感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）	SIC
ISL89167FRTAZ	3.2600	询价	第830章	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	ISL89167	反相	未验证	4.5V～16V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
1SP0335S2M1C-XXXX (2)(3)(4)(5)	339.2233	询价	5589	电源集成	-	大部分	的积极									-				596-1SP0335S2M1C-XXXX(2)(3)(4)(5)			6
1SD210F2-CM900HG-90H	-	询价	5783	电源集成	-	托盘	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SD210F2	-	未验证	15.5V～16.8V	模块	-		1（无限制）		1810-1SD210F2-CM900HG-90H	过时的		20	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	6A、10A	100纳秒，100纳秒	680伏
IRS44262SPBF	-	询价	7829	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局44262	反相	未验证	11.2V～20V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	2.3A、3.3A	25纳秒, 25纳秒
MAX17602AUA+	2.9200	询价	第397章	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	MAX17602	反相、同相	未验证	4V~14V	8-uMAX-EP\|8-uSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX17602AUA+	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.1V	4A, 4A	40纳秒、25纳秒
1SP0351V2C0C-XXXX (2)(3)(4)	391.2200	询价	9591	电源集成	-	大部分	的积极									-				596-1SP0351V2C0C-XXXX(2)(3)(4)			2
MPQ18021HS-A-LF	-	询价	3790	单片电力系统公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MPQ18021	非反相	未验证	9V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2.4V	2.5A、2.5A	12纳秒、9纳秒	115V
LM5110-2M	0.4000	询价	5007	国家安全委员会	-	大部分	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5110	反相	未验证	3.5V～14V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、5A	14纳秒、12纳秒
2SC0435T2F1-17	99.7100	询价	23	电源集成	规模™-2+	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	模块	2SC0435	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载		1（无限制）		1810-1027	EAR99	8473.30.1180	24	独立的	高侧或低侧	2	IGBT	-	35A, 35A	20纳秒, 20纳秒	1700伏
ISL89166FBEAZ	3.2600	询价	第814章	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89166	非反相	未验证	4.5V～16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
2ED2182S06FXUMA1	2.9100	询价	4111	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2ED2182	非反相	未验证	10V～20V	PG-DSO-8-69	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	448-2ED2182S06FXUMA1CT	EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	1	IGBT、N沟道MOSFET	1.1V、1.7V	2.5A、2.5A	15纳秒，15纳秒	650伏
IRS2308PBF	2.8900	询价	9	国际校正器公司	*	大部分	的积极									下载					EAR99	8542.39.0001	104									未验证
RAA2261104GNP#HA0	5.0600	询价	5	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	RAA2261104	非反相	未验证	6.5V～18V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.6V、2.3V	2A、1.2A	30纳秒、31纳秒
98-0206PBF	-	询价	9900	英飞凌科技	-	管子	过时的	-	-	-	98-0206	-	未验证	-	-	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		过时的		45	-	-		-	-	-	-
UCC27512DRSR	1.1800	询价	2	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	UCC27512	反相、同相	未验证	4.5V~18V	6-SON (3x3)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	1V、2.4V	4A、8A	8纳秒、7纳秒
AMT49107KEVSR-5-T	3.1316	询价	4576	快板微系统公司	汽车，AEC-Q100	大部分	的积极	-40℃～150℃（TA）	表面贴装，可湿侧面	48-VFQFN 裸露焊盘		非反相		4.5V～50V	48-QFN (7x7)	下载	符合ROHS3标准			620-AMT49107KEVSR-5-T			4,000	土耳其	半桥	6	N沟道MOSFET	1.5V、3.5V	1.1A、2.2A	-
ISL6620CRZ-T	-	询价	7551	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6620	非反相	未验证	4.5V～5.5V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	36V
ADP3412JR-卷盘	-	询价	9104	模拟器件公司	-	大部分	过时的		表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3412		未验证	4.15V～7.5V	8-SOIC	下载		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2					30V
ISL89164FBECZ	-	询价	4589	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89164	反相	未验证	7.5V～16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-ISL89164FBECZ	EAR99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	2.4V、9.6V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
IRS2184PBF	2.6500	询价	7	国际校正器公司	*	大部分	的积极				国税局2184					下载					EAR99	8542.39.0001	114
TPS2811PE4	-	询价	第1462章	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TPS2811	反相		4V~14V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	同步化	低侧	2	N沟道MOSFET	1V、4V	2A, 2A	14纳秒、15纳秒		未验证
NCP3418D	0.2400	询价	5	onsemi	*	大部分	的积极				NCP3418		未验证			下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1
FAN7081MX-SN00035	2.0900	询价	2	仙童	-	大部分	的积极	-	-	-	风扇7081	-	未验证	-	-	-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	2,500人	-	-		-	-	-	-
AUIRS2004STR	-	询价	6944	国际校正器公司	-	大部分	过时的		表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2004年AUIIRS	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载						0000.00.0000	1		半桥	2					200V
MP1922GV-Z	2.9500	询价	4	单片电力系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 165°C (TJ)	表面贴装	22-VFQFN 裸露焊盘	MP1922	非反相	未验证	0V～100V	22-QFN (4x5)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	1589-MP1922GV-ZTR	EAR99	8542.39.0001	5,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、4A	-	115V
MCP14E5T-E/MF	2.2050	询价	1054	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCP14E5	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	MCP14E5T-E/MFTR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4A, 4A	15纳秒、18纳秒
5962-89611012A	-	询价	4656	Texas Instruments	*	管子	的积极									下载	符合ROHS3标准	不适用		296-5962-89611012A			1
UC3705T-UN	4.6700	询价	10	尤尼罗德	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	TO-220-5	UC3705	反相、同相	未验证	5V～40V	TO-220-5	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.5A、1.5A	60纳秒, 60纳秒
IR21271PBF	2.0800	询价	21	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR21271	非反相	未验证	9V～20V	8-PDIP	下载					EAR99	8542.39.0001	1	单身的	高侧或低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	250毫安、500毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
LM5111-1M	-	询价	6675	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5111	非反相	未验证	3.5V～14V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	3A、5A	14纳秒、12纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²