感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
MAX4429CSA+	4.7700	询价	58	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX4429	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX4429CSA+	EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
RAA228006GNP#AA0	8.4072	询价	6062	瑞萨电子美国公司	-	管子	的积极									-	符合ROHS3标准	3（168小时）		20-RAA228006GNP#AA0			1
HV400IB	1.1800	询价	1534	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	高压400	非反相	未验证	35V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	3.5V、0.5V	6A、30A	50纳秒、12纳秒
TC1412EUA713	1.4900	询价	8240	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC1412	反相	未验证	4.5V~16V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC1412EUA713-NDR	EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	18纳秒, 18纳秒
EL7242CNZ-INT	-	询价	4202	Intersil	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	EL7242	反相、同相	未验证	4.5V~16V	8-PDIP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒
2SP0325V2A1-CM1800DY-34S	-	询价	4313	电源集成	规模™-2	托盘	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	2SP0325	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载	库存请求验证			1810-2SP0325V2A1-CM1800DY-34S	EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT	-	25A，-	600纳秒、750纳秒
IXDI409CI	-	询价	1818	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-5	IXDI409	反相	未验证	4.5V～35V	TO-220-5	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	9A, 9A	10纳秒，10纳秒
NCP5359ADR2G	-	询价	9699	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NCP5359	非反相	未验证	10V～13.2V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	-	16纳秒、15纳秒	30V
IXE611P1	-	询价	1323	IXYS	-	盒子	过时的	-	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXE611	-	未验证	-	8-DIP	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	450	-	-		-	-	-	-
ISL6700IBZ	3.1500	询价	1	瑞萨电子美国公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6700	非反相	未验证	9V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-ISL6700IBZ	EAR99	8542.39.0001	98	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.4A、1.3A	5纳秒，5纳秒	80V
1EDN7512GXTMA1	1.2700	询价	10	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	1EDN7512	反相、同相	未验证	4.5V～20V	PG-WSON-6-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	-	4A、8A	6.5纳秒、4.5纳秒
NCP5106BPG	-	询价	9930	onsemi	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	NCP5106	非反相	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	250毫安、500毫安	85纳秒、35纳秒	600伏
IRS2302STRPBF	-	询价	7877	国际校正器公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2302	非反相	未验证	5V~20V	8-SOIC	-						0000.00.0000	1	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	200毫安、350毫安	130纳秒、50纳秒	600伏
6EDL04I06NTXUMA1	4.8300	询价	1	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	6EDL04	非反相	未验证	13V~17.5V	PG-DSO-28-17	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	1.1V、1.7V	-	60纳秒、26纳秒	600伏
LM5101AMR/NOPB	-	询价	1238	国家安全委员会	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5101	非反相	未验证	9V~14V	8-SO电源板	下载						0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	3A、3A	430纳秒、260纳秒	118V
LM25101AMRX/NOPB	-	询价	4683	国家安全委员会	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM25101	非反相	未验证	9V~14V	8-SO电源板	下载						0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	3A、3A	430纳秒、260纳秒	100伏
ISL6622CRZ-TS2705	-	询价	4185	瑞萨电子美国公司	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6622	非反相	未验证	6.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	20-ISL6622CRZ-TS2705	EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
IX4R11S3	-	询价	3495	IXYS	-	盒子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IX4R11	非反相	未验证	10V～35V	16-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	230	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、7V	4A, 4A	23纳秒、22纳秒	650伏
ISL6612BCRZ-T	-	询价	2650	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	7V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
HIP2104弗朗兹	2.9200	询价	2	瑞萨电子美国公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	12-VFDFN 裸露焊盘	HIP2104	非反相	未验证	4.5V~14V	12-DFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.63V、2.06V	1A、1A	8纳秒、2纳秒	60V
1SP0335V2M1C-CM900HG-90H	271.3117	询价	9881	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-40℃～85℃	安装结构	模块	1SP0335	-	未验证	23.5V～26.5V	模块	-		1（无限制）		1810-1SP0335V2M1C-CM900HG-90H	EAR99	8473.30.1180	6	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	35A, 35A	9纳秒、30纳秒	4500伏
风扇3226CMX	1.1900	询价	8786	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3226	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	12纳秒、9纳秒
风扇3121CMPX	-	询价	9273	仙童	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	风扇3121	反相	未验证	4.5V~18V	8-MLP (3x3)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	-	10.6A、11.4A	23纳秒、19纳秒
HIP2101IBZT	-	询价	4382	Intersil	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	HIP2101	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
UCC27423QDRQ1	1.2900	询价	4922	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27423	反相	未验证	4V~15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
1SP0635V2M1C-XXXX (2)(3)(4)	374.8417	询价	6270	电源集成	-	大部分	的积极									-				596-1SP0635V2M1C-XXXX(2)(3)(4)			6
TC4427AVUA	2.0500	询价	5406	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC4427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
IR21064SPBF-INF	-	询价	8606	英飞凌科技	*	大部分	的积极				IR21064		未验证			-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1
2SC0108T2D0-12	64.3700	询价	4117	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	模块	2SC0108	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		1810-1026	EAR99	8473.30.1180	30	独立的	高侧或低侧	2	IGBT	-	8A, 8A	17纳秒、15纳秒	1200伏
TC427COA713	1.9000	询价	2	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	30纳秒、30纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²