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感应驱动器(7161)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 高侧电压 - 顶部（自举）
LM5109BSDX/NOPB Texas Instruments LM5109BSDX/NOPB 1.3200
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 ECAD 3 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-WDFN 裸露焊盘 LM5109 非反相 未验证 8V~14V 8-WSON (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 4,500 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 1A、1A 15纳秒，15纳秒 108V
ISL6615ACBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6615ACBZ-T -
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 ECAD 2819 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） ISL6615 非反相 未验证 6.8V～13.2V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 2.5A、4A 13纳秒、10纳秒 36V
ZXGD3101T8TA Diodes Incorporated ZXGD3101T8TA 1.4636
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 ECAD 6319 0.00000000 分散公司 - 卷带式 (TR) 最后一次购买 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SOT-223-8 ZXGD3101 非反相 未验证 5V~15V SM8 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.33.0001 1,000 单身的 高侧或低侧 1 N沟道MOSFET - 2.5A、2.5A 305纳秒、20纳秒
ISL6612ACRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6612ACRZ-T -
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 ECAD 9546 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 10-VFDFN 裸露焊盘 ISL6612 非反相 未验证 10.8V～13.2V 10-DFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
TC4423VMF713 Microchip Technology TC4423VMF713 1.9350
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 ECAD 9310 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 TC4423 反相 未验证 4.5V~18V 8-DFN-S (6x5) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 TC4423VMF713-NDR EAR99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 3A、3A 23纳秒、25纳秒
LF2388BTR IXYS Integrated Circuits Division LF2388BTR 2.9100
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 ECAD 第677章 0.00000000 IXYS集成电路事业部 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 20-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） LF2388 反相 未验证 10V～20V 20-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 212-LF2388BTR EAR99 8542.39.0001 1,500人 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.4V 420毫安、750毫安 45纳秒、25纳秒 600伏
MIC4124YME Microchip Technology MIC4124YME 2.0100
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 ECAD 第251章 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 麦克风4124 非反相 未验证 4.5V～20V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 2（1年） REACH 不出行 576-1448 EAR99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 3A、3A 11纳秒, 11纳秒
ISL6596CRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6596CRZ-T 2.5384
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 ECAD 1807年 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 10-VFDFN 裸露焊盘 ISL6596 非反相 未验证 4.5V～5.5V 10-DFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 6,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - -, 4A 8纳秒，8纳秒 36V
TC4421CPA Microchip Technology TC4421CPA 4.1700
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 ECAD 7961 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 0℃～150℃（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TC4421 反相 未验证 4.5V~18V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 60 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 60纳秒, 60纳秒
UCC27323DGNR Texas Instruments UCC27323DGNR 0.5730
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 ECAD 3507 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘 UCC27323 反相 未验证 4.5V～15V 8-HVSSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 1V、2V 4A, 4A 20纳秒、15纳秒
LM25101CMYE/NOPB Texas Instruments LM25101CMYE/NOPB 4.2000年
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 ECAD 112 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-PowerTSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽） LM25101 非反相 未验证 9V~14V 8-HVSSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 2.3V，- 1A、1A 990纳秒、715纳秒 100伏
LT1160CS#TRPBF ADI LT1160CS#TRPBF 5.6550
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 ECAD 4622 0.00000000 模拟器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） LT1160 非反相 未验证 10V~15V 14-SO 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V 1.5A、1.5A 130纳秒、60纳秒 60V
DRV3245SQPHPRQ1 Texas Instruments DRV3245SQPHPRQ1 10.5600
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 ECAD 9573 0.00000000 Texas Instruments 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 48-PowerTQFP 非反相 4.5V～45V 48-HTQFP (7x7) - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 1,000 土耳其 半桥 3 N沟道MOSFET - 1A、1A -
LTC7000JMSE#WPBF ADI LTC7000JMSE#WPBF 9.8600
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 ECAD 第1787章 0.00000000 模拟器件公司 汽车，AEC-Q100 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-TFSOP（0.118"，3.00mm宽）裸露焊盘 LTC7000 非反相 未验证 3.5V～135V 16-MSOP-EP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 37 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET 1.8V、1.7V - 90纳秒、40纳秒
