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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
TC4426CPA	2.0000	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
IXDF604PI	2.2100	RFQ	2	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXDF604	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8点	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	4a，4a	9NS，8NS
98-0065	-	RFQ	7243	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2117	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
TPS2834D	2.4882	RFQ	9990	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	TPS2834	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜15V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	2.7a，2.4a	50n，40n	28 V
IR2117pbf	4.3700	RFQ	536	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2117	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
MIC4479ME-T5	-	RFQ	3456	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4479	反转	未行业行业经验证	4.5V〜32V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	2.5a，2.5a	120NS，45NS
ICL7667CPA	-	RFQ	9070	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	ICL7667	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	50	独立的	-	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，20N
ISL89164FBECZ	-	RFQ	4589	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL89164	反转	未行业行业经验证	7.5V〜16V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-isl89164fbecz	Ear99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2.4V，9.6V	6a，6a	20N，20N
IRS2336DJTRPBF	6.8257	RFQ	4989	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	44-LCC（J-LEAD），32个领先优势	IRS2336	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	44-PLCC，32 条线索（16.58x16.58）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
max8811eee+t	-	RFQ	5794	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	16ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm）	max8811		未行业行业经验证	4.5V〜7V	16-qsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	4
Auirs2301s	-	RFQ	5410	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Auirs2301	反转	未行业行业经验证	5v〜20V	8-SOIC	下载		3（168））	到达不受影响	SP001511526	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	200mA，350mA	130ns，50ns	600 v
MCP14E10T-E/MF	2.0850	RFQ	3836	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP14E10	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	3a，3a	25n，25n
FAD7191M1X	4.1000	RFQ	2635	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	FAD7191	不转变	未行业行业经验证	10v〜22v	14分	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方面或低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1.2V，2.5V	4.5a，4.5a	25n，25n	600 v
LM5109AMA/NOPB	1.7900	RFQ	160	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5109	不转变	未行业行业经验证	8v〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	15ns，15ns	108 v
Fan5009m	-	RFQ	7199	Onmi	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan5009	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜13.5V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	-	40NS，20NS	15 v
IRS2001pbf	2.3464	RFQ	8033	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2001	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001542642	Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	200 v
tps2813pw	-	RFQ	6626	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TPS2813	反转，无变形	未行业行业经验证	4V〜14V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	300	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，15ns
IX21844N	-	RFQ	8558	ixys集成电路部门	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IX21844	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	CLA409	Ear99	8542.39.0001	25	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	1.4a，1.8a	23ns，14ns	600 v
MCP14E5T-E/MF	2.2050	RFQ	1054	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP14E5	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E5T-E/MFTR	Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	4a，4a	15NS，18NS
fzl4146ggegeuma1	-	RFQ	4112	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	FZL4146	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜40V	PG-DSO-20-7	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	高方向	4	P通道MOSFET	0.7V，2.4V	-	-
AUIR3240STR	4.6000	RFQ	2	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIR3240	不转变	未行业行业经验证	4v〜36V	PG-DSO-8-903	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.9V，2.5V	-	-
IR2102	-	RFQ	1400	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2102	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IR2102	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
IR2125STRPBF	4.6100	RFQ	379	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2125	不转变	未行业行业经验证	0v〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，3.3a	43ns，26ns	500 v
MIC4478ME-TR	-	RFQ	3381	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4478	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜32V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	2.5a，2.5a	120NS，45NS
LT1158ISW ＃PBF	11.3700	RFQ	8938	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	LT1158	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜30V	16件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	47	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，500mA	130ns，120ns	56 v
UCC27511ADBVR	1.2700	RFQ	1531年	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	UCC27511	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.4V	4a，8a	8NS，7NS
LTC1623IS8＃PBF	5.1055	RFQ	2008	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC1623	不转变	未行业行业经验证	2.7V〜5.5V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	高方向	2	n通道MOSFET	0.6V，1.4V	-	-
TC4427ACOA713	1.5400	RFQ	290	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
MCP14A0453T-E/SN	1.5500	RFQ	496	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14A0453	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT	0.8V，2V	4.5a，4.5a	12n，12ns
2EDN8523GXTMA1	0.6683	RFQ	6075	Infineon技术	eicedriver™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫	2EDN8523	反转	未行业行业经验证	4.5V〜20V	PG-WSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.1V，1.98V	5a，5a	5.3NS，4.5NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²