBF | - | ![]() | 9900 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 过时的 | - | - | - | 98-0206 | - | 未验证 | - | - | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 过时的 | 45 | - | - | - | - | - | - | ||||||
![]() | UCC27512DRSR | 1.1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 140°C (TJ) | 表面贴装 | 6-WDFN 裸露焊盘 | UCC27512 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~18V | 6-SON (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 1V、2.4V | 4A、8A | 8纳秒、7纳秒 | ||||
![]() | AMT49107KEVSR-5-T | 3.1316 | ![]() | 4576 | 0.00000000 | 快板微系统公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 的积极 | -40℃~150℃(TA) | 表面贴装,可湿侧面 | 48-VFQFN 裸露焊盘 | 非反相 | 4.5V~50V | 48-QFN (7x7) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 620-AMT49107KEVSR-5-T | 4,000 | 土耳其 | 半桥 | 6 | N沟道MOSFET | 1.5V、3.5V | 1.1A、2.2A | - | |||||||||
![]() | ISL6620CRZ-T | - | ![]() | 7551 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 0°C ~ 125°C (太焦) | 表面贴装 | 10-VFDFN 裸露焊盘 | ISL6620 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 10-DFN (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 2A, 2A | 8纳秒,8纳秒 | 36V |
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