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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
IRF810 Harris Corporation IRF810 0.4600
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 IRF81 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
FSS133-TL-E Sanyo FSS133-TL-E 0.7700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 FSS133 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1,000 -
DMP31D7LDW-7 Diodes Incorporated DMP31D7LDW-7 0.0706
RFQ
 ECAD 6056 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMP31 MOSFET （金属 o化物） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 dmp31d7ldw-7di Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 550mA（ta） 900MOHM @ 420mA，10V 2.6V @ 250µA -
DMC2710UV-7 Diodes Incorporated DMC2710UV-7 0.4400
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 ECAD 5 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMC2710 MOSFET （金属 o化物） 460MW（TA） SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 20V 1.1A（ta），800mA（ta） 400MOHM @ 600mA，4.5V，700MOHM @ 430mA，4.5V 1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V，0.7NC @ 4.5V 42pf @ 16v，49pf @ 16V -
DMHT10H032LFJ-13 Diodes Incorporated DMHT10H032LFJ-13 0.4767
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 ECAD 3037 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-Powervdfn DMHT10 MOSFET （金属 o化物） 900MW V-DFN5045-12（C型） 下载 到达不受影响 31-DMHT10H032LFJ-13TR Ear99 8541.29.0095 3,000 4（n n 通道（半桥） 100V 6a（6a） 33mohm @ 6a，10v 2.5V @ 250µA 11.9nc @ 10V 683pf @ 50V -
SI4818DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4818DY-T1-E3 -
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 ECAD 7266 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4818 MOSFET （金属 o化物） 1W，1.25W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5.3a，7a 22mohm @ 6.3a，10v 800mv @ 250µA（250µA） 12nc @ 5V - 逻辑级别门
NTLTD7900ZR2 onsemi NTLTD7900ZR2 0.2100
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 ECAD 37 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 NTLTD79 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000
DMP2101UCP9-7 Diodes Incorporated DMP2101UCP9-7 0.2639
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 ECAD 3921 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 9-XFBGA，DSBGA DMP2101 MOSFET （金属 o化物） 970MW（TA） X2-DSN1515-9（B型） - 31-DMP2101UCP9-7 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 2.5a（ta） 100mohm @ 1A，4.5V 900mv @ 250µA 3.2nc @ 4.5V 392pf @ 10V 标准
IRF8910TRPBF-1 Infineon Technologies IRF8910TRPBF-1 -
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 ECAD 1715年 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF89 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-so - 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 20V 10a（10a） 13.4mohm @ 10a，10v 2.55V @ 250µA 11NC @ 4.5V 960pf @ 10V -
MCQ4828A-TP Micro Commercial Co MCQ4828A-TP 0.9100
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 ECAD 43 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MCQ4828 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 60V 4.5A（ta） 56mohm @ 4.5A，10V 3V @ 250µA 10.5NC @ 10V 540pf @ 30V -
MSCSM120HM31T3AG Microchip Technology MSCSM120HM31T3AG 221.7900
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 ECAD 7986 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 395W（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120HM31T3AG Ear99 8541.29.0095 1 （4 n 通道（全桥） 1200V（1.2kV） 89A（TC） 31mohm @ 40a，20v 2.8V @ 3mA 232nc @ 20v 3020pf @ 1000V -
APTM120H140FT1G Microchip Technology APTM120H140FT1G 73.6800
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 ECAD 8821 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTM120 MOSFET （金属 o化物） 208W SP1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 8a 1.68OHM @ 7A，10V 5V @ 1mA 145nc @ 10V 3812pf @ 25V -
PSMN025-100HSX Nexperia USA Inc. PSMN025-100HSX 2.0300
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 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 PSMN025 MOSFET （金属 o化物） 68W（TA） LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 100V 29.5A（TA） 24.5mohm @ 10a，10v 4V @ 1mA 38.1NC @ 10V 2436pf @ 25V -
NVMFD5C650NLT1G onsemi NVMFD5C650NLT1G 4.8000
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 ECAD 9892 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5 MOSFET （金属 o化物） 3.5W（TA），125W（tc） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V 21a（21a），111a（tc（TC） 4.2MOHM @ 20A，10V 2.2V @ 98µA 16nc @ 4.5V 2546pf @ 25V -
BSM400D12P2G003 Rohm Semiconductor BSM400D12P2G003 2.0000
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 ECAD 4 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 模块 BSM400 （SIC） 2450W（TC） 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-BSM400D12P2G003 Ear99 8541.29.0095 4 2 n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 400A（TC） - 4V @ 85mA - 38000pf @ 10V -
