感应驱动器(7161)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	SIC即时	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	通道类型	驱动配置	司机X	闸门类型	逻辑电压 - VIL、VIH	电流 - 热输出（拉电流、灌电流）	上升/下降T（典型值）	高侧电压 - 顶部（自举）
IRS4428STRPBF	1.7300	询价	5578	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局4428	反相、同相	未验证	6V～20V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	低侧	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	2.3A、3.3A	25纳秒, 25纳秒
1SC0450E2B0-65	187.3000	询价	6	电源集成	规模™-2	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	模块	1SC0450	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	-	符合RoHS标准	1（无限制）		1810-1078	EAR99	8543.70.9860	12	单身的	高侧或低侧	1	IGBT	-	50A、50A	30纳秒、25纳秒	6500伏
2SP0325T2A1-CM2500DY-24S	-	询价	5670	电源集成	规模™-2	托盘	过时的	-40℃～85℃	安装结构	模块	2SP0325	-	未验证	14.5V～15.5V	模块	下载	库存请求验证			1810-2SP0325T2A1-CM2500DY-24S	EAR99	8542.39.0001	1	独立的	半桥	2	IGBT	-	25A，-	600纳秒、750纳秒
TC4426ACPA	1.7000	询价	1	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC4426	反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC4426ACPA-NDR	EAR99	8542.39.0001	60	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
MIC4467ZWM	5.0800	询价	172	微芯片	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	麦克风4467	反相	未验证	4.5V~18V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	4	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.2A、1.2A	14纳秒、13纳秒
IXDD609PI	2.1300	询价	3	IXYS集成电路事业部	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IXDD609	非反相	未验证	4.5V～35V	8-DIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	CLA362	EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3V	9A, 9A	22纳秒、15纳秒
IRS2607DSTRPBF	-	询价	8595	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	国税局2607	非反相	未验证	10V～20V	8-SOIC	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
ISL2111AR4Z	3.3567	询价	7861	瑞萨电子美国公司	-	管子	的积极	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	12-VFDFN 裸露焊盘	ISL2111	非反相	未验证	8V~14V	12-DFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	750	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	1.4V、2.2V	3A、4A	9纳秒、7.5纳秒	114V
TSC427CPA+	9.8300	询价	91	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TSC427	非反相	未验证	4.5V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-TSC427CPA+	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	1.5A、1.5A	25纳秒, 25纳秒
IR2132STRPBF	11.9200	询价	3	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IR2132	反相	未验证	10V～20V	28-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	80纳秒、35纳秒	600伏
L6747ATR	-	询价	4808	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	0°C ~ 125°C (太焦)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	L6747	反相	未验证	5V~12V	8-VFDFPN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	4,000	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	3.5A，-	-	41V
TPS2818DBVRG4	-	询价	7421	Texas Instruments	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	SC-74A、SOT-753	TPS2818	反相	未验证	4V~14V	SOT-23-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	1V、4V	2A, 2A	14纳秒, 14纳秒
ISL83204AIBZT	-	询价	第1345章	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	20-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	ISL83204	反相、同相	未验证	9.5V～15V	20-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	同步化	半桥	4	N沟道MOSFET	1V、2.5V	2.6A、2.4A	10纳秒，10纳秒	75V
ADP3650JRZ	2.7800	询价	第847章	模拟器件公司	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ADP3650	非反相	未验证	4.15V～13.2V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	98	同步化	半桥	2	N沟道MOSFET	0.8V、2V	-	20纳秒、16纳秒
IXDD430MCI	-	询价	4520	IXYS	-	盒子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-5	IXDD430	非反相	未验证	8.5V～35V	TO-220-5	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、3.5V	30A、30A	18纳秒、16纳秒
MAX626ESA+	6.3500	询价	625	ADI/Maxim 集成	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	MAX626	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	-4941-MAX626ESA+	EAR99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	2A, 2A	25纳秒、20纳秒
TC1412COA	1.3700	询价	4531	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC1412	反相	未验证	4.5V～16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC1412COA-NDR	EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	2A, 2A	18纳秒, 18纳秒
TC1410COA	1.6200	询价	1691	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC1410	反相	未验证	4.5V～16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC1410COA-NDR	EAR99	8542.39.0001	100	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，500毫安	25纳秒, 25纳秒
IR25607SPBF	4.4400	询价	1	英飞凌科技	-	管子	最后一次购买	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IR25607	非反相	未验证	10V～20V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	45	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	6V、9.5V	2.5A、2.5A	25纳秒、17纳秒	600伏
LM5100M/NOPB	-	询价	5654	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	LM5100	非反相	未验证	9V~14V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	3V、8V	1.6A、1.6A	600纳秒, 600纳秒	118V
TC429CPA	2.8100	询价	29	微芯片	-	管子	的积极	0℃～150℃（太焦）	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	TC429	反相	未验证	7V~18V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	60	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.4V	6A, 6A	23纳秒、25纳秒
IR2130SPBF	13.0600	询价	3	英飞凌科技	-	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	IR2130	反相	未验证	10V～20V	28-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	土耳其	半桥	6	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.2V	250毫安、500毫安	80纳秒、35纳秒	600伏
IRS2108PBF	-	询价	8822	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	国税局2108	反相、同相	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.5V	290毫安、600毫安	100纳秒、35纳秒	600伏
IR2085STRPBF	4.1800	询价	9525	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	红外2085	RC输入电路	未验证	10V~15V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	独立的	半桥	2	N沟道MOSFET	-	1A、1A	40纳秒、20纳秒	100伏
IXD611S1	-	询价	8650	IXYS	-	盒子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IXD611	非反相	未验证	10V～35V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	第470章	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	2.4V、2.7V	600毫安，600毫安	28纳秒、18纳秒	600伏
TC1410NEOA713	1.6500	询价	2235	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TC1410	非反相	未验证	4.5V～16V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	TC1410NEOA713-NDR	EAR99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2V	500毫安，500毫安	25纳秒, 25纳秒
IR2106	-	询价	6769	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IR2106	非反相	未验证	10V～20V	8-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IR2106	EAR99	8542.39.0001	50	独立的	半桥	2	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.9V	200毫安、350毫安	150纳秒、50纳秒	600伏
UC3709DW	10.4300	询价	1430	Texas Instruments	-	管子	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	UC3709	反相	未验证	5V～40V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	40	独立的	低侧	2	N沟道、P沟道MOSFET	0.8V、2.2V	1.5A、1.5A	20纳秒, 20纳秒
MIC4451ABM	-	询价	7153	微芯片	-	大部分	SIC停产	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	麦克风4451	反相	未验证	4.5V~18V	8-SOIC	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	第570章	单身的	低侧	1	IGBT、N沟道MOSFET	0.8V、2.4V	12A, 12A	20纳秒、24纳秒
IR1167BSPBF	-	询价	9276	英飞凌科技	智能调节器™	管子	过时的	-25°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	红外1167	非反相	未验证	12V~18V	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	95	单身的	低侧	1	N沟道MOSFET	2V、2.15V	2A、7A	18纳秒、10纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

感应驱动器(7161)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²