感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
MIC4478YME-T5	-	询价	9916	微芯片	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	麦克风4478	非反相	未验证	4.5V~32V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2.5A、2.5A	120纳秒、45纳秒
MIC4421BM-TR	-	询价	5898	微芯片	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4421	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
IRS2817DSPBF	1.2793	询价	2583	英飞凌科技	*	管子	不适合新设计				国税局2817		未验证			下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,800
ISL6608CR	-	询价	4515	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	ISL6608	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-QFN (3x3)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	22V
ADP3416JR-卷轴	-	询价	6545	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的				ADP3416					-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人
LTC4442IMS8E-1#TRPBF	2.5650	询价	4600	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4442	非反相	未验证	6V～9.5V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2.4A、2.4A	12纳秒、8纳秒	42V
TC1426COA	1.4900	询价	8443	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC1426	反相	未验证	4.5V～16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	1.2A、1.2A	35纳秒、25纳秒
IR21834	-	询价	7220	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR21834	反相、同相	未验证	10V～20V	14-DIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.7V	1.9A、2.3A	40纳秒、20纳秒	600伏
CSD123	-	询价	7294	电源集成	-	大部分	过时的				CSD123		未验证			-		不适用			过时的	0000.00.0000	1
SC1302CISTRT	-	询价	1691	森泰克公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SC1302	反相、同相	未验证	4.5V～16.5V	8-SOIC	-		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	20纳秒, 20纳秒
IXDF504PI	-	询价	8872	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXDF504	反相、同相	未验证	4.5V～30V	8-DIP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	4A, 4A	9纳秒、8纳秒
TC4627COE713	4.6500	询价	1039	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	TC4627	非反相	未验证	4V~6V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4627COE713-NDR	EAR99	8542.39.0001	1,000	单身的	高侧或低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	33纳秒、27纳秒
TC427IJA	40.9000	询价	8160	微芯片	-	管子	的积极	-25°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-CERDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	30纳秒、30纳秒
ISL6612CR-T	-	询价	2934	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
ADP3654ARDZ-RL	2.8500	询价	4	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ADP3654	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	4A, 4A	10纳秒，10纳秒
TC4428MJA	-	询价	7672	微芯片	-	管子	过时的	-55℃～125℃（TA）	通孔	8-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4428	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-CERDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4428MJA-NDR	EAR99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
MIC4422BM	-	询价	8079	微芯片	-	管子	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4422	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
AUIRS4427S	-	询价	3368	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRS4427	非反相	未验证	6V～20V	8-SOIC	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP001513318	EAR99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.5V	2.3A、3.3A	25纳秒, 25纳秒
ISL6612AECBZ	-	询价	7278	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	980	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
MCP14E3T-E/SL	-	询价	7212	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14E3	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,600		低侧	2
L6387ED	1.6600	询价	9523	意法半导体	-	管子	的积极	-45°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6387	反相	未验证	17V（最大）	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.5V、3.6V	400毫安、650毫安	50纳秒、30纳秒	600伏
L6743BTR	-	询价	2670	意法半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	L6743	非反相	未验证	5V~12V	8-VFDFPN (3x3)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A，-	-	41V
UCC27423DGN	-	询价	6002	尤尼罗德	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	UCC27423	反相	未验证	4V～15V	8-MSOP-PowerPad	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
ISL89162FBEAZ-T	-	询价	8383	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL89162	反相、同相	未验证	4.5V～16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.22V、2.08V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
ISL6594DCRZ	-	询价	2411	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6594	非反相	未验证	6.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
IR21064	-	询价	第1384章	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR21064	非反相	未验证	10V～20V	14-DIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IR21064	EAR99	8542.39.0001	25	独立的	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.9V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
UCC27210DPRR	0.9945	询价	6284	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	UCC27210	非反相	未验证	8V~17V	10-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.4V、5.8V	4A, 4A	7.2纳秒、5.5纳秒	120V
IR2101SPBF	2.7700	询价	2	英飞凌科技	-	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2101	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	210毫安、360毫安	100纳秒、50纳秒	600伏
MIC4422YM-TR	2.6100	询价	4633	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4422	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
AUIRS2110S	-	询价	7350	国际校正器公司	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	AUIRS2110	非反相	未验证	3V～20V	16-SOIC	-	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	2.5A、2.5A	25纳秒、15纳秒	500V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²