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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 高侧电压 - 顶部(自举)
ISL89168FBEAZ-T Renesas Electronics America Inc ISL89168FBEAZ-T -
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ECAD 6069 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 ISL89168 反相、同相 未验证 4.5V~16V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.22V、2.08V 6A, 6A 20纳秒, 20纳秒
MCP14A1201T-E/SN Microchip Technology MCP14A1201T-E/SN 1.7400
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ECAD 5491 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) MCP14A1201 反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 12A, 12A 25纳秒, 25纳秒
2SP0320T2D0-12 Power Integrations 2SP0320T2D0-12 181.2167
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ECAD 3718 0.00000000 电源集成 规模™-2 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 安装结构 模块 非反相 14.5V~15.5V 模块 - 596-2SP0320T2D0-12 3 独立的 半桥 2 IGBT - 20A、20A 7纳秒、25纳秒 1200伏
IR2131STRPBF International Rectifier IR2131STRPBF 5.1600
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ECAD 132 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 28-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) IR2131 反相 未验证 10V~20V 28-SOIC 下载 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 250毫安、500毫安 80纳秒、40纳秒 600伏
IR2110CX6SA1 Infineon Technologies IR2110CX6SA1 -
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ECAD 2590 0.00000000 英飞凌科技 * 管子 过时的 IR2110 未验证 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 1
MCP14A1201T-E/MSVAO Microchip Technology MCP14A1201T-E/MSVAO -
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ECAD 3435 0.00000000 微芯片 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) MCP14A1201 反相 未验证 4.5V~18V 8-MSOP 下载 REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 12A, 12A 25纳秒, 25纳秒
FAN3213TMX-F085 Fairchild Semiconductor FAN3213TMX-F085 1.2900
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ECAD 17号 0.00000000 仙童 汽车,AEC-Q100 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇3213 反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 EAR99 8542.39.0001 1 同步化 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V 5A、5A 12纳秒、9纳秒
1EDN7146UXTSA1 Infineon Technologies 1EDN7146UXTSA1 0.8800
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ECAD 4 0.00000000 英飞凌科技 * 卷带式 (TR) 的积极 1EDN7146 未验证 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 4,500
HIP2210FRTZ-T Renesas Electronics America Inc HIP2210FRTZ-T 2.0000
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ECAD 41 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 10-WDFN 裸露焊盘 HIP2210 非反相 未验证 6V~18V 10-TDFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1.47V、1.84V 3A、4A 435纳秒、365纳秒 115V
IR2127STRPBF International Rectifier IR2127STRPBF -
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ECAD 9785 0.00000000 国际校正器公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IR2127 非反相 未验证 12V~20V 8-SOIC 下载 EAR99 8542.39.0001 1 单身的 高侧或低侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、3V 250毫安、500毫安 80纳秒、40纳秒 600伏
NCV303150MTW onsemi NCV303150MTW -
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ECAD 6091 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 最后一次购买 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 39-PowerWFQFN NCV303150 非反相 未验证 4.5V~5.5V 39-WQFNW (5x6) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 488-NCV303150MTWTR EAR99 8542.39.0001 3,000 单身的 高侧和低侧 1 N沟道MOSFET 0.85V、2.3V 80A、80A 17纳秒、26纳秒
ADP3120AJRZ ADI ADP3120AJRZ 0.8000
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ECAD 9 0.00000000 模拟器件公司 - 大部分 的积极 -20°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) ADP3120 反相、同相 未验证 4.6V~13.2V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V - 20纳秒、11纳秒 35V
HIP5011IS Intersil HIP5011IS 4.0000
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ECAD 340 0.00000000 Intersil 同步场效应晶体管™ 大部分 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA HIP5011 非反相 未验证 9.6V~14.4V 7-鸥翼SIP 下载 不符合RoHS标准 3(168小时) REACH旅行 EAR99 8542.39.0001 1 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 17A, 17A 20纳秒, 20纳秒
2SP0320V2A0-XXXX (2)(3)(4) Power Integrations 2SP0320V2A0-XXXX (2)(3)(4) 188.9433
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ECAD 3077 0.00000000 电源集成 - 大部分 的积极 - 596-2SP0320V2A0-XXXX(2)(3)(4) 3
ISL6614CRZ-TR5238 Intersil ISL6614CRZ-TR5238 2.5100
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ECAD 4 0.00000000 Intersil - 大部分 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 16-VQFN 裸露焊盘 ISL6614 非反相 未验证 10.8V~13.2V 16-QFN (4x4) - 不适用 EAR99 8542.39.0001 6,000 同步化 半桥 4 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
2DU180206MR04 Tamura 2DU180206MR04 161.6000
