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门司机（（7161）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil，vih | 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） | 上升 /秋季t （典型） | 高侧电压 -最大（引导程序） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ISL6208IB | 1.0100 |  | 1 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | -10°C〜100°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL6208 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.5V，2V | 2a，2a | 8ns，8ns | 33 V | |
 | ISL6209CR | 0.8900 | | 1 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | -10°C〜100°C（TA） | 表面安装 | 8-vqfn裸露的垫子 | ISL6209 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-qfn （3x3） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.8V，3.1V | 2a，2a | 8ns，8ns | 33 V | |
 | Adp3120ajrz | 0.8000 | | 9 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | - | 大部分 | 积极的 | -20°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ADP3120 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 4.6V〜13.2V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V，2V | - | 20N，11n | 35 v | |
 | HIP2211FBZ-T7A | 2.1800 | | 250 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | HIP2211 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 6v〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.47V，1.84V | 3a，4a | 435ns，365ns | 115 v | |
 | 2EDS8165HXUMA2 | 3.3400 | | 984 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 2EDS8165 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 20V | PG-DSO-16-30 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道，p通道MOSFET | - ，1.65V | 1a，2a | 6.5NS，4.5NS | ||
 | HDC1100-03P | 12.5000 | | 2 | 0.00000000 | SMSC | * | 大部分 | 积极的 | HDC1100 | 未行业行业经验证 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||
| adp3417jr | 0.7000 | | 11 | 0.00000000 | 模拟设备公司 | ADP3417 | 大部分 | 积极的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ADP3417 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 4.15v〜13.2V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 高方向 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V，2.5V | - | - | ||
 | ADP36110091RMZR | 0.1800 | | 28 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | ADP36110091 | 未行业行业经验证 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||
| R2J20652ANP ＃G3 | 6.8200 | | 29 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | R2J20652 | 未行业行业经验证 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||
| NCP4429DR2 | 0.4800 | | 28 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | NCP4429 | 未行业行业经验证 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||
 | NCP4421P | 1.3600 | | 14 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | NCP4421 | 未行业行业经验证 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||
 | R2J20604NP ＃13 | 10.2400 | | 109 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | R2J20604 | 未行业行业经验证 | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||
 | R2J20651NP ＃G3 | 6.8200 | | 337 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | R2J20651 | 未行业行业经验证 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||
 | HIP6602CB-T | 2.2700 | | 2 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） | HIP6602 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5v〜12v，10.8v〜13.2v | 14-Soic | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | 730ma， - | 20N，20N | ||
| max626sa | - | | 9828 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 大部分 | 积极的 | - | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | Max626 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道，p通道MOSFET | 0.8V，2.4V | 2a，2a | 20N，20N | ||
| HIP6603ACB | 1.2100 | | 1 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | HIP6603 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 580mA， - | 20N，20N | ||
 | HIP6602ACR | 2.1500 | | 960 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | HIP6602 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 1.8v〜13.2V | 16 QFN（5x5） | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 全桥 | 4 | n通道MOSFET | - | 730ma， - | 20N，20N | ||
 | TPIC46L02DBLE | 0.7200 | | 10 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||
| ISL6612AIB | 2.1200 | | 817 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL6612 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | 1.25a，2a | 26NS，18NS | 36 V | |
| NCP4422P | 1.3600 | | 13 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | NCP4422 | 未行业行业经验证 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||
| NCP4429P | 0.5300 | | 25 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | NCP4429 | 未行业行业经验证 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||
 | HIP5015IS | 2.0700 | | 864 | 0.00000000 | Intersil | Synchrofet™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA | HIP5015 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 7鸥翼饮 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 1 | n通道MOSFET | - | - | 20N，20N | ||
 | 2EDF9275FXUMA1 | 3.4000 | | 7 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | 2EDF9275 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 20V | PG-DSO-16-11 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT，SIC MOSFET | - ，1.65V | 4a，8a | 6.5NS，4.5NS | 650 v | |
 | MIC5015BMTR | 0.6400 | | 6 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MIC5015 | 反转 | 未行业行业经验证 | 2.75V〜30V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V，2V | 50mA， - | - | ||
 | HIP6603BCBZ | 1.5900 | | 799 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | HIP6603 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10.8v〜13.2v | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | - | - | 20N，20N | 15 v | |
 | CA3252M | 1.8700 | | 28 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | 汽车 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度） | CA3252 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 5V | 20-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 低侧 | 4 | n通道MOSFET | 0.8V，2V | 600mA，600mA | - | 35 v | |
| HIP5016IS1 | 1.8300 | | 885 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | 通过洞 | 7-SSIP形成的铅 | HIP5016 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9.6v〜14.4V | 7-sip | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 1 | n通道MOSFET | - | 5a，5a | 20N，20N | ||
| ISL6605CBZ | 2.1300 | | 612 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ISL6605 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1V，2V | 2a，2a | 8ns，8ns | 33 V | |
| FAN3183MX | 0.7300 | | 32 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | - | FAN3183 | - | 未行业行业经验证 | - | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | - | - | - | - | - | ||||||
 | LM5112MY | - | | 9914 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽） | LM5112 | 反转，无变形 | 未行业行业经验证 | 3.5V〜14V | 8-msop-powerpad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | n通道MOSFET | 0.8V，2.3V | 3a，7a | 14ns，12ns |
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