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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NCV57200DR2G | 2.0100 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | NCV57200 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 1 | IGBT | 0.9V,2.4V | 1.9a,2.3a | 13ns,8ns | 800 v | |||
![]() | ADUM4221BRIZ | 8.2700 | ![]() | 170 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | ADUM4221 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 2.5V〜6.5V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 37 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT | 1.5V,3.5V | 4a,6a | 25ns,30ns | |||
![]() | MIC5018BM4TR | 0.4700 | ![]() | 931 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | TO-253-4,TO-253AA | MIC5018 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 2.7V〜9V | SOT-143-4 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,2.4V | - | - | |||
![]() | HIP0063AB | 1.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | HIP0063 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 28-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 6 | n通道,p通道MOSFET | 1.5V,3.5V | - | - | |||
![]() | HIP6601BCBZ-T | 2.5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | HIP6601 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | - | 20N,20N | 15 v | ||
![]() | ADP3110KRZ | 0.8000 | ![]() | 35 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ADP3110 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.6V〜13.2V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - | 20N,11n | 35 v | ||
![]() | MIC4424CWMTR | 0.7000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MIC4424 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 16-Soic | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 3a,3a | 23ns,25ns | |||
![]() | ICL7667MJA/883B | 97.0600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rochester Electronics,LLC | * | 大部分 | 积极的 | ICL7667 | 未行业行业经验证 | - | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | LM5100CMYE/NOPB | 1.2900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop (0.118英寸,3.00mm宽) | LM5100 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-msop-powerpad | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2.3V, - | 1a,1a | 990NS,715NS | 118 v | ||
![]() | IR21365SPBF | 3.8600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IR21365 | 反转 | 未行业行业经验证 | 12v〜20V | 28-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,3V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | ||
![]() | LM5101M | - | ![]() | 2410 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5101 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.6a,1.6a | 600NS,600NS | 118 v | ||
![]() | EL7212CS-T7 | - | ![]() | 8730 | 0.00000000 | Elantec | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | EL7212 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 2a,2a | 7.5NS,10NS | |||
![]() | IRS21281SPBF | 1.4200 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS21281 | 反转 | 未行业行业经验证 | 9v〜20V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 80n,40n | 600 v | ||
![]() | EL7202CS | 5.0200 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Elantec | - | 大部分 | 积极的 | 125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | EL7202 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜15V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 2a,2a | 7.5NS,10NS | |||
![]() | IRS26302DJPBF-IR | 6.2300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 | IRS26302 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 44-PLCC,32 条线索(16.51x16.51) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | ||
![]() | ADP3419JRMZ-REEL-AD | - | ![]() | 1996 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | * | 大部分 | 积极的 | ADP3419 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | ||||||||||||||||
![]() | IR2136JPBF-INF | 2.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-LCC(j-lead) | IR2136 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 44-PLCC (16.59x16.59) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,3V | 200mA,350mA | 125ns,50ns | 600 v | ||
![]() | ISL6610CBZ-INT | - | ![]() | 2626 | 0.00000000 | Intersil | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | ISL6610 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 同步 | 半桥 | n通道MOSFET | - | - ,4A | 8ns,8ns | 36 V | |||
![]() | ADP3414JRZ-REEL-AD | 1.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ADP3414 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.15V〜7.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 高方向 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.3V | - | - | |||
![]() | DGD0211CWT-7 | 0.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | SOT-23-5薄,TSOT-23-5 | DGD0211 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | TSOT-25 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.9a,1.8a | 15ns,15ns | ||||
![]() | max1492222ate+ | 4.9600 | ![]() | 212 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 16-WFQFN暴露垫 | Max14922 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜70V | 16-TQFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 490 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | - | - | - | |||
![]() | UC3705T-un | 4.6700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 单位树 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | TO-220-5 | UC3705 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 5V〜40V | TO-220-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2 V | 1.5a,1.5a | 60n,60n | |||
![]() | AUIRB24427STR-IR | 1.8000 | ![]() | 811 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AUIRB24427 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5v〜20V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 6a,6a | (33ns (最大),33n (最大) | |||
![]() | IRS2330DJTRPBF | 3.7600 | ![]() | 91 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 | IRS2330 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,0.8V | 250mA,500mA | 80n,35ns | 600 v | ||
![]() | ISL784444441Avez-T | 2.9726 | ![]() | 6992 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | 14-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽) | ISL78444 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 8v〜18V | 14-htssop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 20-isl78444444444vavez-ttr | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2.1V | 3a,4a | 10n,10n | 100 v | |
![]() | ISL78434Vavez | 2.9726 | ![]() | 7643 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | 14-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽) | ISL78434 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 8v〜18V | 14-htssop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 20-isl78434vavez | Ear99 | 8542.39.0001 | 960 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2.1V | 3a,4a | 10n,10n | 100 v | |
![]() | HIP2105FRZ | 0.4676 | ![]() | 8514 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 10-vfdfn暴露垫 | HIP2105 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 10-DFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 20-hip2105frz | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.65V,1.3V | 4a,4a | 15ns,15ns | ||
![]() | UC2714DPTR | 0.7100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 单位树 | * | 大部分 | 积极的 | UC2714 | 未行业行业经验证 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | ||||||||||||||||
![]() | NCP4424DWR2 | 0.6100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | NCP4424 | 未行业行业经验证 | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | NCP3418PDR2 | 0.2400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | NCP3418 | 未行业行业经验证 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 |
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