SIC
close
参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 高侧电压 - 顶部(自举) SIC
MCP14A0301T-E/MS Microchip Technology MCP14A0301T-E/MS 1.0500
询价
ECAD 2 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) MCP14A0301 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-MSOP 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 高侧或低侧 1 IGBT 0.8V、2V 3A、3A 13纳秒、12纳秒
1SD210F2-FX200R65KF2 Power Integrations 1SD210F2-FX200R65KF2 -
询价
ECAD 5870 0.00000000 电源集成 - 托盘 过时的 -40℃~85℃ 安装结构 模块 1SD210F2 - 未验证 15.5V~16.8V 模块 - 1(无限制) 1810-1SD210F2-FX200R65KF2 过时的 20 单身的 高侧或低侧 1 IGBT - 6A、10A 100纳秒,100纳秒 1200伏
ISL89165FRTBZ Intersil ISL89165FRTBZ 2.6300
询价
ECAD 6 0.00000000 Intersil - 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 ISL89165 反相、同相 未验证 4.5V~16V 8-TDFN (3x3) 下载 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.85V、3.15V 6A, 6A 20纳秒, 20纳秒
UCC27624DR Texas Instruments UCC27624DR 1.3900
询价
ECAD 1 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) UCC27624 非反相 未验证 4.5V~26V 8-SOIC - 不适用 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.2V、1.8V 5A、5A 6纳秒、10纳秒
TDA88240AUMA1 Infineon Technologies TDA88240AUMA1 -
询价
ECAD 9889 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 TDA88240 未验证 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 5,000
FAN7083M Fairchild Semiconductor 风扇7083M 1.1200
询价
ECAD 18 0.00000000 仙童 汽车,AEC-Q100 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇7083 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 不适用 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 8V、12.6V 200毫安、400毫安 200纳秒、25纳秒 600伏
MIC4421YM-TR Microchip Technology MIC4421YM-TR 2.3500
询价
ECAD 2 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 麦克风4421 反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 20纳秒、24纳秒
MD1210K6-G Microchip Technology MD1210K6-G 2.0100
询价
ECAD 6 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 12-VQFN 裸露焊盘 MD1210 非反相 未验证 4.5V~13V 12-QFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 5,000 独立的 半桥 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.3V、1.2V 2A, 2A 6纳秒,6纳秒
EL7243CMZ Elantec EL7243CMZ -
询价
ECAD 3919 0.00000000 伊兰泰克 - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 20-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) EL7243 反相、同相 未验证 4.5V~16V 20-SOIC 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 38 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 2A, 2A 10ns、10ns(顶部)
IX4351NETR IXYS Integrated Circuits Division IX4351NETR 3.1600
询价
ECAD 3 0.00000000 IXYS集成电路事业部 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 IX4351 CMOS、TTL 未验证 -10V~25V 16-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,000 单身的 低侧 1 IGBT、碳化硅MOSFET 1V、2.2V 9A, 9A 10纳秒,10纳秒
NCP4413P onsemi NCP4413P 0.4600
询价
ECAD 3 0.00000000 onsemi * 大部分 的积极 NCP4413 未验证 下载 不符合RoHS标准 3(168小时) REACH旅行 EAR99 8542.39.0001 1
ZL1505ALNFT6S2568 Renesas Electronics America Inc ZL1505ALNFT6S2568 -
询价
ECAD 4010 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 大部分 过时的 ZL1505 未验证 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 20-ZL1505ALNFT6S2568 过时的 0000.00.0000 1
MPQ1923GR-AEC1-P Monolithic Power Systems Inc. MPQ1923GR-AEC1-P -
询价
ECAD 1268 0.00000000 单片电力系统公司 汽车、AEC-Q100、MPQ 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 非反相 5V~17V 8-QFN (4x4) - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 1589-MPQ1923GR-AEC1-PTR 500 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET - 7A、8A 7.2纳秒、5.5纳秒 120V
ISL89167FRTAZ Intersil ISL89167FRTAZ 3.2600
询价
ECAD 第830章 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 ISL89167 反相 未验证 4.5V~16V 8-TDFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.22V、2.08V 6A, 6A 20纳秒, 20纳秒
1SP0335S2M1C-XXXX (2)(3)(4)(5) Power Integrations 1SP0335S2M1C-XXXX (2)(3)(4)(5) 339.2233
询价
ECAD 5589 0.00000000 电源集成 - 大部分 的积极 - 596-1SP0335S2M1C-XXXX(2)(3)(4)(5) 6
