感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
DGD05463FN-7	0.8500	询价	14	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	10-WFDFN 裸露焊盘	DGD05463	CMOS/TTL	未验证	4.5V~14V	W-DFN3030-10	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、2.5A	17纳秒、12纳秒	50V
UCC37324P	-	询价	9446	尤尼罗德	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准		供应商未定义	2156-UCC37324P-600018			1
1SP0335V2M1C-XXXX (2)(3)(4)(5)	273.0783	询价	6736	电源集成	-	大部分	的积极									-				596-1SP0335V2M1C-XXXX(2)(3)(4)(5)			6
MAX17602ATA+T	1.2450	询价	3917	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	MAX17602	反相、同相	未验证	4V~14V	8-TDFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.1V	4A, 4A	40纳秒、25纳秒
FAN7190MX-F085P	-	询价	3838	onsemi	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7190	非反相	未验证	10V~22V	8-SOIC	-		不适用	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.2V、2.5V	4.5A、4.5A	25纳秒、20纳秒	600伏
MCP14A0305-E/MNY	0.9750	询价	4481	微芯片	-	管子	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	8-WFDFN 裸露焊盘	MCP14A0305	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-TDFN (2x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	150	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V、2V	3A、3A	12纳秒, 12纳秒
ISL89412IP	2.3600	询价	第281章	Intersil	-	大部分	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	ISL89412	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	7.5纳秒、10纳秒
IR21365JPBF	-	询价	3211	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR21365	反相	未验证	12V~20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载		3（168小时）	REACH 不出行	*IR21365JPBF	EAR99	8542.39.0001	27号	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
TC1411NVUA713	1.2700	询价	6693	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC1411	非反相	未验证	4.5V～16V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	1A、1A	25纳秒, 25纳秒
LTC1154HS8#PBF	7.4700	询价	第402章	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40℃～150℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LTC1154	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	-
L6571A	-	询价	8985	意法半导体	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	L6571	RC输入电路	未验证	10V～16.6V	8-迷你 DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	-	170毫安、270毫安	-	600伏
IXS839S1T/R	-	询价	5710	IXYS	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXS839	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A、4A	20纳秒、15纳秒	24V
IR2182S	-	询价	2219	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2182	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.7V	1.9A、2.3A	40纳秒、20纳秒	600伏
IXDN504SIAT/R	-	询价	1822年	IXYS	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXDN504	非反相	未验证	4.5V～30V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	4A, 4A	9纳秒、8纳秒
IR20153SPBF	-	询价	6066	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR20153	反相	未验证	5V~20V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.4V、3V	1.5A、1.5A	200纳秒、100纳秒	150伏
UCC27200ADRMT	2.7600	询价	1	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	UCC27200	非反相	未验证	8V~17V	8-VSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	3V、8V	3A、3A	8纳秒、7纳秒	120V
ISL6611AIRZ-T	-	询价	6507	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	ISL6611	非反相	未验证	4.5V～5.5V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-, 4A	8纳秒，8纳秒	36V
UCC27511AQDBVRQ1	1.4000	询价	8574	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6	UCC27511	反相、同相	未验证	4.5V~18V	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	1V、2.4V	4A、8A	8纳秒、7纳秒
MAX621CPN	-	询价	6716	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	通孔	18-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MAX621	非反相	未验证	4.5V～16.5V	18-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	Q509242	EAR99	8542.39.0001	20	独立的	高侧	4	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	-	1.7μs、2.5μs
ISL6608IBZ	-	询价	1101	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6608	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	22V
IXDI509SIA	-	询价	4432	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXDI509	反相	未验证	4.5V～30V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	94	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	25纳秒、23纳秒
IX4R11S3T/R	-	询价	5718	IXYS	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IX4R11	非反相	未验证	10V～35V	16-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、7V	4A, 4A	23纳秒、22纳秒	650伏
MIC4120YME	1.5700	询价	6	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	麦克风4120	非反相	未验证	4.5V～20V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	576-1445	EAR99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	12纳秒、13纳秒
E-L6571BD013TR	-	询价	6283	意法半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	E-L6571	RC输入电路	未验证	10V～16.6V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	-	170毫安、270毫安	-	600伏
EL7156CSZ-T7A	11.3300	询价	235	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7156	非反相	未验证	4.5V～16.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	0.8V、2.4V	3.5A、3.5A	14.5纳秒、15纳秒
ISL6605CRZ-T	-	询价	7822	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	ISL6605	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	33V
ISL6609AIRZ-T	2.5384	询价	9299	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	ISL6609	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	-, 4A	8纳秒，8纳秒	36V
MIC4423BN	-	询价	2778	微芯片	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4423	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	28纳秒、32纳秒
IRS2109PBF	-	询价	4366	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	国税局2109	非反相	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001545440	EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	100纳秒、35纳秒	600伏
UCD7232RTJT	1.8700	询价	2505	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	20-WFQFN 裸露焊盘	UCD7232	非反相	未验证	4.7V～15V	20-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	4A, 4A	27纳秒、21纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²