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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
MCP14A0303T-E/MS	1.1400	RFQ	1751年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	MCP14A0303	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	高方面或低侧	2	IGBT	0.8V，2V	3a，3a	12n，12ns
MIC4422CM-TR	-	RFQ	8641	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4422	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	9a，9a	20N，24NS
HIP2101IR	2.5700	RFQ	3	Intersil	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	HIP2101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	16 QFN（5x5）	下载	Rohs不合规				Ear99	8542.39.0001	60	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	2a，2a	10n，10n	114 v
LM5101AMX	-	RFQ	8857	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LM5101	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	2.3V， -	3a，3a	430ns，260ns	118 v
LTC1156CSW ＃PBF	15.5200	RFQ	94	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	LTC1156	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	47	独立的	高方向	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
EL7104CSZ	6.6900	RFQ	14	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EL7104	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4a，4a	7.5NS，10NS
IRS2118STRPBF	2.0900	RFQ	3948	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2118	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	290mA，600mA	75ns，35ns	600 v
TPS2839PWPRG4	-	RFQ	7850	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Powertssop （0.173英寸，4.40mm）	TPS2839	反转	未行业行业经验证	10v〜15V	16-HTSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	同步	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2V	4a，4a	65ns，65ns	29 v
EL7104CNZ	6.6900	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	EL7104	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-EL7104CNZ	Ear99	8542.39.0001	1,000	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4a，4a	7.5NS，10NS
ix6r11m6t/r	-	RFQ	9046	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-vdfn暴露垫	IX6R11	不转变	未行业行业经验证	10v〜35V	16-MLP（7x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	-	25ns，17ns	600 v
MIC4428YN	1.9300	RFQ	3120	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	MIC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	20N，29NS
MIC4452ABM-TR	-	RFQ	3649	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MIC4452	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.4V	12a，12a	20N，24NS
Adp3110akrz	-	RFQ	9041	Onmi	-	管子	过时的	0°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ADP3110	反转，无变形	未行业行业经验证	4.6V〜13.2V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	20N，11n	35 v
MCP14E11-E/SN	2.3900	RFQ	8558	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCP14E11	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	MCP14E11ESN	Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	3a，3a	25n，25n
SG1626T-DESC	-	RFQ	1966年	微芯片技术	军事，MIL-STD-883	托盘	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-99-8金属罐	SG1626	反转	未行业行业经验证	22V	到99	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-SG1626T-DESC	Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.7V，2V	3a	30ns，30ns
NCP4414DR2	-	RFQ	2831	Onmi	*	大部分	积极的				NCP4414		未行业行业经验证			下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1
ISL6610IRZ-T	1.9300	RFQ	6	Intersil	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-VQFN暴露垫	ISL6610	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜5.5V	16 QFN （4x4）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	6,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	-	- ，4A	8ns，8ns	36 V
NCV51513ABMNTWG	1.7000	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	10-vfdfn暴露垫	NCV51513	反转，无变形	未行业行业经验证	8v〜19v	10-dfnw（（（（（（（（	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.3V	2a，3a	9NS，7NS	150 v
IHD660IT1	-	RFQ	1198	电源集成	Scale™-1	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	36浸，24条线索	IHD660	反转	未行业行业经验证	14V〜16V	模块	下载				1810-IHD660IT1	Ear99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	-	100NS，80NS
IRS2118SPBF	0.8200	RFQ	13	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRS2118	反转	未行业行业经验证	10v〜20V	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	单身的	高方向	1	IGBT，N通道MOSFET	6V，9.5V	290mA，600mA	75ns，35ns	600 v
MP1924AHS-LF	-	RFQ	1015	Monolithic Power Systems Inc.	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MP1924	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	1V，2.4V	4a，4a	15ns，12ns	115 v
FAN1101A-F085	4.0200	RFQ	6426	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				Fan1101		未行业行业经验证			-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500
max5048baut+	-	RFQ	1073	ADI/MAXIM集成	-	条	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SOT-23-6		反转，无变形		4v〜12.6V	SOT-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	175-MAX5048BAUT+	Ear99	8542.39.0001	150	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.3a，7.6a	8NS，3.2NS
FAN3227CMX	2.1900	RFQ	2223	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FAN3227	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	-	3a，3a	12ns，9ns
UCC21530DWKR	5.2800	RFQ	3	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜130°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.295英寸，宽度为7.50mm）	UCC21530	CMOS/TTL	未行业行业经验证	3v〜18V	14-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,000	独立的	半桥	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	1.2V，1.6V	4a，6a	6ns，7ns
TC4428AVUA713	2.0500	RFQ	1293	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC4428	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
max5056basa	-	RFQ	7976	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Max5056	不转变	未行业行业经验证	4V〜15V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.1V	4a，4a	32ns，26ns
IRS2308pbf	2.7375	RFQ	3447	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IRS2308	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
LM5102SDX/NOPB	1.6575	RFQ	3815	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	10-wdfn暴露垫	LM5102	不转变	未行业行业经验证	9V〜14V	10-wson（4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.2V	1.6a，1.6a	600NS，600NS	118 v
2ED2183S06FXUMA1	3.2400	RFQ	4	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	2ED2183	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	PG-DSO-8-53	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	同步	半桥	1	IGBT，N通道MOSFET	1.1V，1.7V	2.5a，2.5a	15ns，15ns	650 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²