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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 频道类型 | 驱动配置 | 驾驶员数量 | 门类型 | 逻辑电压 -vil,vih | 电流 -峰值输出(源,水槽,水槽) | 上升 /秋季t (典型) | 高侧电压 -最大(引导程序) | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IR2125SPBF | 2.2400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IR2125 | 不转变 | 0v〜18V | 16-Soic | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 135 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.6a,3.3a | 43ns,26ns | 500 v | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | IRS2330DSTRPBF | 2.9300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IRS2330 | 反转 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 28-Soic | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 250mA,500mA | 80n,35ns | 600 v | ||||||
![]() | IRS2117pbf | 1.6600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | IRS2117 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 8-pdip | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高方向 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,9.5V | 290mA,600mA | 75ns,35ns | 600 v | ||||||
![]() | IR2127STRPBF | - | ![]() | 9785 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IR2127 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 12v〜20V | 8-SOIC | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单身的 | 高方面或低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,3V | 250mA,500mA | 80n,40n | 600 v | ||||||
![]() | IRS21064pbf | 2.3900 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | IRS21064 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 14浸 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 高方面或低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.5V | 290mA,600mA | 100NS,35NS | 600 v | ||||||
![]() | SG1644J-DESC | - | ![]() | 5794 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-STD-883 | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 14-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | SG1644 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | 14-Cerdip | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SG1644J-DESC | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2V | 500mA,500mA | 35ns,30ns | ||||
![]() | SG1644Y | - | ![]() | 2048 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-STD-883 | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | SG1644 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜20V | 8-Cerdip | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SG1644Y | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2V | 500mA,500mA | 35ns,30ns | ||||
![]() | SG1626Y | - | ![]() | 7051 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-STD-883 | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 8-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | SG1626 | 反转 | 未行业行业经验证 | 22V | 8-Cerdip | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SG1626Y | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2V | 3a | 30ns,30ns | ||||
![]() | SG1626J-DESC | - | ![]() | 4882 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-STD-883 | 托盘 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 14-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | SG1626 | 反转 | 未行业行业经验证 | 22V | 14-Cerdip | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SG1626J-DESC | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.7V,2V | 3a | 30ns,30ns | ||||
2EDS8165HXUMA2 | 3.3400 | ![]() | 984 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 2EDS8165 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 20V | PG-DSO-16-30 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道,p通道MOSFET | - ,1.65V | 1a,2a | 6.5NS,4.5NS | |||||
![]() | A4935EJPTR-T | - | ![]() | 7568 | 0.00000000 | Allegro微型系统 | * | 大部分 | 积极的 | A4935 | 未行业行业经验证 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | |||||||||||||||||
![]() | UCC27284QDRQ1 | 1.6800 | ![]() | 8691 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | UCC27284 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5.5V〜16V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | 296-UCC27284QDRQ1CT | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 1.3V,2.4V | 2.5a,3.5a | 12n,10n | 120 v | ||
![]() | MIC4607-2Y-TR | - | ![]() | 4370 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 28-VFQFN暴露垫 | MIC4607 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5.25V〜16V | 28-qfn (4x5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 150-MIC4607-2YML-TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 3相 | 半桥 | 6 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2 V | 1a,1a | 20N,20N | 108 v | ||
![]() | 2EDL8124GXUMA1 | 2.3200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | 2EDL8124 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 8v〜17V | PG-VDSON-8-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 独立的 | 高侧和低侧 | 2 | n通道MOSFET | - | 4a,4a | 45ns,45ns | 90 v | |||
