感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
MIC4120YME	1.5700	询价	6	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	麦克风4120	非反相	未验证	4.5V～20V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	576-1445	EAR99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	12纳秒、13纳秒
IXS839S1T/R	-	询价	5710	IXYS	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXS839	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A、4A	20纳秒、15纳秒	24V
UCC27511AQDBVRQ1	1.4000	询价	8574	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6	UCC27511	反相、同相	未验证	4.5V~18V	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	1V、2.4V	4A、8A	8纳秒、7纳秒
TC4427AVMF713	1.3050	询价	4256	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4427AVMF713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
MCP14A0305-E/MNY	0.9750	询价	4481	微芯片	-	管子	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	8-WFDFN 裸露焊盘	MCP14A0305	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-TDFN (2x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	150	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V、2V	3A、3A	12纳秒, 12纳秒
ISL6609AIRZ-T	2.5384	询价	9299	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	ISL6609	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	-, 4A	8纳秒，8纳秒	36V
MIC4451BN	-	询价	6221	微芯片	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4451	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	12A, 12A	20纳秒、24纳秒
E-L6571BD013TR	-	询价	6283	意法半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	E-L6571	RC输入电路	未验证	10V～16.6V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	-	170毫安、270毫安	-	600伏
ISL6611AIRZ-T	-	询价	6507	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	ISL6611	非反相	未验证	4.5V～5.5V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-, 4A	8纳秒，8纳秒	36V
IR2182S	-	询价	2219	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2182	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.7V	1.9A、2.3A	40纳秒、20纳秒	600伏
L6571A	-	询价	8985	意法半导体	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	L6571	RC输入电路	未验证	10V～16.6V	8-迷你 DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	-	170毫安、270毫安	-	600伏
HIP6603BCBZ-T	-	询价	9063	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	HIP6603	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	20纳秒, 20纳秒	15V
LTC7004EMSE#TRPBF	6.9700	询价	2	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC7004	非反相	未验证	3.5V～15V	10-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	-	-	90纳秒、40纳秒	60V
SN75372PE4	2.0320	询价	8427	Texas Instruments	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）		反相			8-PDIP	下载	符合ROHS3标准			296-SN75372PE4	EAR99	8542.39.0001	50	同步化	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，500毫安	20纳秒, 20纳秒
ISL6625ACRZ-TK	1.8537	询价	8759	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-VFDFN 裸露焊盘	ISL6625	非反相	未验证	5.5V～13.2V	8-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-, 3A	31纳秒、18纳秒	36V
TC4432VOA	3.9200	询价	3996	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC4432	非反相	未验证	4.5V～30V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	单身的	高侧或低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒、33纳秒
风扇5009M	-	询价	7199	onsemi	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇5009	反相、同相	未验证	10V～13.5V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	-	40纳秒、20纳秒	15V
ISL6613AIBZ	-	询价	1992年	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
TC4425VMF713	1.9350	询价	4910	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4425	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4425VMF713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	23纳秒、25纳秒
TC4469EPD	5.5500	询价	1	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4469	反相、同相	未验证	4.5V~18V	14-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4469EPD-NDR	EAR99	8542.39.0001	30	独立的	低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.2A、1.2A	15纳秒，15纳秒
MIC4417YM4-TR	1.1900	询价	24	微芯片	伊蒂比蒂®	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	麦克风4417	反相	未验证	4.5V~18V	SOT-143	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.2A、1.2A	14纳秒、16纳秒
ISL89160FRTAZ	-	询价	1029	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	ISL89160	非反相	未验证	4.5V～16V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	-ISL89160FRTAZ	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
ISL6612BIR	-	询价	9350	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	7V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
EL7252CSZ-T13	2.5384	询价	第1154章	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7252	反相	未验证	4.5V～16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒
2SD300C17A2C	136.9075	询价	4341	电源集成	规模™-2	大部分	的积极	-40℃～85℃	通孔	45-DIP模块，43引脚		-		14V~16V	模块	-				596-2SD300C17A2C			12	独立的	-	2	IGBT	-	30A、30A	-	1700伏
AUIRS21271S	-	询价	3326	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRS2127	非反相	未验证	9V～20V	8-SOIC	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001511092	EAR99	8542.39.0001	95	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
TC4427CPA	2.0000	询价	2	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
LTC7003MPMSE#TRPBF	12.4650	询价	9007	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	16-TFSOP（0.118"，3.00mm宽）裸露焊盘	LTC7003	非反相	未验证	3.5V～15V	16-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	-	-	90纳秒、40纳秒	60V
UCC27222PWPR	2.4000	询价	26	尤尼罗德	-	大部分	的积极	-55°C ~ 115°C（太焦）	表面贴装	14-PowerTSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	UCC27222	非反相	未验证	3.7V～20V	14-高温SSOP	下载					EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.7V、2.6V	4A, 4A	17纳秒, 17纳秒
MIC4451ABM-TR	-	询价	8636	微芯片	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4451	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	12A, 12A	20纳秒、24纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²