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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 通道类型 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 高侧电压 - 顶部(自举)
IR2233JPBF Infineon Technologies IR2233JPBF 12.2400
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ECAD 第398章 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 的积极 125°C(太焦) 表面贴装 44-LCC(J 引脚),32 引脚 IR2233 反相 未验证 10V~20V 44-PLCC,32端口 (16.58x16.58) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 27号 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2V 250毫安、500毫安 90纳秒、40纳秒 1200伏
MAX4420MJA/883B ADI/Maxim Integrated MAX4420MJA/883B -
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ECAD 2749 0.00000000 ADI/Maxim 集成 军事,MIL-STD-883 管子 的积极 -55℃~125℃(TA) 通孔 8-CDIP(0.300英寸,7.62毫米) MAX4420 非反相 未验证 4.5V~18V 8-CERDIP 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 Q12040589 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 6A, 6A 25纳秒, 25纳秒
FAN7083CMX_F085 onsemi FAN7083CMX_F085 -
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ECAD 8346 0.00000000 onsemi 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇7083 非反相 未验证 10V~20V 8-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道MOSFET - 200毫安、400毫安 200纳秒、25纳秒 600伏
ZXGD3101T8TA Diodes Incorporated ZXGD3101T8TA 1.4636
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ECAD 6319 0.00000000 分散公司 - 卷带式 (TR) 最后一次购买 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SOT-223-8 ZXGD3101 非反相 未验证 5V~15V SM8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.33.0001 1,000 单身的 高侧或低侧 1 N沟道MOSFET - 2.5A、2.5A 305纳秒、20纳秒
MAX5064AATC-T ADI/Maxim Integrated MAX5064AATC-T -
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ECAD 9559 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 12-WQFN 裸露焊盘 MAX5064 反相、同相 未验证 8V~12.6V 12-TQFN (4x4) - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET - 2A, 2A 65纳秒, 65纳秒 125V
SM74101SD/NOPB Texas Instruments SM74101SD/NOPB 1.7900
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ECAD 1 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 6-WDFN 裸露焊盘 SM74101 反相、同相 未验证 3.5V~14V 6-WSON (3x3) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.3V 3A、7A 14纳秒、12纳秒
LMG1025QDEETQ1 Texas Instruments LMG1025QDEETQ1 6.6200
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ECAD 5977 0.00000000 Texas Instruments 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装,可湿侧面 6-WDFN 裸露焊盘 LMG1025 反相、同相 未验证 4.75V~5.25V 6-WSON (2x2) 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 1.8V、1.7V 7A、5A 650ps、850ps
MIC4469ZN Microchip Technology MIC4469ZN 5.3200
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ECAD 17号 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 0℃~70℃(TA) 通孔 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 麦克风4469 反相、同相 未验证 4.5V~18V 14-DIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 25 独立的 低侧 4 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 1.2A、1.2A 14纳秒、13纳秒
TC4421VMF713 Microchip Technology TC4421VMF713 2.2350
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ECAD 8148 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 TC4421 反相 未验证 4.5V~18V 8-DFN-S (6x5) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 TC4421VMF713-NDR EAR99 8542.39.0001 3,300 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 60纳秒, 60纳秒
ISL78434AVEZ-T7A Renesas Electronics America Inc ISL78434AVEZ-T7A 5.5100
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ECAD 4767 0.00000000 瑞萨电子美国公司 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 140°C (TJ) 表面贴装 14-TSSOP(0.173",4.40mm宽)裸露焊盘 ISL78434 反相、同相 未验证 8V~18V 14-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 独立的 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2.1V 3A、4A 10纳秒,10纳秒 100伏
111-4095PBF Infineon Technologies 111-4095PBF -
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ECAD 9566 0.00000000 英飞凌科技 智能调节器™ 管子 过时的 -25°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 111-4095 非反相 未验证 12V~18V 8-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 95 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET 2V、2.15V 2A、7A 18纳秒、10纳秒
TPS2849PWPRG4 Texas Instruments TPS2849PWPRG4 -
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ECAD 7813 0.00000000 Texas Instruments - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 14-PowerTSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) TPS2849 反相 未验证 10V~15V 14-高温SSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 1V、2V 4A, 4A 65纳秒, 65纳秒 29伏
ADP3631ARZ-R7 ADI ADP3631ARZ-R7 2.9800
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ECAD 第832章 0.00000000 模拟器件公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) ADP3631 反相、同相 未验证 9.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V 2A, 2A 10纳秒,10纳秒
TC1413NCPA Microchip Technology TC1413NCPA 2.1600
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ECAD 225 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 0℃~150℃(太焦) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TC1413 非反相 未验证 4.5V~16V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 TC1413NCPA-NDR EAR99 8542.39.0001 60 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2V 3A、3A 20纳秒, 20纳秒
PX3511BDAG-R3 Renesas Electronics America Inc PX3511BDAG-R3 -
