电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1SD210F2-FZ750R65KE3 | - | ![]() | 7055 | 0.00000000 | 电源集成 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C | 底盘安装 | 模块 | 1SD210F2 | - | 未行业行业经验证 | 15.5v〜16.8V | 模块 | - | (1 (无限) | 1810-1SD210F2-FZ750R65KE3 | 过时的 | 20 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | IGBT | - | 6a,10a | 100NS,100NS | 1200 v | |||||
![]() | UCC27282DR | 1.5900 | ![]() | 4837 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UCC27282 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5.5V〜16V | 8-SOIC | - | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.3V,1.9V | 2.5a,3.5a | 12n,10n | 120 v | |||
LTC7000JMSE#wpbf | 9.8600 | ![]() | 1787年 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-tfsop (0.118,3.00mm宽) | LTC7000 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜135V | 16-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 37 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 1.8V,1.7V | - | 90NS,40NS | |||||
LTC7000JMSE-1 #WPBF | 9.2600 | ![]() | 426 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-tfsop (0.118英寸,3.00mm宽度),12个铅,裸露的垫子,裸露的垫子 | LTC7000 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜135V | 16-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 37 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 1.8V,1.7V | - | 90NS,40NS | |||||
LTC7000JMSE #PBF | 9.1300 | ![]() | 8723 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-tfsop (0.118,3.00mm宽) | LTC7000 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜135V | 16-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 37 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 1.8V,1.7V | - | 90NS,40NS | |||||
LTC7000JMSE-1#wtrpbf | 5.5050 | ![]() | 1969年 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-tfsop (0.118英寸,3.00mm宽度),12个铅,裸露的垫子,裸露的垫子 | LTC7000 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜135V | 16-msop-ep | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 161-LTC7000JMSE-1#wtrpbftr | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道MOSFET | 1.8V,1.7V | - | 90NS,40NS | ||||
![]() | FAN7190MX-F085P | - | ![]() | 5578 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Fan7190 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜22v | 8-sop | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.2V,2.5V | 4.5a,4.5a | 25NS,20NS | 600 v | |||
![]() | IRS2330DSPBF | 2.9600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IRS2330 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 250mA,500mA | 80n,35ns | 600 v | |||
![]() | IR21091SPBF | - | ![]() | 4356 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR21091 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.9V | 200mA,350mA | 150NS,50NS | 600 v | |||
![]() | LM5109ASD | - | ![]() | 2860 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | LM5109 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜14V | 8-wson(4x4) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2 V | 1a,1a | 15ns,15ns | 108 v | |||
![]() | IRS2123SPBF | - | ![]() | 5330 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS2123 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | - | 500mA,500mA | 80n,80n | 600 v | |||
![]() | IRS2128SPBF | 1.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS2128 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 80n,40n | 600 v | |||
![]() | HIP5015IS1 | 1.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | 通过洞 | 7-SSIP形成的铅 | HIP5015 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9.6v〜14.4V | 7-sip | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 1 | n通道MOSFET | - | 5a,5a | 20N,20N | ||||
![]() | ISL6610CBZ-T | - | ![]() | 2727 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | ISL6610 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 14-Soic | - | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | - ,4A | 8ns,8ns | 36 V | |||
![]() | EL7457CU-T13 | - | ![]() | 8975 | 0.00000000 | Elantec | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16ssop (0.154英寸,宽度为3.90mm) | EL7457 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 16-qsop | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高方面或低侧 | 4 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 2a,2a | 13.5ns,13ns | ||||
![]() | LM5100AM | 2.0000 | ![]() | 153 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5100 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 2.3V, - | 3a,3a | 430ns,260ns | 118 v | |||
![]() | IRS2128pbf | 1.4400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IRS2128 | 反转 | 未行业行业经验证 | 12v〜20V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 80n,40n | 600 v | |||
![]() | IR21084SPBF | - | ![]() | 4471 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | IR21084 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.9V | 200mA,350mA | 150NS,50NS | 600 v | |||
![]() | CA3252E | 1.7800 | ![]() | 204 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | 汽车 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C | 通过洞 | 16 浸(0.300英寸,7.62mm) | CA3252 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 5V | 16-PDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 低侧 | 4 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 600mA,600mA | - | 35 v | |||
![]() | MIC4426CMTR | 0.4200 | ![]() | 8297 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MIC4426 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 18NS,15ns | ||||
![]() | IR21814pbf | 2.0300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | IR21814 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14浸 | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.7V | 1.9a,2.3a | 40NS,20NS | 600 v | |||
![]() | ISL6608CBZ | 2.4200 | ![]() | 967 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL6608 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 2a,2a | 8ns,8ns | 22 v | ||||||
![]() | IR2235STRPBF | - | ![]() | 2122 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | 125°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IR2235 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-Soic | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2V | 250mA,500mA | 90NS,40NS | 1.2 v | ||||||
![]() | UCC27322DG4 | - | ![]() | 1881年 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UCC27322 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4V〜15V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 1.1V,2.7V | 9a,9a | 20N,20N | ||||
![]() | IR21531DPBF | 1.1100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IR21531 | RC输入电路 | 10v〜15.6V | 8-pdip | 下载 | 0000.00.0000 | 271 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | - | 80ns,45ns | 600 v | 未行业行业经验证 | |||||||
![]() | LM5111-3MX/NOPB | 1.1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5111 | 反转,无变形 | 3.5V〜14V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 254 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 3a,5a | 14ns,12ns | 未行业行业经验证 | |||||||
![]() | Auirs2004str | - | ![]() | 6944 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Auiirs2004 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 半桥 | 2 | 200 v | |||||||||||||
![]() | IRS21084pbf | 2.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | IRS21084 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14浸 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 100NS,35NS | 600 v | ||||||
![]() | FAN3226CMX | - | ![]() | 4784 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FAN3226 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 3a,3a | 12ns,9ns | |||||||
![]() | IRS2117STRPBF | 0.8200 | ![]() | 9837 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRS2117 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,9.5V | 290mA,600mA | 75ns,35ns | 600 v |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库