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ECAD 4 0.00000000 田村 - 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 安装结构 模块 2DU180206 - 未验证 5V 模块 - 符合ROHS3标准 不适用 132-2DU180206MR04 EAR99 8542.39.0001 20 独立的 半桥 2 IGBT、碳化硅MOSFET - - 500纳秒、500纳秒
MCP14A0301T-E/MS Microchip Technology MCP14A0301T-E/MS 1.0500
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ECAD 2 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) MCP14A0301 反相、同相 未验证 4.5V~18V 8-MSOP 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 高侧或低侧 1 IGBT 0.8V、2V 3A、3A 13纳秒、12纳秒
1SD210F2-FX200R65KF2 Power Integrations 1SD210F2-FX200R65KF2 -
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ECAD 5870 0.00000000 电源集成 - 托盘 过时的 -40℃~85℃ 安装结构 模块 1SD210F2 - 未验证 15.5V~16.8V 模块 - 1(无限制) 1810-1SD210F2-FX200R65KF2 过时的 20 单身的 高侧或低侧 1 IGBT - 6A、10A 100纳秒,100纳秒 1200伏
ISL89165FRTBZ Intersil ISL89165FRTBZ 2.6300
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ECAD 6 0.00000000 Intersil - 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 ISL89165 反相、同相 未验证 4.5V~16V 8-TDFN (3x3) 下载 EAR99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.85V、3.15V 6A, 6A 20纳秒, 20纳秒
UCC27624DR Texas Instruments UCC27624DR 1.3900
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ECAD 1 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) UCC27624 非反相 未验证 4.5V~26V 8-SOIC - 不适用 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.2V、1.8V 5A、5A 6纳秒、10纳秒
TDA88240AUMA1 Infineon Technologies TDA88240AUMA1 -
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ECAD 9889 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 TDA88240 未验证 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 5,000
FAN7083M Fairchild Semiconductor 风扇7083M 1.1200
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ECAD 18 0.00000000 仙童 汽车,AEC-Q100 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇7083 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 不适用 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 8V、12.6V 200毫安、400毫安 200纳秒、25纳秒 600伏
MIC4421YM-TR Microchip Technology MIC4421YM-TR 2.3500
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ECAD 2 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 麦克风4421 反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 20纳秒、24纳秒
MD1210K6-G Microchip Technology MD1210K6-G 2.0100
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ECAD 6 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -20°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 12-VQFN 裸露焊盘 MD1210 非反相 未验证 4.5V~13V 12-QFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 5,000 独立的 半桥 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.3V、1.2V 2A, 2A 6纳秒,6纳秒
EL7243CMZ Elantec EL7243CMZ -
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ECAD 3919 0.00000000 伊兰泰克 - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 20-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) EL7243 反相、同相 未验证 4.5V~16V 20-SOIC 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 38 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 2A, 2A 10ns、10ns(顶部)
IX4351NETR IXYS Integrated Circuits Division IX4351NETR 3.1600
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ECAD 3 0.00000000 IXYS集成电路事业部 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 IX4351 CMOS、TTL 未验证 -10V~25V 16-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,000 单身的 低侧 1 IGBT、碳化硅MOSFET 1V、2.2V 9A, 9A 10纳秒,10纳秒
NCP4413P onsemi NCP4413P 0.4600
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ECAD 3 0.00000000 onsemi * 大部分 的积极 NCP4413 未验证 下载 不符合RoHS标准 3(168小时) REACH旅行 EAR99 8542.39.0001 1
ZL1505ALNFT6S2568 Renesas Electronics America Inc ZL1505ALNFT6S2568 -
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ECAD 4010 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 大部分 过时的 ZL1505 未验证 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 20-ZL1505ALNFT6S2568 过时的 0000.00.0000 1
MPQ1923GR-AEC1-P Monolithic Power Systems Inc. MPQ1923GR-AEC1-P -
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ECAD 1268 0.00000000 单片电力系统公司 汽车、AEC-Q100、MPQ 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 非反相 5V~17V 8-QFN (4x4) - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 1589-MPQ1923GR-AEC1-PTR 500 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET - 7A、8A 7.2纳秒、5.5纳秒 120V
ISL89167FRTAZ Intersil ISL89167FRTAZ 3.2600
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ECAD 第830章 0.00000000 Intersil - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 ISL89167 反相 未验证 4.5V~16V 8-TDFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.39.0001 100 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 1.22V、2.08V 6A, 6A 20纳秒, 20纳秒
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库