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ECAD 5885 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PX3511 非反相 未验证 10.8V~13.2V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
FAN3214TMX-F085 Fairchild Semiconductor FAN3214TMX-F085 -
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ECAD 3583 0.00000000 仙童 汽车,AEC-Q100 大部分 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇3214 非反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 0000.00.0000 1 同步化 低侧 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V 5A、5A 12纳秒、9纳秒
TLE9180D32QKXUMA1 Infineon Technologies TLE9180D32QKXUMA1 -
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ECAD 3106 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 - 表面贴装 64-LQFP 裸露焊盘 TLE9180 - 未验证 6V~60V PG-LQFP-64-27 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,900人 土耳其 半桥 6 N沟道MOSFET - 2A 35纳秒, 35纳秒
MIC5015YM Microchip Technology 麦克风5015YM 2.9100
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ECAD 2241 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 麦克风5015 反相 未验证 2.75V~30V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 576-1235 EAR99 8542.39.0001 95 单身的 高侧或低侧 1 N沟道MOSFET 0.8V、2V - -
ISL6620ACBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6620ACBZ-T -
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ECAD 9515 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) ISL6620 非反相 未验证 4.5V~5.5V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 2A, 2A 8纳秒,8纳秒 36V
IXRFD630 IXYS-RF IXRFD630 -
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ECAD 6073 0.00000000 IXYS-RF - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 6-SMD,写入裸露焊盘 IXRFD630 非反相 未验证 8V~18V - 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8542.39.0001 30 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 30A、30A 4纳秒、4纳秒
MAX15025EATB+T ADI/Maxim Integrated MAX15025EATB+T -
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ECAD 2584 0.00000000 ADI/Maxim 集成 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 10-WFDFN 裸露焊盘 MAX15025 反相、同相 未验证 4.5V~28V 10-TDFN (3x3) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 N沟道MOSFET - 2A、4A 48纳秒、32纳秒
HIP6601BCB-T Renesas Electronics America Inc HIP6601BCB-T -
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ECAD 7806 0.00000000 瑞萨电子美国公司 - 卷带式 (TR) 过时的 0°C ~ 125°C (太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) HIP6601 非反相 未验证 10.8V~13.2V 8-SOIC 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - - 20纳秒, 20纳秒 15V
ISL6612AIB Intersil ISL6612AIB 2.1200
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ECAD 第817章 0.00000000 Intersil - 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) ISL6612 非反相 未验证 10.8V~13.2V 8-SOIC 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8542.39.0001 1 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET - 1.25A、2A 26纳秒、18纳秒 36V
TC4421CPA Microchip Technology TC4421CPA 4.1700
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ECAD 7961 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 0℃~150℃(太焦) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TC4421 反相 未验证 4.5V~18V 8-PDIP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 60 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 60纳秒, 60纳秒
FAN3121CMX onsemi 风扇3121CMX 1.6100
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ECAD 4 0.00000000 onsemi - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 风扇3121 反相 未验证 4.5V~18V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 N沟道MOSFET - 10.6A、11.4A 23纳秒、19纳秒
TC4423VMF713 Microchip Technology TC4423VMF713 1.9350
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ECAD 9310 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 TC4423 反相 未验证 4.5V~18V 8-DFN-S (6x5) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 TC4423VMF713-NDR EAR99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 3A、3A 23纳秒、25纳秒
MIC4124YME Microchip Technology MIC4124YME 2.0100
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ECAD 第251章 0.00000000 微芯片 - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 麦克风4124 非反相 未验证 4.5V~20V 8-SOIC-EP 下载 符合ROHS3标准 2(1年) REACH 不出行 576-1448 EAR99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 3A、3A 11纳秒, 11纳秒
2SD316EI-12 Power Integrations 2SD316EI-12 -
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ECAD 5491 0.00000000 电源集成 规模™-1 托盘 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 安装结构 模块 2SD316 - 未验证 15V 模块 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8543.70.9860 12 - 半桥 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET - 18A, 18A -
TC4423EMF713 Microchip Technology TC4423EMF713 1.6950
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ECAD 第1392章 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 TC4423 反相 未验证 4.5V~18V 8-DFN-S (6x5) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 TC4423EMF713-NDR EAR99 8542.39.0001 3,300 独立的 低侧 2 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 3A、3A 23纳秒、25纳秒
AUIRS21814S Infineon Technologies AUIRS21814S -
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ECAD 3762 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) AUIRS2181 反相 未验证 10V~20V 14-SOIC 下载 3(168小时) REACH 不出行 SP001511300 EAR99 8542.39.0001 55 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 0.8V、2.5V 1.9A、2.3A 15纳秒,15纳秒 600伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库