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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) |
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![]() | ISL6610CBZ | - | ![]() | 6459 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | ISL6610 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | - ,4A | 8ns,8ns | 36 V | ||
![]() | ISL6610IRZ | - | ![]() | 9232 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | ISL6610 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 16 QFN (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 75 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | - | - ,4A | 8ns,8ns | 36 V | ||
![]() | ISL83202IPZ | - | ![]() | 4982 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 16 浸(0.300英寸,7.62mm) | ISL83202 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 8.5V〜15V | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -isl83202IPZ | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | 1V,2.5V | 1a,1a | 9NS,9NS | 70 v | |
![]() | L6385ED | 1.6600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | L6385 | 反转 | 未行业行业经验证 | (17V)) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.5V,3.6V | 400mA,650mA | 50ns,30ns | 600 v | ||
![]() | L6386ED | 1.8500 | ![]() | 2827 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | L6386 | 反转 | 未行业行业经验证 | (17V)) | 14件事 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 1.5V,3.6V | 400mA,650mA | 50ns,30ns | 600 v | ||
![]() | IX2A11S1T/r。 | - | ![]() | 4902 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IX2A11 | - | 未行业行业经验证 | - | 8-SOIC | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | - | - | - | - | - | |||||
![]() | IXA611M6T/r。 | - | ![]() | 7264 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-vdfn暴露垫 | IXA611 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜35V | 16-MLP(7x6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,7V | 600mA,600mA | 23ns,22ns | 650 v | |||
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![]() | IXDD409PI | - | ![]() | 5652 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IXDD409 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8点 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3.5V | 9a,9a | 10n,10n | ||||
![]() | ixdd415si | - | ![]() | 3908 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IXDD415 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜30v | 28-Soic | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 27 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,3.5V | 15a,15a | 4.5NS,3.5NS | ||||
![]() | ixdd430mci | - | ![]() | 4520 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-5 | IXDD430 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8.5V〜35V | TO-220-5 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3.5V | 30a,30a | 18NS,16NS | ||||
![]() | ixdd430yi | - | ![]() | 9155 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-6,D²Pak(5 + tab),TO-263BA | IXDD430 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8.5V〜35V | TO-263-5 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3.5V | 30a,30a | 18NS,16NS | ||||
![]() | IXDD504SIA | - | ![]() | 6826 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDD504 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 94 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 4a,4a | 9NS,8NS | ||||
![]() | IXDD514D1T/r。 | - | ![]() | 2764 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-vdfn裸露的垫子 | IXDD514 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 6-DFN (4x5) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 1V,2.5V | 14a,14a | 25ns,22ns | ||||
![]() | IXDE504SIA | - | ![]() | 3991 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDE504 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 94 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 4a,4a | 9NS,8NS | ||||
![]() | IXDI502SIA | - | ![]() | 4930 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDI502 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 94 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 2a,2a | 7.5NS,6.5NS | ||||
![]() | ixdi504pi | - | ![]() | 6562 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IXDI504 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8点 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3V | 4a,4a | 9NS,8NS | ||||
![]() | ixdi509siat/r | - | ![]() | 3477 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDI509 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 9a,9a | 25ns,23ns | ||||
![]() | IXDN414PI | - | ![]() | 4230 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IXDN414 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜35V | 8点 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,3.5V | 14a,14a | 22ns,20ns | ||||
![]() | ixdn509siat/r。 | - | ![]() | 5113 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXDN509 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜30V | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 单身的 | 低侧 | 1 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 9a,9a | 25ns,23ns | ||||
![]() | IXF611S1T/r。 | - | ![]() | 1194 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IXF611 | - | 未行业行业经验证 | - | 8-SOIC | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | - | - | - | - | - | |||||
![]() | IXH611P1 | - | ![]() | 8259 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | - | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IXH611 | - | 未行业行业经验证 | - | 8点 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 450 | - | - | - | - | - | - | |||||
![]() | TPIC46L01DBR | 1.5180 | ![]() | 6860 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28SSOP(0.209英寸,宽度为5.30mm) | TPIC46L01 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 28 sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 独立的 | 低侧 | 6 | n通道MOSFET | - | 1.2mA,1.2mA | 3.5µs,3µs | |||
![]() | TPIC46L02DBR | 1.5180 | ![]() | 8361 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28SSOP(0.209英寸,宽度为5.30mm) | TPIC46L02 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 28 sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 独立的 | 低侧 | 6 | n通道MOSFET | - | 1.2mA,1.2mA | 3.5µs,3µs | |||
![]() | MCP14E4-E/SN | 2.4500 | ![]() | 660 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MCP14E4 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MCP14E4ESN | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | Igbt,n通道,p通道Mosfet | 0.8V,2.4V | 4a,4a | 15NS,18NS | ||
![]() | ISL6611ACRZ-T | - | ![]() | 5035 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | ISL6611 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 16 QFN (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - ,4A | 8ns,8ns | 36 V | ||
![]() | ISL6611AIRZ-T | - | ![]() | 6507 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | ISL6611 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 16 QFN (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 同步 | 半桥 | 4 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | - ,4A | 8ns,8ns | 36 V | ||
![]() | EL7457CSZ-T7A | - | ![]() | 2410 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | EL7457 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 独立的 | 高方面或低侧 | 4 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2V | 2a,2a | 13.5ns,13ns | |||
ISL89160FRTAZ | - | ![]() | 1029 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | ISL89160 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜16V | 8-tdfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -isl89160frtaz | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 独立的 | 低侧 | 2 | n通道MOSFET | 1.22V,2.08V | 6a,6a | 20N,20N | |||
![]() | ISL2101AABZ | 3.9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ISL2101 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -isl2101aabz | Ear99 | 8542.39.0001 | 98 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.4V,2.2V | 2a,2a | 10n,10n | 114 v |
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