感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
NCP3418DR2	-	询价	5684	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NCP3418	非反相	未验证	4.6V～13.2V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	18纳秒、10纳秒	30V
MIC4429ZM-TR	1.5600	询价	2930	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4429	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	12纳秒、13纳秒
NCP5359AMNTBG	-	询价	2375	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-VFDFN 裸露焊盘	NCP5359	非反相	未验证	10V～13.2V	8-DFN (2x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2V	-	16纳秒、15纳秒	30V
NCP1392BDR2G	1.1800	询价	3988	onsemi	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NCP1392	非反相	未验证	8V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	500毫安，1安	40纳秒、20纳秒	600伏
UCC27511DBVR	1.1800	询价	22	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 140°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-6	UCC27511	反相、同相	未验证	4.5V~18V	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	1V、2.4V	4A、8A	8纳秒、7纳秒
ISL6614ACBZ	4.4300	询价	994	瑞萨电子美国公司	-	管子	过时的	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ISL6614	非反相	未验证	10.8V～13.2V	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	-ISL6614ACBZ	EAR99	8542.39.0001	50	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V
IXDD609SI	3.1300	询价	5	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	IXDD609	非反相	未验证	4.5V～35V	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	CLA363	EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	9A, 9A	22纳秒、15纳秒
LM5109BSDX/NOPB	1.3200	询价	3	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	LM5109	非反相	未验证	8V~14V	8-WSON (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,500	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1A、1A	15纳秒，15纳秒	108V
TD310IDT	3.0900	询价	25	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TD310	反相、同相	未验证	4V～16V	16-SO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	3	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	-
NCP4429DR2	0.4800	询价	28	onsemi	*	大部分	的积极				NCP4429		未验证			下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.39.0001	1
LTC7000EMSE#PBF	8.3500	询价	4010	模拟器件公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-TFSOP（0.118"，3.00mm宽）裸露焊盘	LTC7000	非反相	未验证	3.5V～135V	16-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	37	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	1.8V、1.7V	-	90纳秒、40纳秒	135V
IRS2113PBF	2.7627	询价	6793	英飞凌科技	-	管子	最后一次购买	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	14-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	国税局2113	非反相	未验证	10V～20V	14-DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	2.5A、2.5A	25纳秒、17纳秒	600伏
LT1160CS#TRPBF	5.6550	询价	4622	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LT1160	非反相	未验证	10V~15V	14-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	1.5A、1.5A	130纳秒、60纳秒	60V
LTC4444HMS8E#TRPBF	3.6450	询价	7241	模拟器件公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	LTC4444	非反相	未验证	7.2V～13.5V	8-MSOP-EP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.85V、3.25V	2.5A、3A	8纳秒、5纳秒	114V
IXDE504D2	-	询价	8060	IXYS	-	盒子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	IXDE504	反相	未验证	4.5V～30V	8-DFN (4x5)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	56	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	4A, 4A	9纳秒、8纳秒
M57962CL-01	-	询价	6271	动力克斯公司	-	大部分	过时的	-20°C ~ 60°C (TA)	通孔	14-SIP模块，12接口	M57962	非反相	未验证	14V~15V	模块	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	1	单身的	低侧	1	IGBT	-	5A、5A	600纳秒、400纳秒
IR2153S	-	询价	9074	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IR2153	RC输入电路	未验证	10V～15.6V	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IR2153S	EAR99	8542.39.0001	95	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	-	80纳秒、45纳秒	600伏
2EDL8124GXUMA1	2.3200	询价	5	英飞凌科技	EiceDriver™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	2EDL8124	非反相	未验证	8V~17V	PG-VDSON-8-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6,000	独立的	高侧和低侧	2	N沟道MOSFET	-	4A, 4A	45纳秒, 45纳秒	90V
DRV3245SQPHPRQ1	10.5600	询价	9573	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	48-PowerTQFP		非反相		4.5V～45V	48-HTQFP (7x7)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行				1,000	土耳其	半桥	3	N沟道MOSFET	-	1A、1A	-
LM25101CMYE/NOPB	4.2000年	询价	112	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	LM25101	非反相	未验证	9V~14V	8-HVSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	2.3V，-	1A、1A	990纳秒、715纳秒	100伏
FAN7085MX-GF085	3.0900	询价	7307	onsemi	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	风扇7085	反相	未验证	4.5V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	单身的	高侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	-	450毫安，450毫安	65纳秒、25纳秒	300伏
MPQ18021HN-A-AEC1-LF-Z	2.8500	询价	第1339章	单片电力系统公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	MPQ18021	非反相	未验证	9V~18V	8-SOICE	-	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	1589-MPQ18021HN-A-AEC1-LF-ZTR	EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1V、2.4V	2.5A、2.5A	12纳秒、9纳秒	115V
MCP14A0153T-E/SN	0.9450	询价	7437	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MCP14A0153	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,300	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	1.5A、1.5A	11.5纳秒、10纳秒
UCC27323DGNR	0.5730	询价	3507	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118"、3.00mm宽）裸露焊盘	UCC27323	反相	未验证	4.5V～15V	8-HVSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	1V、2V	4A, 4A	20纳秒、15纳秒
IRS21856SPBF	1.1600	询价	4	国际校正器公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局21856	非反相	未验证	10V～20V	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	55	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、3.5V	500毫安，500毫安	30纳秒、20纳秒	600伏
IRS26320C	-	询价	9991	英飞凌科技	-	大部分	过时的				国税局26320		未验证			下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001547138	EAR99	8542.39.0001	1
SC1302AIMSRT	-	询价	3978	森泰克公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	SC1302	反相、同相	未验证	4.5V～16.5V	8-MSOP	下载		1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	1.6A、1.6A	20纳秒, 20纳秒
TC4422ESM713	3.3900	询价	3564	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.209英寸，5.30毫米宽）	TC4422	非反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIJ	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,100	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	9A, 9A	60纳秒, 60纳秒
LM5060MM/NOPB	2.4500	询价	1	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	LM5060	非反相	未验证	5.5V～65V	10-VSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	单身的	高侧	1	N沟道MOSFET	0.8V、2V	24微安，2.2毫安	-
ISL6612EIB-T	-	询价	9291	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	ISL6612	非反相	未验证	10.8V～13.2V	8-SOIC-EP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1.25A、2A	26纳秒、18纳秒	36V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²