SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 频道类型 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil,vih 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) 上升 /秋季t (典型) 高侧电压 -最大(引导程序)
NCV57200DR2G onsemi NCV57200DR2G 2.0100
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) NCV57200 不转变 未行业行业经验证 20V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 1 IGBT 0.9V,2.4V 1.9a,2.3a 13ns,8ns 800 v
ADUM4221BRIZ ADI ADUM4221BRIZ 8.2700
RFQ
ECAD 170 0.00000000 模拟设备公司 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) ADUM4221 不转变 未行业行业经验证 2.5V〜6.5V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 37 同步 半桥 2 IGBT 1.5V,3.5V 4a,6a 25ns,30ns
MIC5018BM4TR Microchip Technology MIC5018BM4TR 0.4700
RFQ
ECAD 931 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 TO-253-4,TO-253AA MIC5018 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜9V SOT-143-4 下载 不适用 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 0.8V,2.4V - -
HIP0063AB Harris Corporation HIP0063AB 1.1900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) HIP0063 反转 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 28-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 6 n通道,p通道MOSFET 1.5V,3.5V - -
HIP6601BCBZ-T Intersil HIP6601BCBZ-T 2.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Intersil - 大部分 积极的 0°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) HIP6601 不转变 未行业行业经验证 10.8v〜13.2v 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET - - 20N,20N 15 v
ADP3110KRZ ADI ADP3110KRZ 0.8000
RFQ
ECAD 35 0.00000000 模拟设备公司 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ADP3110 反转,无变形 未行业行业经验证 4.6V〜13.2V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 同步 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2V - 20N,11n 35 v
MIC4424CWMTR Microchip Technology MIC4424CWMTR 0.7000
RFQ
ECAD 13 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 0°C〜70°C 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MIC4424 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜18V 16-Soic 下载 不适用 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 3a,3a 23ns,25ns
ICL7667MJA/883B Rochester Electronics, LLC ICL7667MJA/883B 97.0600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rochester Electronics,LLC * 大部分 积极的 ICL7667 未行业行业经验证 - (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1
LM5100CMYE/NOPB National Semiconductor LM5100CMYE/NOPB 1.2900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) LM5100 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-msop-powerpad 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 250 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 2.3V, - 1a,1a 990NS,715NS 118 v
IR21365SPBF International Rectifier IR21365SPBF 3.8600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IR21365 反转 未行业行业经验证 12v〜20V 28-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,3V 200mA,350mA 125ns,50ns 600 v
LM5101M National Semiconductor LM5101M -
RFQ
ECAD 2410 0.00000000 国家半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) LM5101 不转变 未行业行业经验证 9V〜14V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 半桥 2 n通道MOSFET 0.8V,2.2V 1.6a,1.6a 600NS,600NS 118 v
EL7212CS-T7 Elantec EL7212CS-T7 -
RFQ
ECAD 8730 0.00000000 Elantec - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) EL7212 反转 未行业行业经验证 4.5V〜15V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 2a,2a 7.5NS,10NS
IRS21281SPBF International Rectifier IRS21281SPBF 1.4200
RFQ
ECAD 32 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRS21281 反转 未行业行业经验证 9v〜20V 8-SOIC 下载 不适用 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 单身的 高方向 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 290mA,600mA 80n,40n 600 v
EL7202CS Elantec EL7202CS 5.0200
RFQ
ECAD 43 0.00000000 Elantec - 大部分 积极的 125°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) EL7202 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜15V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1 独立的 低侧 2 n通道,p通道MOSFET 0.8V,2.4V 2a,2a 7.5NS,10NS
IRS26302DJPBF-IR International Rectifier IRS26302DJPBF-IR 6.2300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IRS26302 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.51x16.51) 下载 不适用 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.5V 200mA,350mA 125ns,50ns 600 v
