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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | SIC | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 通道类型 | 驱动配置 | 司机X | 闸门类型 | 逻辑电压 - VIL、VIH | 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) | 上升/下降T(典型值) | 高侧电压 - 顶部(自举) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IR2233JPBF | 12.2400 | ![]() | 第398章 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 的积极 | 125°C(太焦) | 表面贴装 | 44-LCC(J 引脚),32 引脚 | IR2233 | 反相 | 未验证 | 10V~20V | 44-PLCC,32端口 (16.58x16.58) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 27号 | 土耳其 | 半桥 | 6 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2V | 250毫安、500毫安 | 90纳秒、40纳秒 | 1200伏 | ||
![]() | MAX4420MJA/883B | - | ![]() | 2749 | 0.00000000 | ADI/Maxim 集成 | 军事,MIL-STD-883 | 管子 | 的积极 | -55℃~125℃(TA) | 通孔 | 8-CDIP(0.300英寸,7.62毫米) | MAX4420 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-CERDIP | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | Q12040589 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 6A, 6A | 25纳秒, 25纳秒 | ||
![]() | FAN7083CMX_F085 | - | ![]() | 8346 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇7083 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 高侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | - | 200毫安、400毫安 | 200纳秒、25纳秒 | 600伏 | |||
![]() | ZXGD3101T8TA | 1.4636 | ![]() | 6319 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | SOT-223-8 | ZXGD3101 | 非反相 | 未验证 | 5V~15V | SM8 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.33.0001 | 1,000 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | N沟道MOSFET | - | 2.5A、2.5A | 305纳秒、20纳秒 | |||
![]() | MAX5064AATC-T | - | ![]() | 9559 | 0.00000000 | ADI/Maxim 集成 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 12-WQFN 裸露焊盘 | MAX5064 | 反相、同相 | 未验证 | 8V~12.6V | 12-TQFN (4x4) | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 2A, 2A | 65纳秒, 65纳秒 | 125V | ||
![]() | SM74101SD/NOPB | 1.7900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 6-WDFN 裸露焊盘 | SM74101 | 反相、同相 | 未验证 | 3.5V~14V | 6-WSON (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.3V | 3A、7A | 14纳秒、12纳秒 | |||
![]() | LMG1025QDEETQ1 | 6.6200 | ![]() | 5977 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装,可湿侧面 | 6-WDFN 裸露焊盘 | LMG1025 | 反相、同相 | 未验证 | 4.75V~5.25V | 6-WSON (2x2) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 1.8V、1.7V | 7A、5A | 650ps、850ps | |||
![]() | MIC4469ZN | 5.3200 | ![]() | 17号 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 通孔 | 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 麦克风4469 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~18V | 14-DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 低侧 | 4 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 1.2A、1.2A | 14纳秒、13纳秒 | |||
![]() | TC4421VMF713 | 2.2350 | ![]() | 8148 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | TC4421 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-DFN-S (6x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | TC4421VMF713-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 9A, 9A | 60纳秒, 60纳秒 | ||
![]() | ISL78434AVEZ-T7A | 5.5100 | ![]() | 4767 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 140°C (TJ) | 表面贴装 | 14-TSSOP(0.173",4.40mm宽)裸露焊盘 | ISL78434 | 反相、同相 | 未验证 | 8V~18V | 14-高温SSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 独立的 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 1V、2.1V | 3A、4A | 10纳秒,10纳秒 | 100伏 | ||
![]() | 111-4095PBF | - | ![]() | 9566 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | 智能调节器™ | 管子 | 过时的 | -25°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 111-4095 | 非反相 | 未验证 | 12V~18V | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道MOSFET | 2V、2.15V | 2A、7A | 18纳秒、10纳秒 | ||||
![]() | TPS2849PWPRG4 | - | ![]() | 7813 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 14-PowerTSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | TPS2849 | 反相 | 未验证 | 10V~15V | 14-高温SSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 1V、2V | 4A, 4A | 65纳秒, 65纳秒 | 29伏 | ||
![]() | ADP3631ARZ-R7 | 2.9800 | ![]() | 第832章 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | ADP3631 | 反相、同相 | 未验证 | 9.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | 2A, 2A | 10纳秒,10纳秒 | |||
TC1413NCPA | 2.1600 | ![]() | 225 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | 0℃~150℃(太焦) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TC1413 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~16V | 8-PDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | TC1413NCPA-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 60 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2V | 3A、3A | 20纳秒, 20纳秒 | |||