PJS6834_S2_00001 Panjit International Inc. PJS6834_S2_00001 0.1178
RFQ
 ECAD 5115 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 PJS6834 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJS6834_S2_00001TR Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 20V 750mA（TA） 400mohm @ 600mA，4.5V 900mv @ 250µA 1.4NC @ 4.5V 67pf @ 10V -
FDS8926 Fairchild Semiconductor FDS8926 0.9400
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 ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDS89 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
PJT7002H_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7002H_R1_00001 0.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 PJT7002 MOSFET （金属 o化物） 350MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 250mA（ta） 5ohm @ 300mA，10v 3V @ 250µA 1.3nc @ 4.5V 22pf @ 25V -
BUK7K134-100EX NXP USA Inc. BUK7K134-100EX -
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 ECAD 1443 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK7K134 MOSFET （金属 o化物） 32W LFPAK56D 下载 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 100V 9.8a 121MOHM @ 5A，10V 4V @ 1mA 10.5NC @ 10V 564pf @ 25V -
MAX8791AGTA+ ADI/Maxim Integrated max8791agta+ 0.5600
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 ECAD 1 0.00000000 ADI/MAXIM集成 * 大部分 积极的 Max8791 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
AO4818BL_102 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4818BL_102 -
RFQ
 ECAD 2007 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO481 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 8a（8a） 19mohm @ 8a，10v 2.4V @ 250µA 18NC @ 10V 888pf @ 15V -
ALD1110EPAL Advanced Linear Devices Inc. Ald11111110 Epal 6.8234
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 ECAD 6708 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） ALD1110 MOSFET （金属 o化物） 600MW 8-pdip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10V - 500OHM @ 5V 1.01V @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFE，LM 0.3300
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 ECAD 28 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6N7002 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 60V 200mA 2.1ohm @ 500mA，10v 3.1V @ 250µA - 17pf @ 25V 逻辑级别门
BSS8402DWQ-13-52 Diodes Incorporated BSS8402DWQ-13-52 0.0608
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 ECAD 9416 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS8402 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） SOT-363 下载 （1 （无限） 31-BSS8402DWQ-13-52 Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 60V，50V 115ma（ta），130mA（ta） 13.5ohm @ 500mA，10v，10ohm @ 100mA，5v 2.5V @ 250µA，2V @ 1mA - 50pf @ 25V，45pf @ 25V 标准
DMN2041UVT-7 Diodes Incorporated DMN2041UVT-7 0.4600
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 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN2041 MOSFET （金属 o化物） 1.1W TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 5.8A（ta） 28mohm @ 8.2a，4.5V 900mv @ 250µA 9.1nc @ 4.5V 689pf @ 10V -
NVLJD4007NZTBG onsemi NVLJD4007NZTBG -
RFQ
 ECAD 5935 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 NVLJD4007 MOSFET （金属 o化物） 755MW 6-WDFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 2832-NVLJD4007NZTBGTR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 245mA 7ohm @ 125mA，4.5V 1.5V @ 100µA 0.75nc @ 4.5V 20pf @ 5V 逻辑级别门
UPA2376T1P-E1-A#YK1 Renesas Electronics America Inc UPA2376T1P-E1-A YK1 -
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 ECAD 2050 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 托盘 过时的 UPA2376 - - 559-UPA2376T1P-E1-A YK1 过时的 1 -
SI1902DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1902DL-T1-E3 0.5300
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 ECAD 8479 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1902 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 660mA 385MOHM @ 660mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.2nc @ 4.5V - 逻辑级别门
CMS06NP03Q8-HF Comchip Technology CMS06NP03Q8-HF -
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 ECAD 8242 0.00000000 comchip技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） CMS06 MOSFET （金属 o化物） 1.5W（TA） 8-SOIC - 641-CMS06NP03Q8-HF Ear99 8541.29.0095 1 n和p通道 30V 6.9a（6），6.3a（ta） 28mohm @ 6a，10v，36mohm @ 6a，10v 2.5V @ 250µA - - -
APTC60VDAM45T1G Microchip Technology APTC60VDAM45T1G 73.1700
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 ECAD 7035 0.00000000 微芯片技术 coolmos™ 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 250W SP1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 600V 49a 45MOHM @ 24.5A，10V 3.9V @ 3mA 150nc @ 10V 7200pf @ 25V 超交界处
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196-LFBGA裸露的垫子

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