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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）	sic可编程
TC4451VOA	2.9900	RFQ	8239	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4451	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	13a，13a	30ns，32ns
ISL6612CBZAR5214	-	RFQ	7881	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
TPS2818DBVR	1.8100	RFQ	12	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SC-74A，SOT-753	TPS2818	反转	未行业行业经验证	4V〜14V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1V，4V	2a，2a	14ns，14ns
IXDN404SI-16	-	RFQ	5083	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IXDN404	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	16-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响	IXDN404SI-16-NDR	Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.5V	4a，4a	16ns，13ns
max5077aud+t	-	RFQ	3411	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	14-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	Max5077	RC输入电路	未行业行业经验证	4.5V〜15V	14-TSSOP-EP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	10n，10n
2SC0435T2H0-17	99.7100	RFQ	366	电源集成	Scale™-2+	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	2SC0435	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1810-1028	Ear99	8473.30.1180	24	独立的	高方面或低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	-	35a，35a	20N，20N	1700 v
UC3714N	-	RFQ	6024	Texas Instruments	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UC3714	不转变	未行业行业经验证	7v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	500mA，1a	30ns，25ns
IRS2184STRPBF	3.1100	RFQ	6480	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2184	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	1.9a，2.3a	40NS，20NS	600 v
auirs2127str	-	RFQ	3186	Infineon技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Auirs2127	不转变	未行业行业经验证	12v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP001512314	Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	80n，40n	600 v
MIC5021YN	4.4000	RFQ	371	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC5021	不转变	未行业行业经验证	12v〜36V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	576-1240	Ear99	8542.39.0001	50	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2V	-	400NS，400NS
LM5111-3MYX	-	RFQ	8471	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LM5111	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-HVSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
MIC4605-1MVAO	-	RFQ	5054	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4605	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜16V	8-SOIC	下载			到达不受影响	150-MIC4605-1MVAO	Ear99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1a，1a	20N，20N	108 v
NCP81071BDR2G	1.5400	RFQ	9	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NCP81071	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	1.2V，1.8V	5a，5a	8ns，8ns
TC4425VPA	4.1700	RFQ	180	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4425	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4425VPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
MC33152VDR2	-	RFQ	2050	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC33152	不转变	未行业行业经验证	6.1v〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	36ns，32ns
LM25101AMRX/NOPB	1.9800	RFQ	7892	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	LM25101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	100 v
L6385D013TR	-	RFQ	7323	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6385	反转	未行业行业经验证	（17V））	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.5V，3.6V	400mA，650mA	50ns，30ns	600 v
L6388	1.6600	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	L6388	不转变	未行业行业经验证	（17V））	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	1.1V，1.8V	400mA，650mA	70NS，40NS	600 v
NCP51705MNTXG	4.8100	RFQ	9467	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-VFQFN暴露垫	NCP51705	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜22v	24 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	sic mosfet	1.2V，1.6V	6a，6a	8ns，8ns
IRS21856STRPBF	-	RFQ	7448	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	IRS21856	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	14-Soic	下载		2（1年）	到达不受影响	SP001534960	Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3.5V	500mA，500mA	30ns，20ns	600 v
UCC37321DRG4	-	RFQ	8509	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC37321	反转		4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	1.1V，2.7V	9a，9a	20N，20N		未行业行业经验证
ix6r11m6t/r	-	RFQ	9046	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-vdfn暴露垫	IX6R11	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	16-MLP（7x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	-	25ns，17ns	600 v
FAN3182BMX	-	RFQ	1187	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				FAN3182		未行业行业经验证			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	2,500
TC4428VOA	1.7800	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4428VOA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	19NS，19NS
PM8841D	1.1200	RFQ	8	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	PM8841	不转变	未行业行业经验证	10v〜18V	SOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	-	800mA，1a	20n，20n （最大）
TC4432EPA	4.1700	RFQ	167	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	TC4432	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	TC4432EPA-NDR	Ear99	8542.39.0001	60	单身的	高方面或低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25ns，33ns
TC4425EOE	3.5500	RFQ	232	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TC4425	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC4425EOE-NDR	Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	3a，3a	23ns，25ns
LTC4442EMS8E ＃PBF	4.3300	RFQ	9	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4442	不转变	未行业行业经验证	6v〜9.5V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	2.4a，2.4a	12n，8ns	42 v
IR1166STRPBF	-	RFQ	7086	Infineon技术	SmarTrectifier™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR1166	不转变	未行业行业经验证	11.4v〜18v	8-SOIC	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	2V，2.15V	1A，4A	21ns，10ns
LTC3900ES8 ＃PBF	7.6200	RFQ	110	模拟设备公司	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC3900	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜11V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	同步	低侧	2	n通道MOSFET	-	2a，2a	15ns，15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²