感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
IR2302S	-	询价	2114	英飞凌科技	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2302	非反相	未验证	5V~20V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IR2302S	EAR99	8542.39.0001	950	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.9V	200毫安、350毫安	130纳秒、50纳秒	600伏
ISL6612BIRZ	-	询价	8065	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	7V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
EB01-FS225R12KE3	-	询价	2606	电源集成	规模™-1	大部分	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	EB01-FS225	-	未验证	-	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	1	-	-		IGBT	-	-	-	800V
NCP81168MNTBG	-	询价	3015	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VFDFN 裸露焊盘	NCP81168	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-DFN (2x2)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	2156-NCP81168MNTBG	EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.7V、3.4V	-	15纳秒、10纳秒	35V
IXDN404PI	-	询价	1249	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXDN404	非反相	未验证	4.5V～35V	8-DIP	下载		不适用	REACH 不出行	IXDN404PI-NDR	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.5V	4A, 4A	16纳秒、13纳秒
ISL89165FBECZ	3.2600	询价	1	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89165	反相、同相	未验证	7.5V～16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	2.4V、9.6V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
MAX5075AAUA-T	-	询价	6115	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	MAX5075	RC输入电路	未验证	4.5V～15V	8-uMAX-EP\|8-uSOP-EP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	低侧	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	10纳秒，10纳秒
LT8672EMS#PBF	6.6300	询价	1	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	LT8672	非反相	未验证	3V～42V	10-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	-	-	-
IXDI614CI	6.0900	询价	1	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-5 成型引线	IXDI614	反相	未验证	4.5V～35V	TO-220-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	14A, 14A	25纳秒、18纳秒
PHD45NQ15T,118	-	询价	1098	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	38-TFSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	博士45	-	未验证	-	38-TSSOP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	-	-		-	-	-	-
ISL6622AIBZ-T	-	询价	8322	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6622	非反相	未验证	6.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
2EDN8524RXUMA1	-	询价	4494	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	2EDN8524	非反相	未验证	4.5V～20V	PG-TSSOP-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	5,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.2V、1.9V	5A、5A	5.3纳秒、4.5纳秒
1SP0635V2M1-33	327.4600	询价	32	电源集成	规模™-2	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	模块	1SP0635	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		1810-1020	EAR99	8473.30.1180	6	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	35A, 35A	9纳秒、30纳秒	3300伏
TC1428CUA	-	询价	5206	微芯片	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC1428	反相、同相	未验证	4.5V~16V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC1428CUA-NDR	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	1.2A、1.2A	35纳秒、25纳秒
IHD260	-	询价	3292	电源集成	规模™-1	盒子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	36-DIP模块，24引脚	IHD260	-	未验证	14V~16V	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8543.70.9860	30	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	-	-	100纳秒、80纳秒
UC2705DG4	-	询价	8062	Texas Instruments	-	管子	SIC停产	-25°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UC2705	反相、同相	未验证	5V～40V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.5A、1.5A	60纳秒, 60纳秒
LM9061MX/NOPB	2.8600	询价	4	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM9061	非反相	未验证	7V~26V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.5V、3.5V	-	-
IXDN514D1T/R	-	询价	1580	IXYS	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	IXDN514	非反相	未验证	4.5V～30V	6-DFN (4x5)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	1V、2.5V	14A, 14A	25纳秒、22纳秒
FAN3268TMX-F085	-	询价	4030	仙童	汽车，AEC-Q100	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3268	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	3A、3A	12纳秒、9纳秒
ISL6613IRZ-T	2.3200	询价	6	Intersil	-	大部分	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
MXT429CSA	2.6100	询价	1	ADI/Maxim 集成	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MXT429	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	单身的	高侧或低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
AUIRS2181S	-	询价	6168	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRS2181	反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	1.9A、2.3A	15纳秒，15纳秒	600伏
MCZ33198EFR2	-	询价	9466	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCZ33198	非反相	未验证	7V~20V	8-SOIC	下载	不适用	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.5V、3.5V	-	10μs、280μs
LM5111-1MX/NOPB	-	询价	4178	国家安全委员会	*	大部分	的积极									-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-LM5111-1MX/NOPB-14			1
IXD611P7	-	询价	8646	IXYS	-	盒子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXD611	非反相	未验证	10V～35V	14-PDIP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	400	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	2.4V、2.7V	600毫安，600毫安	28纳秒、18纳秒	600伏
LT8672HDDB#TRPBF	4.3350	询价	2173	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	10-WFDFN 裸露焊盘	LT8672	非反相	未验证	3V～42V	10-DFN (3x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	2156-LT8672HDDB#TRPBF	EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	-	-	-
ADUM4221CRIZ	8.2700	询价	141	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	ADUM4221	非反相	未验证	2.5V~6.5V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	37	同步化	半桥	2	IGBT	1.5V、3.5V	4A、6A	25纳秒、30纳秒
BS2132F-E2	3.3700	询价	21	罗姆半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	BS2132	非反相	未验证	11.5V～20V	28-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,500人	土耳其	高侧	3	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.6V	-	125纳秒、50纳秒	600伏
EL7154CS-T13	-	询价	6660	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7154	非反相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.6V、2.4V	4A, 4A	4纳秒、4纳秒
1SP0630V2M1R-XXXX (2)(3)(4)	240.4600	询价	4614	电源集成	-	大部分	的积极									-				596-1SP0630V2M1R-XXXX(2)(3)(4)			6

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²