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门司机（（7161）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil，vih | 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） | 上升 /秋季t （典型） | 高侧电压 -最大（引导程序） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ISL89163FBEAZ | 4.9700 |  | 995 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL89163 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | -isl89163fbeaz | Ear99 | 8542.39.0001 | 980 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.22V，2.08V | 6a，6a | 20N，20N | ||
| ISL89163FBEAZ-T | 2.9559 | | 8342 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL89163 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.22V，2.08V | 6a，6a | 20N，20N | |||
 | ISL89163FBECZ | - | | 6855 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL89163 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7.5V〜16V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | -isl89163fbecz | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 2.4V，9.6V | 6a，6a | 20N，20N | ||
| ISL89163FBECZ-T | - | | 7191 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL89163 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 7.5V〜16V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 2.4V，9.6V | 6a，6a | 20N，20N | |||
 | ISL89163FRTBZ | - | | 3129 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | ISL89163 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-tdfn （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | -isl89163frtbz | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.85V，3.15V | 6a，6a | 20N，20N | ||
| ISL89164FBEBZ | 4.9700 | | 1614年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL89164 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | -isl89164fbebz | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.85V，3.15V | 6a，6a | 20N，20N | ||
 | ISL89164FRTCZ | - | | 9028 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-vfdfn裸露的垫子 | ISL89164 | 反转 | 未行业行业经验证 | 7.5V〜16V | 8-tdfn （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 2.4V，9.6V | 6a，6a | 20N，20N | |||
| ISL89165FBEAZ-T | 4.9700 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL89165 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.22V，2.08V | 6a，6a | 20N，20N | |||
| ISL89165Frtaz-T | - | | 4910 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | ISL89165 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-tdfn （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.22V，2.08V | 6a，6a | 20N，20N | |||
 | IXDI604SIATR | 2.2100 | | 21 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IXDI604 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt，n通道，p通道Mosfet | 0.8V，3V | 4a，4a | 9NS，8NS | |||
 | IXDN609CI | 3.9400 | | 1 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-220-5 | IXDN609 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | TO-220-5 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt，n通道，p通道Mosfet | 0.8V，3V | 9a，9a | 22ns，15ns | |||
 | LM5101ASDX-1/NOPB | 1.9800 | | 3666 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | LM5101 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-wson（4x4） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2.3V， - | 3a，3a | 430ns，260ns | 118 v | ||
 | LM5101MX/NOPB | 2.1855 | | 3487 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | LM5101 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V，2.2V | 1.6a，1.6a | 600NS，600NS | 118 v | ||
| LM2722MX/NOPB | - | | 7725 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | LM2722 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4V〜7V | 8-SOIC | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V，2.4V | 3a，3.2a | 17ns，12ns | |||
 | NCP5901BMNTBG | 0.6000 | | 47 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 0°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-vfdfn裸露的垫子 | NCP5901 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.2V | 8-DFN（2x2） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V，2V | - | 16ns，11ns | 35 v | ||
 | MIC4225YM-TR | 2.7800 | | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MIC4225 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V，2.4V | 4a，4a | 15ns，15ns | |||
 | ZL1505ALNNT6 | - | | 7138 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | ZL1505 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜7.5V | 10-DFN （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 2（1年） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.7V，3.4V | 3.2a，3.2a | 5.3NS，4.8NS | 30 V | ||
 | ISL6611ACRZ | - | | 1102 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | ISL6611 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 16 QFN （4x4） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | 0.8V，2V | - ，4A | 8ns，8ns | 36 V | ||
| ISL6611AIRZ | - | | 3631 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | ISL6611 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 16 QFN （4x4） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | -isl6611Airz | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | 0.8V，2V | - ，4A | 8ns，8ns | 36 V | |
| ISL89162FBEAZ | - | | 8434 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL89162 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | -isl89162fbeaz | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.22V，2.08V | 6a，6a | 20N，20N | ||
| ISL89162FRTAZ | - | | 5482 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | ISL89162 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-tdfn （3x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.22V，2.08V | 6a，6a | 20N，20N | |||
 | IR2106S | - | | 8353 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IR2106 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，2.9V | 200mA，350mA | 150NS，50NS | 600 v | ||
 | IR21074 | - | | 3130 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） | IR21074 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14-Soic | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 55 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，2.7V | 200mA，350mA | 150NS，50NS | 600 v | ||
 | IR2110STR | - | | 6419 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | IR2110 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3.3v〜20V | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001539642 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 6V，9.5V | 2a，2a | 25ns，17ns | 500 v | |
| 98-0066 | - | | 4465 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IR2127 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 12v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，3V | 250mA，500mA | 80n，40n | 600 v | ||
 | IR2128 | - | | 2677 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | IR2128 | 反转 | 未行业行业经验证 | 12v〜20V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | *IR2128 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，3V | 250mA，500mA | 80n，40n | 600 v | |
 | IR2135 | - | | 2414 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | 125°C（TJ） | 通过洞 | 28- 浸（0.600英寸，15.24毫米） | IR2135 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-pdip | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | *IR2135 | Ear99 | 8542.39.0001 | 13 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，2.2V | 250mA，500mA | 90NS，40NS | 600 v | |
| IR2102STR | - | | 9723 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IR2102 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，3V | 210mA，360mA | 100NS，50NS | 600 v | ||
| IR2105STR | - | | 4277 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | IR2105 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，3V | 210mA，360mA | 100NS，50NS | 600 v | ||
 | IR2132STR | - | | 3719 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | IR2132 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-Soic | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001540044 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT，N通道MOSFET | 0.8V，2.2V | 250mA，500mA | 80n，35ns | 600 v |
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