感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）	SIC
UCC27200DDAG4	-	询价	8245	Texas Instruments	-	大部分	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27200	非反相		8V~17V	8-SO电源板	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	3V、8V	3A、3A	8纳秒、7纳秒	120V	未验证
TPIC46L02DBG4	-	询价	8133	Texas Instruments	-	管子	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SSOP（0.209英寸，5.30毫米宽）	TPIC46L02	非反相	未验证	4.5V～5.5V	28-SSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	6	N沟道MOSFET	-	1.2毫安、1.2毫安	3.5μs、3μs
SG1644L-DESC	-	询价	7401	微芯片	军事，MIL-STD-883	托盘	的积极	-55°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	20-CLCC	SG1644	非反相	未验证	4.5V～20V	20-CLCC (8.89x8.89)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	150-SG1644L-DESC	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.7V、2V	500毫安，500毫安	35纳秒、30纳秒
TC1427EPA	1.5100	询价	7651	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC1427	非反相	未验证	4.5V~16V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	1.2A、1.2A	35纳秒、25纳秒
UCC27200ADRMR	1.0500	询价	8996	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	UCC27200	非反相	未验证	8V~17V	8-VSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	3V、8V	3A、3A	8纳秒、7纳秒	120V
UC1709J	-	询价	2822	Texas Instruments	*	大部分	的积极				UC1709		未验证			下载					EAR99	8542.39.0001	1
DRV8300NRGER	1.5200	询价	28	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	24-VFQFN 裸露焊盘	DRV8300	非反相	未验证	5V~20V	24-VQFN (4x4)	下载	不适用	2（1年）		296-DRV8300NRGERTR	EAR99	8542.39.0001	3,000	土耳其	高侧和低侧	3	N沟道MOSFET	0.8V、2V	750毫安，1.5安	12纳秒, 12纳秒	105V
ISL6613AIRZ-T	-	询价	4004	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
TC4422 变异	4.1600	询价	5440	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-5	TC4422	非反相	未验证	4.5V~18V	TO-220-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4422VAT-NDR	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	60纳秒, 60纳秒
MIC4452ABM	-	询价	2056	微芯片	-	大部分	SIC停产	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4452	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	第570章	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	12A, 12A	20纳秒、24纳秒
ISL89412IBZ-T13	1.6366	询价	5920	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL89412	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	7.5纳秒、10纳秒
1SP0635S2M1-33	370.4117	询价	3074	电源集成	规模™-2	大部分	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块		-		14.5V～15.5V	模块	-				596-1SP0635S2M1-33			6	单身的	-	1	IGBT	-	35A, 35A	9纳秒、30纳秒	3300伏
ISL6605CRZ-TK	-	询价	3456	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	ISL6605	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	33V
UCC37321DRG4	-	询价	8509	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC37321	反相		4V~15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	1.1V、2.7V	9A, 9A	20纳秒, 20纳秒		未验证
LM5101AMX	-	询价	8857	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5101	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	3A、3A	430纳秒、260纳秒	118V
L9907	-	询价	9266	意法半导体	汽车，AEC-Q100	托盘	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	64-TQFP 裸露焊盘	L9907	-	未验证	5V~54V	64-TQFP-EP (10x10)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	160	土耳其	半桥	6	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	35纳秒, 35纳秒
2EDL05I06PFXUMA1	2.0200	询价	2611	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2EDL05	非反相	未验证	10V～20V	PG-DSO-8	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT	1.1V、1.7V	500毫安，500毫安	48纳秒、24纳秒	600伏
IPN10ELSXUMA1	-	询价	7070	英飞凌科技	汽车	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-LSSOP（0.154"，3.90mm宽）裸露焊盘	IPN10	非反相	未验证	4V～40V	PG-SSOP-14	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	400毫安、400毫安	380纳秒, 380纳秒
MCP14A0152T-E/CH	0.9100	询价	7	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6	MCP14A0152	非反相	未验证	4.5V~18V	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	半桥	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	1.5A、1.5A	11.5纳秒、10纳秒
ISL6210CRZ	-	询价	5165	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-10°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	ISL6210	非反相	未验证	4.5V～5.5V	16-QFN (4x4)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	36V
MAX5075AAUA+	10.3000	询价	2	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	MAX5075	RC输入电路	未验证	4.5V～15V	8-uMAX-EP\|8-uSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX5075AAUA+	EAR99	8542.39.0001	50	同步化	低侧	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	10纳秒，10纳秒
EL7154CS	-	询价	第1474章	伊兰泰克	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7154	非反相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.6V、2.4V	4A, 4A	4纳秒、4纳秒
ISL6625ACRZ-T	3.1200	询价	4	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-VFDFN 裸露焊盘	ISL6625	非反相	未验证	5.5V～13.2V	8-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-, 3A	31纳秒、18纳秒	36V
LTC4441IS8-1#TRPBF	3.6450	询价	3738	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LTC4441	非反相	未验证	5V~25V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、2V	6A, 6A	13纳秒、8纳秒
IR2151	-	询价	4056	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR2151	RC输入电路	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IR2151	EAR99	8542.39.0001	50	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	-	125毫安、250毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
MAX628EPA	-	询价	3086	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MAX628	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	25纳秒、20纳秒
2EDL7125GXUMA1	1.1247	询价	3662	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极				2EDL7125		未验证			-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000
2ED2109S06FXUMA1	2.2700	询价	7	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	2ED2109	非反相	未验证	10V～20V	PG-DSO-8-53	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	1	IGBT、N沟道MOSFET	1.1V、1.7V	290毫安、700毫安	100纳秒、35纳秒	650伏
TC4423AVOE713	1.9200	询价	6757	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	TC4423	反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	12纳秒, 12纳秒
ISL89160FBEAZ	-	询价	3425	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89160	非反相	未验证	4.5V~16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-ISL89160FBEAZ	EAR99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²