1SD210F2-CM900HG-90H Power Integrations 1SD210F2-CM900HG-90H -
询价
ECAD 5783 0.00000000 电源集成 - 托盘 过时的 -40℃~85℃ 安装结构 模块 1SD210F2 - 未验证 15.5V~16.8V 模块 - 1(无限制) 1810-1SD210F2-CM900HG-90H 过时的 20 单身的 高侧或低侧 1 IGBT - 6A、10A 100纳秒,100纳秒 680伏
IRS44262SPBF International Rectifier IRS44262SPBF -
询价
ECAD 7829 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 国税局44262 反相 未验证 11.2V~20V 8-SOIC 下载 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 2.3A、3.3A 25纳秒, 25纳秒
MAX17602AUA+ ADI/Maxim Integrated MAX17602AUA+ 2.9200
询价
ECAD 第397章 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP(0.118"、3.00mm宽)裸露焊盘 MAX17602 反相、同相 未验证 4V~14V 8-uMAX-EP|8-uSOP-EP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 -4941-MAX17602AUA+ EAR99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.1V 4A, 4A 40纳秒、25纳秒
1SP0351V2C0C-XXXX (2)(3)(4) Power Integrations 1SP0351V2C0C-XXXX (2)(3)(4) 391.2200
询价
ECAD 9591 0.00000000 电源集成 - 大部分 的积极 - 596-1SP0351V2C0C-XXXX(2)(3)(4) 2
MPQ18021HS-A-LF Monolithic Power Systems Inc. MPQ18021HS-A-LF -
询价
ECAD 3790 0.00000000 单片电力系统公司 - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) MPQ18021 非反相 未验证 9V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 100 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2.4V 2.5A、2.5A 12纳秒、9纳秒 115V
LM5110-2M National Semiconductor LM5110-2M 0.4000
询价
ECAD 5007 0.00000000 国家安全委员会 - 大部分 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) LM5110 反相 未验证 3.5V~14V 8-SOIC 下载 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 3A、5A 14纳秒、12纳秒
2SC0435T2F1-17 Power Integrations 2SC0435T2F1-17 99.7100
询价
ECAD 23 0.00000000 电源集成 规模™-2+ 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 模块 2SC0435 - 未验证 14.5V~15.5V 模块 下载 1(无限制) 1810-1027 EAR99 8473.30.1180 24 独立的 高侧或低侧 2 IGBT - 35A, 35A 20纳秒, 20纳秒 1700伏
ISL89166FBEAZ Intersil ISL89166FBEAZ 3.2600
询价
ECAD 第814章 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 ISL89166 非反相 未验证 4.5V~16V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 98 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.22V、2.08V 6A, 6A 20纳秒, 20纳秒
2ED2182S06FXUMA1 Infineon Technologies 2ED2182S06FXUMA1 2.9100
询价
ECAD 4111 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 2ED2182 非反相 未验证 10V~20V PG-DSO-8-69 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 448-2ED2182S06FXUMA1CT EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 1 IGBT、N沟道MOSFET 1.1V、1.7V 2.5A、2.5A 15纳秒,15纳秒 650伏
IRS2308PBF International Rectifier IRS2308PBF 2.8900
询价
ECAD 9 0.00000000 国际校正器公司 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8542.39.0001 104 未验证
RAA2261104GNP#HA0 Renesas Electronics America Inc RAA2261104GNP#HA0 5.0600
询价
ECAD 5 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 16-VQFN 裸露焊盘 RAA2261104 非反相 未验证 6.5V~18V 16-QFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.6V、2.3V 2A、1.2A 30纳秒、31纳秒
98-0206PBF Infineon Technologies 98-0206PBF -
询价
ECAD 9900 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 - - - 98-0206 - 未验证 - - - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 过时的 45 - - - - - -
UCC27512DRSR Texas Instruments UCC27512DRSR 1.1800
询价
ECAD 2 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 140°C (TJ) 表面贴装 6-WDFN 裸露焊盘 UCC27512 反相、同相 未验证 4.5V~18V 6-SON (3x3) 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 1V、2.4V 4A、8A 8纳秒、7纳秒
AMT49107KEVSR-5-T Allegro MicroSystems AMT49107KEVSR-5-T 3.1316
询价
ECAD 4576 0.00000000 快板微系统公司 汽车,AEC-Q100 大部分 的积极 -40℃~150℃(TA) 表面贴装,可湿侧面 48-VFQFN 裸露焊盘 非反相 4.5V~50V 48-QFN (7x7) 下载 符合ROHS3标准 620-AMT49107KEVSR-5-T 4,000 土耳其 半桥 6 N沟道MOSFET 1.5V、3.5V 1.1A、2.2A -
ISL6620CRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6620CRZ-T -
询价
ECAD 7551 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 10-VFDFN 裸露焊盘 ISL6620 非反相 未验证 4.5V~5.5V 10-DFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 2A, 2A 8纳秒,8纳秒 36V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库