感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
L6569D	-	询价	6044	意法半导体	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6569	RC输入电路	未验证	10V～16.6V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	-	170毫安、270毫安	-	600伏
MCP1406T-E/MF	1.4700	询价	5182	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCP1406	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	MCP1406T-E/MFTR	EAR99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
UBA2032T/N2,118	-	询价	5254	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	24-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	UBA2032	RC输入电路	未验证	10.5V～13.5V	24-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	2V、4V；3V、6V	180毫安、200毫安	-	550伏
TC1413NEUA713	1.5400	询价	8720	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC1413	非反相	未验证	4.5V～16V	8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC1413NEUA713-NDR	EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	3A、3A	20纳秒, 20纳秒
RT9624AZS	0.8000	询价	7	立锜美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	RT9624	反相、同相	未验证	4.5V～13.2V	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.7V、3.2V	-	25纳秒、12纳秒	15V
IXDI514PI	-	询价	1887年	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXDI514	反相	未验证	4.5V～30V	8-DIP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	1V、2.5V	14A, 14A	25纳秒、22纳秒
LM5100ASDX	-	询价	8482	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-WDFN 裸露焊盘	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	10-WSON (4x4)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	3A、3A	430纳秒、260纳秒	118V
NCP3418BMNR2G	-	询价	4843	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	NCP3418	非反相	未验证	4.6V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	16纳秒、11纳秒	30V
MC33151P	-	询价	2045	onsemi	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MC33151	反相	未验证	6.5V～18V	8-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.6V	1.5A、1.5A	31纳秒、32纳秒
UCC27425DGN	1.6700	询价	134	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	UCC27425	反相、同相	未验证	4V～15V	8-HVSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	80	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
MAX5063AASA	-	询价	6478	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX5063	非反相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	125V
IXDE509PI	-	询价	1276	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXDE509	反相	未验证	4.5V～30V	8-DIP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	25纳秒、23纳秒
IXDN414PI	-	询价	4230	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXDN414	非反相	未验证	4.5V～35V	8-DIP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	14A, 14A	22纳秒、20纳秒
IRS2890DSTRPBF	3.0200	询价	9253	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2890	非反相	未验证	10V～20V	PG-DSO-14-903	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	220毫安、480毫安	85纳秒、30纳秒	600伏
ISL6596CRZ-T	2.5384	询价	1807年	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6596	非反相	未验证	4.5V～5.5V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-, 4A	8纳秒，8纳秒	36V
LM5100MX	-	询价	4279	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	3V、8V	1.6A、1.6A	600纳秒, 600纳秒	118V
IRS2128SPBF	-	询价	8567	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2128	反相	未验证	12V~20V	8-SOIC	下载		2（1年）	REACH 不出行	SP001534782	EAR99	8542.39.0001	95	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
TPS2814DRG4	-	询价	3494	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPS2814	反相、同相	未验证	4V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、4V	2A, 2A	14纳秒、15纳秒
ADP3415LRMZ-卷轴	-	询价	4111	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	ADP3415	非反相	未验证	4.75V～5.25V	10-MSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000		半桥	2					30V
LF2388BTR	2.9100	询价	第677章	IXYS集成电路事业部	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	20-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	LF2388	反相	未验证	10V～20V	20-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	212-LF2388BTR	EAR99	8542.39.0001	1,500人	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	420毫安、750毫安	45纳秒、25纳秒	600伏
EL7154CS-T7	-	询价	第1643章	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7154	非反相	未验证	4.5V～16V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.6V、2.4V	4A, 4A	4纳秒、4纳秒
TPS2838PWPRG4	-	询价	2574	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-PowerTSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPS2838	非反相	未验证	10V~15V	16-高温SSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	65纳秒, 65纳秒	29伏
MCP1406T-E/MFVAO	-	询价	2508	微芯片	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCP1406	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
ISL6612BEIBZ-T	-	询价	5697	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	7V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
ADP3633ARHZ-RL	1.6650	询价	5690	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	ADP3633	反相	未验证	9.5V～18V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	4A, 4A	10纳秒，10纳秒
IXDI630CI	9.7600	询价	22	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-5	IXDI630	反相	未验证	12.5V～35V	TO-220-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	30A、30A	11纳秒, 11纳秒
MCP1406T-E/SN	1.3700	询价	6	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP1406	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
2SC0435T2G1-17	99.7100	询价	94	电源集成	规模™-2+	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	模块	2SC0435	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载		1（无限制）		1810-1029	EAR99	8473.30.1180	24	独立的	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	35A, 35A	20纳秒, 20纳秒	1700伏
MCP14E5-E/MF	2.2050	询价	5432	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCP14E5	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4A, 4A	15纳秒、18纳秒
MC33153PG	2.5000	询价	7863	onsemi	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MC33153	反相	未验证	11V~20V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	1.2V、3.2V	1A、2A	17纳秒, 17纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²