ZXGD3002E6TA Diodes Incorporated ZXGD3002E6TA 0.7800
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 ECAD 3149 0.00000000 分散公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 SOT-23-6 ZXGD3002 非反相 未验证 20V（最大） SOT-23-6 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道MOSFET - 9A, 9A 8.3纳秒、10.8纳秒
L9856-TR STMicroelectronics L9856-TR -
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 ECAD 3885 0.00000000 意法半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） L9856 反相 未验证 4.4V~6.5V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 高侧 1 N沟道MOSFET - 500毫安，500毫安 100纳秒，100纳秒 150伏
ISL6613BIB-T Renesas Electronics America Inc ISL6613BIB-T -
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 ECAD 6534 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） ISL6613 非反相 未验证 7V～13.2V 8-SOIC 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
TPS2834D Texas Instruments TPS2834D 2.4882
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 ECAD 9990 0.00000000 Texas Instruments - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） TPS2834 非反相 未验证 4.5V～15V 14-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2V 2.7A、2.4A 50纳秒、40纳秒 28V
LF2190NTR IXYS Integrated Circuits Division LF2190NTR 1.9700
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 ECAD 15 0.00000000 IXYS集成电路事业部 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） LF2190 非反相 未验证 10V～20V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 4.5A、4.5A 25纳秒、20纳秒 600伏
1SD210F2-FX200R65KF1_OPT1 Power Integrations 1SD210F2-FX200R65KF1_OPT1 -
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 ECAD 4998 0.00000000 电源集成 - 托盘 过时的 -40℃～85℃ 安装结构 模块 1SD210F2 - 未验证 15.5V～16.8V 模块 - 1（无限制） 1810-1SD210F2-FX200R65KF1_OPT1 过时的 20 单身的 高侧或低侧 1 IGBT - 6A、10A 100纳秒，100纳秒 1200伏
RT7027GS Richtek USA Inc. RT7027GS -
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 ECAD 8456 0.00000000 立锜美国公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） RT7027 非反相 未验证 10V～20V 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 300毫安、600毫安 70纳秒、35纳秒 600伏
LM5110-2MX Texas Instruments LM5110-2MX -
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 ECAD 1785 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） LM5110 反相 未验证 3.5V～14V 8-SOIC 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2.2V 3A、5A 14纳秒、12纳秒
MAX17602ATA+ ADI/Maxim Integrated MAX17602ATA+ 2.0000
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 ECAD 1 0.00000000 ADI/Maxim 集成 * 条 的积极 MAX17602 未验证 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 175-MAX17602ATA+ EAR99 8542.39.0001 10
TPS2828DBVTG4 Texas Instruments TPS2828DBVTG4 -
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 ECAD 5748 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 SC-74A、SOT-753 TPS2828 反相 未验证 4V~14V SOT-23-5 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET 1V、4V 2A, 2A 14纳秒, 14纳秒
IXDF602SIATR IXYS Integrated Circuits Division IXDF602SIATR 1.7100
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 ECAD 5 0.00000000 IXYS集成电路事业部 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDF602 反相、同相 未验证 4.5V～35V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,000 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 2A, 2A 7.5纳秒、6.5纳秒
MAX15070BAUT+T ADI/Maxim Integrated MAX15070BAUT+T -
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 ECAD 6018 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SOT-23-6 MAX15070 反相、同相 未验证 6V~14V SOT-6 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET 2V、4.25V 3A、7A 36纳秒、17纳秒
LM25101CSD/NOPB Texas Instruments LM25101CSD/NOPB 2.3760
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 ECAD 1054 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 10-WDFN 裸露焊盘 LM25101 非反相 未验证 9V~14V 10-WSON (4x4) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 2.3V，- 1A、1A 990纳秒、715纳秒 100伏
MCZ33883EG NXP USA Inc. MCZ33883EG -
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 ECAD 3388 0.00000000 恩智浦 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 20-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） MCZ33883 非反相 未验证 5.5V～55V 20-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 935325225574 EAR99 8542.31.0001 38 独立的 半桥 4 N沟道MOSFET 0.8V、2V 1A、1A -
M57962CL-01 Powerex Inc. M57962CL-01 -
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 ECAD 6271 0.00000000 动力克斯公司 - 大部分 过时的 -20°C ~ 60°C (TA) 通孔 14-SIP模块，12接口 M57962 非反相 未验证 14V~15V 模块 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8542.39.0001 1 单身的 低侧 1 IGBT - 5A、5A 600纳秒、400纳秒
IR2153S Infineon Technologies IR2153S -
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 ECAD 9074 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IR2153 RC输入电路 未验证 10V～15.6V 8-SOIC 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 *IR2153S EAR99 8542.39.0001 95 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - - 80纳秒、45纳秒 600伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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