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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
LM5110-3SDX/NOPB	1.2300	RFQ	5033	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5110	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
tps2813p	2.0831	RFQ	7021	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TPS2813	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
IXDI509D1	-	RFQ	2241	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	IXDI509	反转	未行业行业经验证	4.5V〜30V	6-DFN （4x5）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	56	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	9a，9a	25ns，23ns
UCC27221PWPRG4	-	RFQ	1611	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜115°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	UCC27221	反转	未行业行业经验证	3.7V〜20V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，2.6V	4a，4a	17ns，17ns
MCP1416T-E/OTVAO	-	RFQ	5846	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SC-74A，SOT-753	MCP1416	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	18NS，21NS
UC2715D	3.6900	RFQ	203	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UC2715	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
ISL6612BEIBZ-T	-	RFQ	5697	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TC4429CAT	3.9700	RFQ	206	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	TC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	TC4429CAT-NDR	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	25n，25n
MCP1406T-E/MF	1.4700	RFQ	5182	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP1406	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP1406T-E/MFTR	Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	6a，6a	20N，20N
p9090-0nlgi	-	RFQ	6929	Renesas Electronics America Inc	*	托盘	积极的				P9090-0		未行业行业经验证			-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100
LTC3901EGN＃trpbf	4.7100	RFQ	4691	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm）	LTC3901	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜11V	16ssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	15ns，15ns
ISL6614BIRZ-T	-	RFQ	5375	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	16 QFN （4x4）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
ISL6612CR-T	-	RFQ	2934	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
MIC4224MME-TR	2.8900	RFQ	4	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	MIC4224	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	4a，4a	15ns，15ns
RT9624AZ	0.8000	RFQ	7	Richtek USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RT9624	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜13.2V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，3.2V	-	25ns，12ns	15 v
IR2117SPBF	2.6900	RFQ	1	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2117	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
2DU180206MR04	161.6000	RFQ	4	塔穆拉	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	底盘安装	模块	2DU180206	-	未行业行业经验证	5V	模块	-	rohs3符合条件	不适用		132-2DU180206MR04	Ear99	8542.39.0001	20	独立的	半桥	2	IGBT，SIC MOSFET	-	-	500NS，500NS
IRS2509CD	-	RFQ	8249	Infineon技术	-	大部分	过时的				IRS2509		未行业行业经验证			下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001548882	Ear99	8542.39.0001	1
EB01-FS450R17KE3	-	RFQ	5404	电源集成	Scale™-1	大部分	过时的	-40°C〜85°C	底盘安装	模块	EB01-FS450	-	未行业行业经验证	-	模块	下载		（1 （无限）			Ear99	8473.30.1180	1	-	-		IGBT	-	-	-	1200 v
DGD2110S16-13	2.2100	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	DGD2110	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	16件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	2.5a，2.5a	15ns，13ns	500 v
TC4423VOE713	2.8300	RFQ	6070	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4423VOE713-NDR	Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
adp3654ardz-rl	2.8500	RFQ	4	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3654	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	4a，4a	10n，10n
IR21365JPBF	-	RFQ	3211	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IR21365	反转	未行业行业经验证	12v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载		3（168））	到达不受影响	*IR21365JPBF	Ear99	8542.39.0001	27	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
MIC4429YM	2.0600	RFQ	860	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4429	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
IXDI614SITR	4.9300	RFQ	3	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDI614	反转	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	14a，14a	25NS，18NS
El7412cm	-	RFQ	9305	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	EL7412	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	20-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	38	独立的	半桥	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	7.5NS，10NS
MIC4128YML-TR	1.2200	RFQ	8	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	MIC4128	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-vdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	5,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，18NS
TC4424EMF	1.7850	RFQ	6016	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4424EMF-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
NCP81158DMNTXG	0.2306	RFQ	7453	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	NCP81158	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	8-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	同步	半桥	2	n通道，p通道MOSFET	0.6V，3.3V	-	16ns，11ns
TC4425AVPA	2.5300	RFQ	149	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4425	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	12n，12ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²