![]() | DRV8300DPWR | 1.6900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 20-tssop (0.173“,4.40mm宽度) | DRV8300 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 5v〜20V | 20-tssop | 下载 | 不适用 | 2(1年) | 296-DRV8300DPWRTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 3相 | 高侧和低侧 | 3 | n通道MOSFET | 0.8V,2V | 750mA,1.5a | 12n,12ns | 105 v | |||
NCP51810AMNTWG | 3.6100 | ![]() | 2061 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 15-VFQFN | NCP51810 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 9v〜17V | 15 QFN (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 488-NCP51810AMNTWGTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 单身的 | 半桥 | 1 | n通道MOSFET | - | 1a,2a | 2NS,1.5NS | 150 v | |||
2EDF7275KXUMA2 | 3.4900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | eicedriver™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 13-tflga | 2EDF7275 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 20V | PG-TFLGA-13-1 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | n通道,p通道MOSFET | - ,1.65V | 4a,8a | 6.5NS,4.5NS | |||||
![]() | 2ED2110S06MXUMA1 | 3.6200 | ![]() | 3939 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 2ED2110 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 10v〜20V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 高侧和低侧 | 2 | IGBT,N通道MOSFET | 6V,14V | 2.5a,2.5a | 25ns,17ns | 650 v | |||
![]() | AMT49100KJPTR-B-3 | 6.4300 | ![]() | 5272 | 0.00000000 | Allegro微型系统 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TA) | 表面安装 | 48-LQFP暴露垫 | 不转变 | 5v〜80V | 48-LQFP-EP(7x7) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | 620-AMT49100KJPTR-B-3 | 1,500 | 3相 | 半桥 | 6 | n通道MOSFET | 0.99V,2.1V | 2.4a,4.2a | - | |||||||
![]() | AMT49107KEVSR-5-T | 3.1316 | ![]() | 4576 | 0.00000000 | Allegro微型系统 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TA) | 表面安装,可润湿的侧面 | 48-VFQFN暴露垫 | 不转变 | 4.5V〜50V | 48-qfn (7x7) | 下载 | rohs3符合条件 | 620-AMT49107KEVSR-5-T | 4,000 | 3相 | 半桥 | 6 | n通道MOSFET | 1.5V,3.5V | 1.1a,2.2a | - | |||||||||
![]() | AMT49101KJPTR-B-3 | 6.2800 | ![]() | 6379 | 0.00000000 | Allegro微型系统 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TA) | 表面安装 | 48-LQFP暴露垫 | 不转变 | 5v〜80V | 48-LQFP-EP(7x7) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | 620-AMT49101KJPTR-B-3 | 1,500 | 3相 | 半桥 | 6 | n通道MOSFET | 0.99V,2.1V | 2.4a,4.2a | - | |||||||
![]() | AMT49101KJPTR-B-5 | 3.3298 | ![]() | 6435 | 0.00000000 | Allegro微型系统 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TA) | 表面安装 | 48-LQFP暴露垫 | 不转变 | 5v〜80V | 48-LQFP-EP(7x7) | 下载 | rohs3符合条件 | 620-AMT49101KJPTR-B-5 | 4,500 | 3相 | 半桥 | 6 | n通道MOSFET | 1.5V,3.5V | 2.4a,4.2a | - | |||||||||
UCC27533DBVT | 1.4800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | UCC27533 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 10v〜32v | SOT-23-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT,N通道MOSFET | 1.2V,2.2V | 2.5a,5a | 15ns,7ns | |||||
![]() | NCP4413P | 0.4600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | NCP4413 | 未行业行业经验证 | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||
TC4469EPD | 5.5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | TC4469 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜18V | 14-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TC4469EPD-NDR | Ear99 | 8542.39.0001 | 30 | 独立的 | 低侧 | 4 | n通道,p通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 1.2a,1.2a | 15ns,15ns | ||||
![]() | LM5104MX | - | ![]() | 8373 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | LM5104 | 反转,无变形 | 未行业行业经验证 | 9V〜14V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 同步 | 半桥 | 2 | n通道MOSFET | 0.8V,2.2V | 1.6a,1.6a | 600NS,600NS | 118 v | |||
![]() | MIC44F19YML-TR | 1.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 8-VFDFN暴露垫,8-MLF® | MIC44F19 | 反转 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜13.2V | 8-MLF®(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | P通道MOSFET | 1.607V,1.615V | 6a,6a | 10n,10n | ||||
![]() | max620ewn+ | 9.8289 | ![]() | 1146 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 18-SOIC(0.295(7.50mm) | Max620 | 不转变 | 未行业行业经验证 | 4.5v〜16.5V | 18-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 40 | 独立的 | 高方向 | 4 | n通道MOSFET | 0.8V,2.4V | - | 1.7µs,2.5µs | ||||
![]() | IR2235JTRPBF | - | ![]() | 9447 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | 125°C(TJ) | 表面安装 | 44-LCC(J-LEAD),32个领先优势 | 反转 | 10v〜20V | 44-PLCC,32 条线索(16.58x16.58) | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-IR2235JTRPBF-600047 | 1 | 3相 | 半桥 | 6 | IGBT,N通道MOSFET | 0.8V,2.4V | 200ma,420mA | 90NS,40NS | ||||||||
![]() | UCC37324P | - | ![]() | 9446 | 0.00000000 | 单位树 | * | 大部分 | 积极的 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-UCC37324P-600018 | 1 |
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