感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
NCV5703BDR2G	2.3300	询价	8730	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NCV5703	非反相	未验证	20V	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	半桥	1	IGBT	0.75V、4.3V	1A、1A	9.2纳秒、7.9纳秒
IR21363JPBF	-	询价	1306	英飞凌科技	-	管子	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	44-LCC（J 引脚），32 引脚	IR21363	反相	未验证	12V~20V	44-PLCC，32端口 (16.58x16.58)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,134	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
SC1302BISTRT	-	询价	8816	森泰克公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SC1302	反相、同相	未验证	4.5V～16.5V	8-SOIC	下载		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	1.6A、1.6A	20纳秒, 20纳秒
MIC4426CM-TR	-	询价	2350	微芯片	-	卷带式 (TR)	SIC停产	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、29纳秒
ISL6622AIRZ	-	询价	8209	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6622	非反相	未验证	6.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
LTC1177CN-5	-	询价	9829	模拟器件公司	-	大部分	过时的		通孔	18-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	LTC1177C	非反相	未验证	4.75V～5.25V	18-DIP	下载		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	20		高侧	1
ICL7667CPA	-	询价	9070	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0℃～70℃（TA）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	ICL7667	反相	未验证	4.5V～15V	8-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	50	独立的	-	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	20纳秒, 20纳秒
EAMXXX11XFSA1	-	询价	4293	英飞凌科技	-	大部分	SIC停产				EAMXXX11		未验证			-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001102530		0000.00.0000	1
EL7457CSZ-T13	-	询价	2149	Intersil	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7457	非反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1	独立的	高侧或低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	13.5纳秒、13纳秒
TPS2814P	2.0800	询价	第427章	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TPS2814	反相、同相	未验证	4V~14V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	同步化	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、4V	2A, 2A	14纳秒、15纳秒
ATA6821-TUQ	-	询价	5955	微芯片	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ATA6821	非反相	未验证	16V~30V	14-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	620	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	4A, 4A	12纳秒, 12纳秒
IXDI602SI	2.6300	询价	908	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IXDI602	反相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	2A, 2A	7.5纳秒、6.5纳秒
风扇73832M	-	询价	2976	onsemi	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇73832	非反相	未验证	15V~20V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	90	同步化	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.2V、2.9V	350毫安、650毫安	50纳秒、30纳秒	600伏
L6398DTR	2.1100	询价	8468	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	L6398	反相、同相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.1V、1.9V	290毫安、430毫安	75纳秒、35纳秒	600伏
LTC1155IS8#TRPBF	12.1100	询价	2	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LTC1155	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	-
MIC4421ACM	-	询价	9404	微芯片	-	大部分	SIC停产	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4421	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、3V	9A, 9A	20纳秒、24纳秒
NCP81075DR2G	2.4400	询价	2832	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NCP81075	非反相	未验证	8.5V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧或低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.7V	4A, 4A	8纳秒、7纳秒	200V
IR4428	-	询价	2788	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR4428	反相、同相	未验证	6V～20V	8-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IR4428	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.7V	2.3A、3.3A	15纳秒、10纳秒
IX6S11S6	-	询价	5839	IXYS	-	盒子	过时的	-	表面贴装	18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）裸露焊盘	IX6S11	-	未验证	-	18-SOIC-EP	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	168	-	-		-	-	-	-
TC4427VMF713	1.1700	询价	5932	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4427VMF713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
UCC27200DRG4	-	询价	3210	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	UCC27200	非反相	未验证	8V~17V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	3V、8V	3A、3A	8纳秒、7纳秒	120V
TC4468MJD	-	询价	8193	微芯片	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	14-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4468	非反相	未验证	4.5V~18V	14-CERDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4468MJD-NDR	EAR99	8542.39.0001	29	独立的	低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.2A、1.2A	15纳秒，15纳秒
IX4426N	1.2400	询价	1	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IX4426	反相	未验证	4.5V～30V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	共增值税亚油酸399	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	10纳秒、8纳秒
LTC1255CS8#TRPBF	9.6600	询价	70	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LTC1255	非反相	未验证	9V~24V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	-
IRS2453DPBF	4.8000	询价	16	英飞凌科技	-	管子	过时的	-25°C ~ 125°C（太焦）	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	国税局2453	RC输入电路	未验证	10V～15.6V	14-DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	同步化	全桥	1	N沟道MOSFET	4.7V、9.3V	180毫安、260毫安	120纳秒、50纳秒	600伏
TC4422VPA	4.6000	询价	5607	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4422	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4422VPA-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	60纳秒, 60纳秒
ISL6612BECBZ-T	-	询价	7232	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	7V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
MCP14A0453T-E/SN	1.5500	询价	第496章	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14A0453	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT	0.8V、2V	4.5A、4.5A	12纳秒, 12纳秒
UC2707DW	7.9406	询价	5414	Texas Instruments	-	管子	的积极	-25°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	UC2707	反相、同相	未验证	5V～40V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	40	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.5A、1.5A	40纳秒, 40纳秒
ISL6612BIRZ-T	-	询价	4525	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	7V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²