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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
IVCR1401DR	2.6600	RFQ	3	发明	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IVCR1401	不转变	未行业行业经验证	19v〜25V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）			Ear99	8542.39.0001	4,000	单身的	低侧	1	IGBT，SIC MOSFET	1.7V，1.6V	4a，4a	13ns，13ns
1SP0335V2M1C-XXXX （2）（3）（4）（4）（5））	273.0783	RFQ	6736	电源集成	-	大部分	积极的									-				596-1SP0335V2M1C-XXXX（2）（3）（4）（4））（5）5）			6
EL7243CMZ	-	RFQ	4452	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	EL7243	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜16V	20-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	38	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	10n，10ns （最大）
IRS2001SPBF	0.7600	RFQ	7845	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2001	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,800	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	200 v
TC4431EJA	-	RFQ	6070	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4431	反转	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4431EJA-NDR	Ear99	8542.39.0001	56	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25ns，33ns
IR2151pbf	-	RFQ	9752	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2151	RC输入电路	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001536730	Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	125mA，250mA	80n，40n	600 v
IVCR2401DPR	1.5700	RFQ	3	发明	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IVCR2401	不转变	未行业行业经验证	8v〜20V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）			Ear99	8542.39.0001	4,000	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1.7V，1.6V	4a，4a	13ns，13ns
UCC27211DDA	2.3500	RFQ	3055	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	UCC27211	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.3V，2.8V	4a，4a	7.2NS，5.5NS	120 v
ISL6614BIRZ	-	RFQ	3822	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6614	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	16 QFN （4x4）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
max15018basa+t	-	RFQ	5275	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max15018	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜12.6V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500		半桥	2					125 v
ltc7004emse＃trpbf	6.9700	RFQ	2	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC7004	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜15V	10-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	-	90NS，40NS	60 V
UC3708DW	11.1800	RFQ	75	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	UC3708	不转变	未行业行业经验证	5v〜35V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	40	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	25n，25n
ltc7000emse＃pbf	8.3500	RFQ	4010	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-tfsop （0.118，3.00mm宽）	LTC7000	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜135V	16-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	37	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.8V，1.7V	-	90NS，40NS	135 v
MIC4427YM	1.4500	RFQ	7494	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
2SC0108T2H0-17	53.1800	RFQ	543	电源集成	Scale™-2+	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	2SC0108	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载		（1 （无限）		1810-1025	Ear99	8473.30.1180	30	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	-	8a，8a	17ns，15ns	1200 v
max626epa+	9.8300	RFQ	9062	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	Max626	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-MAX626EPA+	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	2a，2a	25NS，20NS
UCC27211DR	1.9600	RFQ	2	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27211	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1.3V，2.7V	4a，4a	7.2NS，5.5NS	120 v
LTC7001HMSE＃trpbf	8.9300	RFQ	6424	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC7001	不转变	未行业行业经验证	3.5V〜15V	10-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	-	-	90NS，40NS	135 v
TC4427AMJA	-	RFQ	7190	微芯片技术	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	8-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	TC4427	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-Cerdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4427AMJA-NDR	Ear99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
IR2106SPBF	3.4100	RFQ	3	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2106	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
lt1160is＃trpbf	6.4800	RFQ	2436	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	LT1160	不转变	未行业行业经验证	10v〜15V	14件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	1.5a，1.5a	130ns，60ns	60 V
TPS2831PWPG4	-	RFQ	3510	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	14-POWERTSOP （0.173英寸，4.40mm（（4.40mm））	TPS2831	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	14-htssop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	270	同步	高方向	2	n通道MOSFET	-	2.7a，2.4a	50n，50n	28 V
TC4426EMF713	1.0950	RFQ	4469	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4426EMF713-NDR	Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
UCC37325DG4	-	RFQ	6789	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC37325	反转，无变形		4.5V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n		未行业行业经验证
IR2103SPBF-IR	-	RFQ	6049	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2103	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	不适用	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	210mA，360mA	100NS，50NS	600 v
98-0343	-	RFQ	1816年	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2301	不转变	未行业行业经验证	5v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	950	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	130ns，50ns	600 v
MIC4124ME	2.0100	RFQ	251	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4124	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	576-1448	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	11n，11ns
ISL6613CBZR5214	1.3000	RFQ	1	Intersil	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	-	不适用				Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
LMG1025QDEERQ1	5.6600	RFQ	8711	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	6-WDFN暴露垫	LMG1025	反转，无变形	未行业行业经验证	4.75V〜5.25V	6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	296-LMG1025QDEERQ1TR	Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.8V，1.7V	7a，5a	-
ISL6594ACRZ-T	-	RFQ	4809	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6594	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²