ADP3419JRMZ-REEL-AD ADI ADP3419JRMZ-REEL-AD -
RFQ
ECAD 1996 0.00000000 模拟设备公司 * 大部分 积极的 ADP3419 未行业行业经验证 - rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,500
IR2136JPBF-INF Infineon Technologies IR2136JPBF-INF 2.8800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-LCC(j-lead) IR2136 不转变 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC (16.59x16.59) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,3V 200mA,350mA 125ns,50ns 600 v
ISL6610CBZ-INT Intersil ISL6610CBZ-INT -
RFQ
ECAD 2626 0.00000000 Intersil - 管子 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) ISL6610 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 14-Soic 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 同步 半桥 n通道MOSFET - - ,4A 8ns,8ns 36 V
ADP3414JRZ-REEL-AD ADI ADP3414JRZ-REEL-AD 1.4700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 模拟设备公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) ADP3414 不转变 未行业行业经验证 4.15V〜7.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 高方向 2 n通道MOSFET 0.8V,2.3V - -
DGD0211CWT-7 Diodes Incorporated DGD0211CWT-7 0.6600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 SOT-23-5薄,TSOT-23-5 DGD0211 反转,无变形 未行业行业经验证 4.5V〜18V TSOT-25 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 单身的 低侧 1 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,2.4V 1.9a,1.8a 15ns,15ns
MAX14922ATE+ ADI/Maxim Integrated max1492222ate+ 4.9600
RFQ
ECAD 212 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 16-WFQFN暴露垫 Max14922 不转变 未行业行业经验证 9V〜70V 16-TQFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 490 单身的 高方向 1 n通道MOSFET - - -
UC3705T-UN Unitrode UC3705T-un 4.6700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 单位树 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 TO-220-5 UC3705 反转,无变形 未行业行业经验证 5V〜40V TO-220-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 单身的 低侧 1 n通道MOSFET 0.8V,2.2 V 1.5a,1.5a 60n,60n
AUIRB24427STR-IR International Rectifier AUIRB24427STR-IR 1.8000
RFQ
ECAD 811 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) AUIRB24427 不转变 未行业行业经验证 5v〜20V 8-SOIC 下载 不适用 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 独立的 低侧 2 n通道MOSFET 0.8V,2.5V 6a,6a (33ns (最大),33n (最大)
IRS2330DJTRPBF International Rectifier IRS2330DJTRPBF 3.7600
RFQ
ECAD 91 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 IRS2330 反转 未行业行业经验证 10v〜20V 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1 3相 半桥 6 IGBT,N通道MOSFET 0.8V,0.8V 250mA,500mA 80n,35ns 600 v
ISL78444AVEZ-T Renesas Electronics America Inc ISL784444441Avez-T 2.9726
RFQ
ECAD 6992 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 14-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽) ISL78444 反转,无变形 未行业行业经验证 8v〜18V 14-htssop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 20-isl78444444444vavez-ttr Ear99 8542.39.0001 2,500 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2.1V 3a,4a 10n,10n 100 v
ISL78434AVEZ Renesas Electronics America Inc ISL78434Vavez 2.9726
RFQ
ECAD 7643 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 汽车,AEC-Q100 管子 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 表面安装 14-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽) ISL78434 反转,无变形 未行业行业经验证 8v〜18V 14-htssop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 20-isl78434vavez Ear99 8542.39.0001 960 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1V,2.1V 3a,4a 10n,10n 100 v
HIP2105FRZ Renesas Electronics America Inc HIP2105FRZ 0.4676
RFQ
ECAD 8514 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 10-vfdfn暴露垫 HIP2105 不转变 未行业行业经验证 4.5V〜5.5V 10-DFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 20-hip2105frz Ear99 8542.39.0001 1,000 同步 半桥 2 n通道MOSFET 1.65V,1.3V 4a,4a 15ns,15ns
UC2714DPTR Unitrode UC2714DPTR 0.7100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 单位树 * 大部分 积极的 UC2714 未行业行业经验证 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,500
NCP4424DWR2 onsemi NCP4424DWR2 0.6100
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 NCP4424 未行业行业经验证 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1
NCP3418PDR2 onsemi NCP3418PDR2 0.2400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 NCP3418 未行业行业经验证 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库