![]() | PX3511BDAG-R3 | - | ![]() | 5885 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 0°C ~ 125°C (太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | PX3511 | 非反相 | 未验证 | 10.8V~13.2V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 1.25A、2A | 26纳秒、18纳秒 | 36V | ||
![]() | FAN3214TMX-F085 | - | ![]() | 3583 | 0.00000000 | 仙童 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇3214 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 同步化 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | 5A、5A | 12纳秒、9纳秒 | |||||||
![]() | TLE9180D32QKXUMA1 | - | ![]() | 3106 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 表面贴装 | 64-LQFP 裸露焊盘 | TLE9180 | - | 未验证 | 6V~60V | PG-LQFP-64-27 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,900人 | 土耳其 | 半桥 | 6 | N沟道MOSFET | - | 2A | 35纳秒, 35纳秒 | ||||
![]() | 麦克风5015YM | 2.9100 | ![]() | 2241 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 麦克风5015 | 反相 | 未验证 | 2.75V~30V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 576-1235 | EAR99 | 8542.39.0001 | 95 | 单身的 | 高侧或低侧 | 1 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | - | - | ||
![]() | ISL6620ACBZ-T | - | ![]() | 9515 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 0°C ~ 125°C (太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | ISL6620 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 2A, 2A | 8纳秒,8纳秒 | 36V | ||
![]() | IXRFD630 | - | ![]() | 6073 | 0.00000000 | IXYS-RF | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 6-SMD,写入裸露焊盘 | IXRFD630 | 非反相 | 未验证 | 8V~18V | - | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 30 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、3.5V | 30A、30A | 4纳秒、4纳秒 | |||
![]() | MAX15025EATB+T | - | ![]() | 2584 | 0.00000000 | ADI/Maxim 集成 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 10-WFDFN 裸露焊盘 | MAX15025 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~28V | 10-TDFN (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道MOSFET | - | 2A、4A | 48纳秒、32纳秒 | |||
![]() | HIP6601BCB-T | - | ![]() | 7806 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 0°C ~ 125°C (太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | HIP6601 | 非反相 | 未验证 | 10.8V~13.2V | 8-SOIC | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | - | 20纳秒, 20纳秒 | 15V | ||
![]() | ISL6612AIB | 2.1200 | ![]() | 第817章 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | ISL6612 | 非反相 | 未验证 | 10.8V~13.2V | 8-SOIC | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | - | 1.25A、2A | 26纳秒、18纳秒 | 36V | ||
TC4421CPA | 4.1700 | ![]() | 7961 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | 0℃~150℃(太焦) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TC4421 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-PDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 60 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 9A, 9A | 60纳秒, 60纳秒 | ||||
![]() | 风扇3121CMX | 1.6100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 风扇3121 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 低侧 | 1 | N沟道MOSFET | - | 10.6A、11.4A | 23纳秒、19纳秒 | |||
![]() | TC4423VMF713 | 1.9350 | ![]() | 9310 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | TC4423 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-DFN-S (6x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | TC4423VMF713-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 3A、3A | 23纳秒、25纳秒 | ||
![]() | MIC4124YME | 2.0100 | ![]() | 第251章 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽)裸露焊盘 | 麦克风4124 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~20V | 8-SOIC-EP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | 576-1448 | EAR99 | 8542.39.0001 | 95 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 3A、3A | 11纳秒, 11纳秒 | ||
![]() | 2SD316EI-12 | - | ![]() | 5491 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模™-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 安装结构 | 模块 | 2SD316 | - | 未验证 | 15V | 模块 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8543.70.9860 | 12 | - | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | - | 18A, 18A | - | ||||
![]() | TC4423EMF713 | 1.6950 | ![]() | 第1392章 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | TC4423 | 反相 | 未验证 | 4.5V~18V | 8-DFN-S (6x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | TC4423EMF713-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 独立的 | 低侧 | 2 | N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 3A、3A | 23纳秒、25纳秒 | ||
![]() | AUIRS21814S | - | ![]() | 3762 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | AUIRS2181 | 反相 | 未验证 | 10V~20V | 14-SOIC | 下载 | 3(168小时) | REACH 不出行 | SP001511300 | EAR99 | 8542.39.0001 | 55 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 1.9A、2.3A | 15纳秒,15纳秒 | 600伏 |
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