感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
UCD7100PWP	-	询价	4837	尤尼罗德	-	大部分	的积极	-40°C ~ 105°C（太焦）	表面贴装	14-PowerTSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	UCD7100	非反相	未验证	4.25V～15V	14-高温SSOP	下载					EAR99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1.16V、2.08V	4A, 4A	10纳秒，10纳秒
ISL6613BIRZ	2.6500	询价	450	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6613	非反相	未验证	7V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
MAX4428CSA	1.8900	询价	1	ADI/Maxim 集成	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒, 20纳秒
LM5101ASDX-1/NOPB	1.9800	询价	3666	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	LM5101	非反相	未验证	9V~14V	8-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	3A、3A	430纳秒、260纳秒	118V
MP18021HN-A-LF	-	询价	9154	单片电力系统公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	MP18021	非反相	未验证	9V~18V	8-SOICE	下载	符合ROHS3标准	2A（4周）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2.4V	2.5A、2.5A	12纳秒、9纳秒	100伏
FAN3226CMX-F085	1.3200	询价	4	仙童	汽车，AEC-Q100	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3226	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.31.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	-	3A、3A	12纳秒、9纳秒
2EDL8014GXUMA1	1.1247	询价	3190	英飞凌科技	EiceDRIVER™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	2EDL8014	非反相	未验证	8V~17V	PG-VDSON-8-4	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	5A、6A	-	120V
SG1626L-883B	-	询价	9752	微芯片	军事，MIL-STD-883	托盘	的积极	-55°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	20-CLCC	SG1626	反相	未验证	22V	20-CLCC (8.89x8.89)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	150-SG1626L-883B	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.7V、2V	3A	30纳秒、30纳秒
MAX8552ETB+T	1.6800	询价	7183	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	10-WFDFN 裸露焊盘	MAX8552	非反相	未验证	4.5V~6.5V	10-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	-	14纳秒、9纳秒
TLE9180D21QKXUMA1	7.9200	询价	3471	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	64-LQFP 裸露焊盘	TLE9180	TTL	未验证	5.5V～60V	PG-LQFP-64-27	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,900人	土耳其	半桥	6	N沟道MOSFET	-	1A、1A	-
A89503KLPTR-5	4.1100	询价	3613	快板微系统公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～150℃（TA）	表面贴装	24-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）裸露焊盘	A89503	非反相	未验证	5.5V～80V	24-TSSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	620-A89503KLPTR-5TR	EAR99	8542.39.0001	4,000	同步化	半桥	1	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	-	235纳秒、97纳秒
MCP14A0453T-E/MS	1.5500	询价	4659	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	MCP14A0453	反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	IGBT	0.8V、2V	4.5A、4.5A	12纳秒, 12纳秒
TCK421G,L3F	0.8500	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	6-XFBGA、WLCSP	TCK421	非反相	未验证	2.7V~28V	6-WCSPG (0.8x1.2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	5,000	同步化	高侧和低侧	2	N沟道MOSFET	0.4V、1.2V	-	-
MAX15012CASA+	23.8792	询价	3395	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	MAX15012	非反相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX15012CASA+	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	175伏
ISL6613ACR	-	询价	2423	Intersil	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	不符合 RoHS 指令				EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
风扇7392MX	-	询价	9088	国家安全委员会	*	大部分	的积极				风扇7392		未验证			下载						0000.00.0000	1
NCP51100ASNT1G	0.8700	询价	4533	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	SC-74A、SOT-753	NCP51100	非反相	未验证	11V~18V	SOT-23-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	2V、0.8V	3A、3A	14纳秒、7纳秒
HIP-2500IB	1.5600	询价	6604	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	HIP2500	非反相	未验证	10V~15V	16-SOIC	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	25纳秒, 25纳秒	500V
ISL6596IRZ-T	3.0561	询价	7724	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6596	非反相	未验证	4.5V~5.5V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-, 4A	8纳秒，8纳秒	36V
LM9061MX/NOPB	2.8600	询价	4	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM9061	非反相	未验证	7V~26V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.5V、3.5V	-	-
IRS2127STRPBF	2.0400	询价	7	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2127	非反相	未验证	12V~20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
EB01-FS450R12KE4	-	询价	9508	电源集成	规模™-1	大部分	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	EB01-FS450	-	未验证	-	模块	下载		1（无限制）			EAR99	8473.30.1180	1	-	-		IGBT	-	-	-	800V
TC4432VOA713	3.9200	询价	第854章	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC4432	非反相	未验证	4.5V～30V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	单身的	高侧或低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒、33纳秒
ISL6612BCR-T	-	询价	6436	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	7V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
LTC4440IS6#TRPBF	3.6000	询价	4341	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	LTC4440	非反相	未验证	8V~15V	TSOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.3V、1.6V	2.4A、2.4A	10纳秒、7纳秒	80V
TSC427CPA	1.7800	询价	1	ADI/Maxim 集成	-	大部分	的积极	0℃～70℃	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TSC427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	1.5A、1.5A	20纳秒, 20纳秒
ISL6610CBZ	1.8000	询价	4	Intersil	*	大部分	的积极				ISL6610		未验证			下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-ISL6610CBZ-600010			1
NCP5181PG	-	询价	2377	onsemi	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	NCP5181	非反相	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.3V	1.4A、2.2A	40纳秒、20纳秒	600伏
HIP2103FRTAAZ-T	1.4529	询价	1329	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	HIP2103	非反相	未验证	4.5V~14V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.63V、2.06V	1A、1A	8纳秒、2纳秒	60V
LM5100CSD/NOPB	-	询价	8092	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	1A、1A	990纳秒、715纳秒	118V

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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²