感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
EL7242CS	-	询价	8090	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7242	反相、同相	未验证	4.5V～16V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	97	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒
MIC4452BN	-	询价	2800	微芯片	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4452	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	12A, 12A	20纳秒、24纳秒
麦克风4469YN	5.3200	询价	96	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	麦克风4469	反相、同相	未验证	4.5V~18V	14-DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	576-1214	EAR99	8542.39.0001	25	独立的	低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.2A、1.2A	14纳秒、13纳秒
LTC1163CS8#TRPBF	5.3700	询价	6923	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LTC1163	非反相	未验证	1.8V~6V	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	高侧	3	N沟道MOSFET	-	-	-
IR2112-1	-	询价	7542	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	14-DIP（0.300"，7.62mm），13引脚	红外2112	非反相	未验证	10V～20V	14-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	独立的	高侧或低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	250毫安、500毫安	80纳秒、40纳秒	600伏
MCP1404T-E/MF	2.7750	询价	7310	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MCP1404	非反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	MCP1404T-E/MFTR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	15纳秒、18纳秒
MAX15012AASA+	8.1400	询价	7212	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX15012	非反相	未验证	8V～12.6V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX15012AASA+	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	2A, 2A	65纳秒, 65纳秒	175伏
IRS21171STRPBF	-	询价	3857	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局21171	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	75纳秒、35纳秒	600伏
风扇3213TMX	0.6000	询价	15	仙童	-	大部分	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇3213	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	504	同步化	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	5A、5A	12纳秒、9纳秒
ISL6613ACBZ	-	询价	2974	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6613	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
ISL6609ACRZ	3.2900	询价	15	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	ISL6609	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	-ISL6609ACRZ	EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	-, 4A	8纳秒，8纳秒	36V
MIC4426BMM-TR	-	询价	第1455章	微芯片	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	麦克风4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒、29纳秒
TC426EUA	-	询价	4856	微芯片	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	TC426	反相	未验证	4.5V~18V	8-MSOP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC426EUA-NDR	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	30纳秒、30纳秒
MAX1614EUA	-	询价	9935	ADI/Maxim 集成	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	MAX1614	非反相	未验证	5V~26V	8-uMAX/uSOP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	0.6V、2V	-	-
IR2103STRPBF	2.7900	询价	5	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2103	反相、同相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3V	210毫安、360毫安	100纳秒、50纳秒	600伏
TC4426EMF713	1.0950	询价	4469	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TC4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-DFN-S (6x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4426EMF713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	19纳秒, 19纳秒
2EDS8165HXUMA2	3.3400	询价	第984章	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	2EDS8165	非反相	未验证	20V	PG-DSO-16-30	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	N沟道、P沟道MOSFET	-，1.65V	1A、2A	6.5纳秒、4.5纳秒
EL7202CS-T7	-	询价	9071	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	EL7202	非反相	未验证	4.5V～15V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	7.5纳秒、10纳秒
ISL78420AVEZ	5.1400	询价	6	瑞萨电子美国公司	汽车，AEC-Q100	管子	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	14-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）裸露焊盘	ISL78420	非反相	未验证	8V~14V	14-高温SSOP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	-ISL78420AVEZ	EAR99	8542.39.0001	75	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1.8V、4V	2A, 2A	10纳秒，10纳秒	114V
TC427COA	1.5900	询价	6161	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	30纳秒、30纳秒
ISL6594ACRZ	2.0700	询价	第475章	Intersil	-	大部分	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	10-VFDFN 裸露焊盘	ISL6594	非反相	未验证	10.8V～13.2V	10-DFN (3x3)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
LTC4441MPMSE#PBF	14.4200	询价	1	模拟器件公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4441	非反相	未验证	5V~25V	10-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-2735-LTC4441MPMSE#PBF	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、2V	6A, 6A	13纳秒、8纳秒
MCP1405-E/P	2.8000	询价	200	微芯片	-	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MCP1405	反相、同相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	4.5A、4.5A	15纳秒、18纳秒
2EDN8523GXTMA1	0.6683	询价	6075	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	2EDN8523	反相	未验证	4.5V～20V	PG-WSON-8-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	1.1V、1.98V	5A、5A	5.3纳秒、4.5纳秒
ISL6207CRZ	-	询价	第1385章	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	-10°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	ISL6207	非反相	未验证	4.5V～5.5V	8-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	2A, 2A	8纳秒，8纳秒	36V
MIC4124YME-TR	2.0100	询价	2	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	麦克风4124	非反相	未验证	4.5V～20V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	3A、3A	11纳秒, 11纳秒
MAX4426CPA+	6.7800	询价	7294	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	MAX4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	20纳秒, 20纳秒
ICL7667CBA	-	询价	6012	Intersil	-	管子	过时的	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ICL7667	反相	未验证	4.5V～17V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8542.39.0001	98	独立的	-	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	20纳秒, 20纳秒
FZE1065EGGEGXUMA1	104.0000	询价	1	英飞凌科技	*	大部分	过时的				FZE1065		未验证			-	不符合RoHS标准		REACH 不出行	2156-FZE1065EGGEGXUMA1	EAR99	8541.29.0095	1
NCV51511PDR2G	3.2900	询价	8310	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	NCV51511	非反相	未验证	8V~16V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	高侧或低侧	2	N沟道MOSFET	2V、1.8V	3A、6A	6纳秒、4纳秒	100伏

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²