感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
ISL6622IRZ-TS2705	-	询价	2864	瑞萨电子美国公司	-	大部分	过时的				ISL6622		未验证			下载				20-ISL6622IRZ-TS2705	过时的	0000.00.0000	1
ATA6821-TUQY	-	询价	3515	微芯片	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ATA6821	非反相	未验证	16V~30V	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	-	4A, 4A	12纳秒, 12纳秒
ISL6594BCBZ	-	询价	5416	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6594	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
TC4429VPA	2.3800	询价	第292章	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4429	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4429VPA-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	25纳秒, 25纳秒
EL7212CSZ-T13	2.2712	询价	7479	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7212	反相	未验证	4.5V～15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	7.5纳秒、10纳秒
LTC4449IDCB#TRPBF	4.7500	询价	6919	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WFDFN 裸露焊盘	LTC4449	非反相	未验证	4V～6.5V	8-DFN (2x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	3V、6.5V	3.2A、4.5A	8纳秒、7纳秒	42V
MLX83100LGO-DBA-000-SP	-	询价	4496	迈来芯科技公司	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	28-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）裸露焊盘	MLX83100	-	未验证	4.5V～28V	28-TSSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.4A、1.6A	7纳秒，7纳秒
AGD8236A	1.3587	询价	3924	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）		非反相		13.2V～20V	28-SOP	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AGD8236ATR			1,000	土耳其	高侧和低侧	6	IGBT	0.8V、2.5V	200毫安、350毫安	125纳秒、50纳秒	600伏
TPS2831PWPG4	-	询价	3510	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	14-PowerTSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPS2831	反相	未验证	4.5V～15V	14-高温SSOP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	270	同步化	高侧	2	N沟道MOSFET	-	2.7A、2.4A	50纳秒, 50纳秒	28V
ADP3416JR	-	询价	8430	onsemi	-	管子	过时的				ADP3416					-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98
MP18021HQ-A-LF-P	1.5211	询价	4999	单片电力系统公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MP18021	非反相	未验证	9V~18V	8-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2.4V	2.5A、2.5A	12纳秒、9纳秒	100伏
MAX4427ESA+TG002	-	询价	6001	ADI/Maxim 集成	-	卷带式 (TR)	过时的				MAX4427		未验证			下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1
IXDN402SIA	-	询价	9854	IXYS	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXDN402	非反相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	94	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒
MCP1407-E/AT	2.3500	询价	1	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-5	MCP1407	非反相	未验证	4.5V~18V	TO-220-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	MCP1407EAT	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	20纳秒, 20纳秒
MCP14A0601-E/SN	1.5200	询价	274	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14A0601	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	6A, 6A	10纳秒，10纳秒
HT0740LG-G	1.4900	询价	6	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	HT0740	非反相	未验证	3.15V～5.5V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,300	单身的	高侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.5V、3.15V	-	650μs，3ms（顶部）	400V
E-L6386D	-	询价	6673	意法半导体	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	E-L6386	反相	未验证	17V（最大）	14-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	1.5V、3.6V	400毫安、650毫安	50纳秒、30纳秒	600伏
风扇73912MX	2.1947	询价	3535	onsemi	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	风扇73912	非反相	未验证	12V~20V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	高侧和低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	2A、3A	25纳秒、15纳秒	1200伏
ISL6700IR	1.2100	询价	2	Intersil	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	12-VQFN 裸露焊盘	ISL6700	非反相	未验证	9V～15V	12-QFN (4x4)	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.4A、1.3A	5纳秒，5纳秒	80V
ISL6611ACRZ-T	-	询价	5035	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘	ISL6611	非反相	未验证	4.5V～5.5V	16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-, 4A	8纳秒，8纳秒	36V
U6083B-MY	-	询价	4032	微芯片	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	U6083B	非反相	未验证	25V（最大）	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,800	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	-	-	-
风扇3121TMX	1.5600	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3121	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2V	10.6A、11.4A	23纳秒、19纳秒
风扇5109小轮车	-	询价	6231	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇5109	非反相	未验证	10V～13.5V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	25纳秒、15纳秒
MP1906DS-LF	-	询价	5178	单片电力系统公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MP1906	非反相	未验证	10V~16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	350毫安，350毫安	50纳秒、30纳秒	80V
TPIC44H01DA	5.4700	询价	3511	Texas Instruments	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	32-TSSOP（0.240英寸，6.10毫米宽）	TPIC44H01	非反相	未验证	4.5V～5.5V	32-TSSOP	下载	不符合RoHS标准	2（1年）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	46	独立的	高侧	4	N沟道MOSFET	-	-	-
MIC4102YM	2.6500	询价	4	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4102	非反相	未验证	9V~16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	576-1184	EAR99	8542.39.0001	95	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	2A、3A	330纳秒、200纳秒	118V
MIC4420ZM-TR	2.0600	询价	6226	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4420	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	12纳秒、13纳秒
IR21064S	-	询价	6618	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR21064	非反相	未验证	10V～20V	14-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IR21064S	EAR99	8542.39.0001	55	独立的	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.9V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
ISL6615ACBZ-T	-	询价	2819	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6615	非反相	未验证	6.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2.5A、4A	13纳秒、10纳秒	36V
ISL6612ACRZ-T	-	询价	9546	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²