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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1EDN7550UXTSA1 | 1.3400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-XFDFN | 1EDN7550 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | PG-TSNP-6-13 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 7,500 | 单身的 | 高方向 | 1 | n通道,p通道MOSFET | - | 4a,8a | 6.5NS,4.5NS | |||
![]() | LMG1025QDEETQ1 | 6.6200 | ![]() | 5977 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装,可润湿的侧面 | 6-WDFN暴露垫 | LMG1025 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.75V〜5.25V | 6-wson(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 1.8V,1.7V | 7a,5a | 650ps,850ps | |||
![]() | mp1917agr-p | 2.2700 | ![]() | 118 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vdfn裸露的垫子 | MP1917 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜15v | 10-qfn (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1589-MP1917AGR-PTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2.4V | 4a,6a | 15ns,15ns | 2 v | |
![]() | mp1917agr-Z | 0.9300 | ![]() | 3957 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-vdfn裸露的垫子 | MP1917 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜15v | 10-qfn (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1589-MP1917AGR-ZTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V,2.4V | 4a,6a | 15ns,15ns | 2 v | |
IX4351NETR | 3.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ixys集成电路部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic (0.154英寸,3.90mm) | IX4351 | CMOS,TTL | 未行业行业经验证 | -10V〜25V | 16-SOIC-EP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,SIC MOSFET | 1V,2.2V | 9a,9a | 10n,10n | ||||
![]() | IR2101C | - | ![]() | 6667 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 管子 | 过时的 | IR2101 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | IR2110CX6SA1 | - | ![]() | 2590 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 管子 | 过时的 | IR2110 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | MCP14A1202T-E/SNVAO | - | ![]() | 2965 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MCP14A1202 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,300 | 同步 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2V | - | 25n,25n | |||||
![]() | DGD0280WT-7 | 0.9200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | SOT-23-5薄,TSOT-23-5 | DGD0280 | CMOS,TTL | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | TSOT-23-5 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 31-DGD0280WT-7DKR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2V | 2.5a,2.8a | 20N,15n | ||
![]() | NJW4832KH1-A-TE3 | 0.6798 | ![]() | 6226 | 0.00000000 | Nisshinbo Micro Devices Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 6-xfdfn暴露垫 | NJW4832 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.6V〜40V | 6-DFN(1.6x1.6) | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 高方向 | 1 | P通道MOSFET | 0.9V,2.64V | - | 10µs,10µs | ||||||
![]() | Max8791GTA+TGC1 | - | ![]() | 5449 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | Max8791 | 未行业行业经验证 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 175-MAX8791GTA+TGC1TR | 过时的 | 2,500 | |||||||||||||||||
![]() | 2ED21814S06JXUMA1 | 3.0500 | ![]() | 7893 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | 2ED21814 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | PG-DSO-14 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 高侧和低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.1V,1.7V | 2.5a,2.5a | 15ns,15ns | 675 v | ||
![]() | SG1644J-DESC | - | ![]() | 5794 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-STD-883 | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 14-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | SG1644 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | 14-Cerdip | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SG1644J-DESC | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2V | 500mA,500mA | 35ns,30ns | |||
![]() | SG1644Y | - | ![]() | 2048 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-STD-883 | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | SG1644 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | 8-Cerdip | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SG1644Y | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2V | 500mA,500mA | 35ns,30ns | |||
![]() | SG1626Y | - | ![]() | 7051 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-STD-883 | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | SG1626 | 反转 | 未行业行业经验证 | 22V | 8-Cerdip | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SG1626Y | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2V | 3a | 30ns,30ns | |||
![]() | SG1626J-DESC | - | ![]() | 4882 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-STD-883 | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 14-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | SG1626 | 反转 | 未行业行业经验证 | 22V | 14-Cerdip | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SG1626J-DESC | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2V | 3a | 30ns,30ns | |||
![]() | TSC426CPA | - | ![]() | 4032 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | TSC426 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 1.5a,1.5a | 20N,20N | |||
![]() | NCP1053XP136 | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | NCP1053 | 未行业行业经验证 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | max8702etp | 4.6800 | ![]() | 402 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜100°C | 表面安装 | 20-WFQFN暴露垫 | Max8702 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜28V | 20-TQFN-EP(4x4) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 16ns,14ns | |||
![]() | max4428esa | - | ![]() | 2403 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Max4428 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 20N,20N | |||
![]() | max4428cpa | 1.7800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | Max4428 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.5a,1.5a | 20N,20N | |||
![]() | FAN7081CMX | 0.9500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Fan7081 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高方向 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 8V,12.6V | 250mA,500mA | 15ns,10ns | 600 v | ||
![]() | FAN7083MX | 1.0000 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Fan7083 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 8V,12.6V | 200mA,400mA | 200NS,25NS | 600 v | ||
![]() | max15070aeut+ | 3.1300 | ![]() | 683 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | Max15070 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4V〜14V | SOT-23-6 | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 700 | 单身的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 3a,7a | 6NS,4NS | |||
![]() | max4429epa | - | ![]() | 2787 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | Max4429 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 25n,25n | |||
![]() | Fan7083m | 1.1200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Fan7083 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 8V,12.6V | 200mA,400mA | 200NS,25NS | 600 v | ||
![]() | FAN7080MX | - | ![]() | 2430 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Fan7080 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5.5V〜20V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.7V | 250mA,500mA | 40ns,25ns | 600 v | ||
![]() | Fan7080cm | 1.0700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Fan7080 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5.5V〜20V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.7V | 250mA,500mA | 40ns,25ns | 600 v | ||
![]() | max15024catb+ | 3.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 10-WFDFN暴露垫 | Max15024 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜28V | 10-TDFN-EP(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 4a,8a | 3NS,3NS | |||
![]() | max4420csa-t | 2.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Max4420 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 6a,6a | 25n,25n |
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