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门司机（（7161）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
IXDE514SIA	-	RFQ	3143	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDE514	反转	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	94	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1V，2.5V	14a，14a	25ns，22ns
FAN7171MX-F085	3.0700	RFQ	3167	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7171	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	4a，4a	25ns，15ns	600 v
LTC4440AMPMS8E-5 trpbf	9.1500	RFQ	4851	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LTC4440	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-msop-ep	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	LTC44440AMPMS8E-5 trpbftr	Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	1.2V，1.6V	1.1a，1.1a	10n，7ns	80 V
TC1413EUA	1.5400	RFQ	6267	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC1413	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TC1413EUA-NDR	Ear99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	3a，3a	20N，20N
UCC27524AQDGNRQ1	2.7600	RFQ	5952	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	UCC27524	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	1V，2.3V	5a，5a	7NS，6NS
ADP3416JR-REEL7	-	RFQ	5064	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				ADP3416					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
2SC0108T2D0-12	64.3700	RFQ	4117	电源集成	Scale™-2	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	模块	2SC0108	-	未行业行业经验证	14.5v〜15.5V	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		1810-1026	Ear99	8473.30.1180	30	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	-	8a，8a	17ns，15ns	1200 v
IXDN609PI	2.1300	RFQ	653	ixys集成电路部门	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXDN609	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜35V	8点	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	9a，9a	22ns，15ns
NCP81382MNTXG	-	RFQ	6742	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	36-TFQFN暴露垫	NCP81382	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	36 QFN （6x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	高方面或低侧	1	n通道MOSFET	-	-	-	35 v
MCP14E9T-E/MF	2.0100	RFQ	9368	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCP14E9	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	3a，3a	14ns，17ns
IRS2101pbf	1.4159	RFQ	8917	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2101	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	高方面或低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	70ns，35ns	600 v
UC3706N	9.2600	RFQ	68	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	UC3706	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，30ns
NCP81075MTTXG	3.4200	RFQ	8629	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	NCP81075	不转变	未行业行业经验证	8.5V〜20V	10-WDFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,000	独立的	高方面或低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.7V	4a，4a	8NS，7NS	200 v
IX6R11S6	-	RFQ	8614	ixys	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	IX6R11	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	18-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	42	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.6V	6a，6a	25ns，17ns	600 v
IRS44262STRPBF	1.7300	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS44262	反转	未行业行业经验证	11.2v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	2.3a，3.3a	25n，25n
fan888811mntxg	3.1400	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	Fan8811	不转变	未行业行业经验证	7.5V〜16V	10-WDFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	高侧和低侧	2	n通道MOSFET	2V，1.8V	3a，6a	6NS，4NS	100 v
IR4426STR	-	RFQ	7040	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR4426	反转	未行业行业经验证	6v〜20V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	2.3a，3.3a	15ns，10ns
MIC4420YM-TR	1.5600	RFQ	6844	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MIC4420	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	6a，6a	12n，13ns
ISL6612IBZR5238	1.4000	RFQ	3	Intersil	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	8-SOIC	-	不适用				Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
ISL6613AIRZ-T	-	RFQ	4004	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-vfdfn暴露垫	ISL6613	不转变	未行业行业经验证	10.8v〜13.2v	10-DFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
UCC27324QDRQ1	1.6500	RFQ	4	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27324	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
FAN3122CMX-F085	2.3800	RFQ	9007	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3122	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	-	10.6a，11.4a	23ns，19ns
FAN7081CM_F085	-	RFQ	2307	Onmi	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Fan7081	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	9,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	-	250mA，500mA	15ns，10ns	600 v
UC2706N	6.1600	RFQ	9911	单位树	-	大部分	积极的	-25°C〜85°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	UC2706	反转，无变形	未行业行业经验证	5V〜40V	16-PDIP	下载					Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.5a，1.5a	40n，30ns
max15025batb+	-	RFQ	2408	ADI/MAXIM集成	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	10-WFDFN暴露垫	Max15025	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜28V	10-tdfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	2V，4.25V	2a，4a	48ns，32ns
LM5101MX/NOPB	2.1855	RFQ	3487	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
UCC37323P	0.9900	RFQ	4538	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UCC37323	反转	未行业行业经验证	4.5V〜15V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	20N，15n
HIP2101IBZT	4.5800	RFQ	1554年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HIP2101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
IR2136STRPBF	-	RFQ	1946年	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IR2136	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	28-Soic	下载					Ear99	8542.39.0001	1	3相	半桥	6	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	200mA，350mA	125ns，50ns	600 v
IXDD504PI	-	RFQ	2055	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IXDD504	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8点	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	4a，4a	9NS，8NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²