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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | SIC | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 通道类型 | 驱动配置 | 司机X | 闸门类型 | 逻辑电压 - VIL、VIH | 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) | 上升/下降T(典型值) | 高侧电压 - 顶部(自举) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ISL89168FBEAZ-T | - | ![]() | 6069 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | ISL89168 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~16V | 8-SOIC-EP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 1.22V、2.08V | 6A, 6A | 20纳秒, 20纳秒 | |||
![]() | MCP14A1201T-E/SN | 1.7400 | ![]() | 5491 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | MCP14A1201 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2V | 12A, 12A | 25纳秒, 25纳秒 | |||
![]() | 2SP0320T2D0-12 | 181.2167 | ![]() | 3718 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-2 | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 安装结构 | 模块 | 非反相 | 14.5V~15.5V | 模块 | - | 596-2SP0320T2D0-12 | 3 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT | - | 20A、20A | 7纳秒、25纳秒 | 1200伏 | ||||||||
![]() | IR2131STRPBF | 5.1600 | ![]() | 132 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 28-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | IR2131 | 反相 | 未验证 | 10V~20V | 28-SOIC | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 6 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 250毫安、500毫安 | 80纳秒、40纳秒 | 600伏 | |||||
![]() | IR2110CX6SA1 | - | ![]() | 2590 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | * | 管子 | 过时的 | IR2110 | 未验证 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | MCP14A1201T-E/MSVAO | - | ![]() | 3435 | 0.00000000 | 微芯片 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | MCP14A1201 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-MSOP | 下载 | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2V | 12A, 12A | 25纳秒, 25纳秒 | |||||
![]() | FAN3213TMX-F085 | 1.2900 | ![]() | 17号 | 0.00000000 | 仙童 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇3213 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步化 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | 5A、5A | 12纳秒、9纳秒 | ||||||
![]() | 1EDN7146UXTSA1 | 0.8800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | 1EDN7146 | 未验证 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 4,500 | ||||||||||||||||
![]() | HIP2210FRTZ-T | 2.0000 | ![]() | 41 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 10-WDFN 裸露焊盘 | HIP2210 | 非反相 | 未验证 | 6V~18V | 10-TDFN (4x4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 1.47V、1.84V | 3A、4A | 435纳秒、365纳秒 | 115V | ||
![]() | IR2127STRPBF | - | ![]() | 9785 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IR2127 | 非反相 | 未验证 | 12V~20V | 8-SOIC | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、3V | 250毫安、500毫安 | 80纳秒、40纳秒 | 600伏 | |||||
![]() | NCV303150MTW | - | ![]() | 6091 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 39-PowerWFQFN | NCV303150 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 39-WQFNW (5x6) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 488-NCV303150MTWTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 高侧和低侧 | 1 | N沟道MOSFET | 0.85V、2.3V | 80A、80A | 17纳秒、26纳秒 | ||
![]() | ADP3120AJRZ | 0.8000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 大部分 | 的积极 | -20°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | ADP3120 | 反相、同相 | 未验证 | 4.6V~13.2V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | - | 20纳秒、11纳秒 | 35V | ||
![]() | HIP5011IS | 4.0000 | ![]() | 340 | 0.00000000 | Intersil | 同步场效应晶体管™ | 大部分 | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | HIP5011 | 非反相 | 未验证 | 9.6V~14.4V | 7-鸥翼SIP | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 17A, 17A | 20纳秒, 20纳秒 | |||
![]() | 2SP0320V2A0-XXXX (2)(3)(4) | 188.9433 | ![]() | 3077 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 大部分 | 的积极 | - | 596-2SP0320V2A0-XXXX(2)(3)(4) | 3 | ||||||||||||||||||||||
![]() | ISL6614CRZ-TR5238 | 2.5100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 过时的 | 0°C ~ 125°C (太焦) | 表面贴装 | 16-VQFN 裸露焊盘 | ISL6614 | 非反相 | 未验证 | 10.8V~13.2V | 16-QFN (4x4) | - | 不适用 | EAR99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步化 | 半桥 | 4 | N沟道MOSFET | - | 1.25A、2A | 26纳秒、18纳秒 | 36V | ||||
![]() | 2DU180206MR04 | 161.6000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 田村 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 安装结构 | 模块 | 2DU180206 | - | 未验证 | 5V | 模块 | - | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 132-2DU180206MR04 | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、碳化硅MOSFET | - | - | 500纳秒、500纳秒 | |||
![]() | MCP14A0301T-E/MS | 1.0500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | MCP14A0301 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-MSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | IGBT | 0.8V、2V | 3A、3A | 13纳秒、12纳秒 | |||
![]() | 1SD210F2-FX200R65KF2 | - | ![]() | 5870 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 托盘 | 过时的 | -40℃~85℃ | 安装结构 | 模块 | 1SD210F2 | - | 未验证 | 15.5V~16.8V | 模块 | - | 1(无限制) | 1810-1SD210F2-FX200R65KF2 | 过时的 | 20 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | IGBT | - | 6A、10A | 100纳秒,100纳秒 | 1200伏 | ||||
ISL89165FRTBZ | 2.6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | ISL89165 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~16V | 8-TDFN (3x3) | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 1.85V、3.15V | 6A, 6A | 20纳秒, 20纳秒 | |||||||
![]() | UCC27624DR | 1.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | UCC27624 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~26V | 8-SOIC | - | 不适用 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 1.2V、1.8V | 5A、5A | 6纳秒、10纳秒 | ||||
![]() | TDA88240AUMA1 | - | ![]() | 9889 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | TDA88240 | 未验证 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 过时的 | 0000.00.0000 | 5,000 | |||||||||||||||||
![]() | 风扇7083M | 1.1200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 仙童 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇7083 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 8V、12.6V | 200毫安、400毫安 | 200纳秒、25纳秒 | 600伏 | ||
![]() | MIC4421YM-TR | 2.3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 麦克风4421 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 9A, 9A | 20纳秒、24纳秒 | |||
![]() | MD1210K6-G | 2.0100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 12-VQFN 裸露焊盘 | MD1210 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~13V | 12-QFN (4x4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.3V、1.2V | 2A, 2A | 6纳秒,6纳秒 | |||
![]() | EL7243CMZ | - | ![]() | 3919 | 0.00000000 | 伊兰泰克 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 20-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | EL7243 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~16V | 20-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 38 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 2A, 2A | 10ns、10ns(顶部) | |||||
IX4351NETR | 3.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | IXYS集成电路事业部 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | IX4351 | CMOS、TTL | 未验证 | -10V~25V | 16-SOIC-EP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、碳化硅MOSFET | 1V、2.2V | 9A, 9A | 10纳秒,10纳秒 | ||||
![]() | NCP4413P | 0.4600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | NCP4413 | 未验证 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | ZL1505ALNFT6S2568 | - | ![]() | 4010 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 大部分 | 过时的 | ZL1505 | 未验证 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 20-ZL1505ALNFT6S2568 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | MPQ1923GR-AEC1-P | - | ![]() | 1268 | 0.00000000 | 单片电力系统公司 | 汽车、AEC-Q100、MPQ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | 非反相 | 5V~17V | 8-QFN (4x4) | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1589-MPQ1923GR-AEC1-PTR | 500 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 7A、8A | 7.2纳秒、5.5纳秒 | 120V | |||||
ISL89167FRTAZ | 3.2600 | ![]() | 第830章 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | ISL89167 | 反相 | 未验证 | 4.5V~16V | 8-TDFN (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 1.22V、2.08V | 6A, 6A | 20纳秒, 20纳秒 |
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