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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated DMC3021LK4-13 0.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD DMC3021 MOSFET （金属 o化物） 2.7W TO-252-4L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道，普通排水 30V 9.4a，6.8a 21mohm @ 7a，10v 2.1V @ 250µA 17.4NC @ 10V 751pf @ 10V 逻辑级别门
SQUN700E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQUN700E-T1_GE3 2.4400
RFQ
 ECAD 5083 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 死 SQUN700 MOSFET （金属 o化物） 50W（TC），48W（tc） 死 下载 （1 （无限） 742平方米700E-T1_GE3TR Ear99 8541.29.0095 2,000 2 n 通道（双），p通道 200V，40V 16A（TC），30A （TC） 9.2MOHM @ 9.8A，10V，75MOHM @ 5A，10V，30MOHM @ 6A，10V 3.5V @ 250µA，2.5V @ 250µA 23nc @ 10v，11nc @ 10v，30.2nc @ 10v 1474pf @ 20v，600pf @ 100v，1302pf @ 100V -
BUK9K5R6-30EX Nexperia USA Inc. BUK9K5R6-30EX 1.6300
RFQ
 ECAD 7762 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 buk9k5 MOSFET （金属 o化物） 64W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 30V 40a 5.8mohm @ 10a，5v 2.1V @ 1mA 22.6nc @ 5V 2480pf @ 25V 逻辑级别门
ECH8655R-TL-H onsemi ECH8655R-TL-H 0.7700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8655 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-ech 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 24V 9a 17mohm @ 4.5A，4.5V - 16.8nc @ 10V - 逻辑级别门
SI4953ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4953ADY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4441 0.00000000 Vishay Siliconix - （CT） 过时的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4953 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 3.7a 53MOHM @ 4.9A，10V 1V @ 250µA（250µA） 25nc @ 10V - 逻辑级别门
FDS4559-F085 onsemi FDS4559-F085 -
RFQ
 ECAD 1233 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101，PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS45 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 4.5a，3.5a 55MOHM @ 4.5A，10V 3V @ 250µA 18NC @ 10V 650pf @ 25V 逻辑级别门
CPH3407-TL-E-ON onsemi CPH3407-TL-E-ON 0.1900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 CPH3407 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 0000.00.0000 3,000 -
FW342-T-TL-H-SY Sanyo FW342-T-TL-H-SY 1.0000
RFQ
 ECAD 1527年 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 FW342 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1,000 -
UPA2756GR-E1-A Renesas UPA2756GR-E1-A 0.8200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 8-Powersoic（0.173“，4.40mm宽度） UPA2756 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-Powersop - Rohs不合规 到达不受影响 2156-UPA2756GR-E1-A Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 60V 4A（ta） 105MOHM @ 2A，10V 2.5V @ 1mA 6NC @ 10V 260pf @ 10V -
FDPF5N50UTYDTU Fairchild Semiconductor FDPF5N50UTYDTU 0.6300
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDPF5N - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
ALD310704APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310704APCL 10.1814
RFQ
 ECAD 3338 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C〜70°C 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） ALD310704 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-PDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1292 Ear99 8541.21.0095 50 4个p通道，匹配对 8V - - 380mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
VEC2616-TL-W-Z onsemi VEC2616-TL-WZ -
RFQ
 ECAD 6876 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 VEC2616 MOSFET （金属 o化物） 1W SOT-28FL/VEC8 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 60V 3a，2.5a 80MOHM @ 1.5A，10V 2.6V @ 1mA 10NC @ 10V 505pf @ 20V 逻辑水平门，4V驱动器
DMG6898LSDQ-13 Diodes Incorporated DMG6898LSDQ-13 0.8900
RFQ
 ECAD 2285 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMG6898 MOSFET （金属 o化物） 1.28W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 9.5A 16mohm @ 9.4a，4.5V 1.5V @ 250µA 26NC @ 10V 1149pf @ 10V -
APTM50HM75STG Microchip Technology APTM50HM75STG 164.9400
RFQ
 ECAD 2832 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM50 MOSFET （金属 o化物） 357W SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 500V 46a 90MOHM @ 23A，10V 5V @ 2.5mA 123nc @ 10V 5600pf @ 25V -
DMT3006LPB-13 Diodes Incorporated DMT3006LPB-13 0.2533
RFQ
 ECAD 4085 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMT3006 MOSFET （金属 o化物） PowerDi5060-8（S） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMT3006LPB-13DI Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） （11a）（35a ta）（35a tc），14a（ta（50a tc）（TC）（TC） 11.1MOHM @ 11.5A，10V，6MOHM @ 20a，10v 3V @ 250µA -
SI1539CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1539CDL-T1-GE3 0.4300
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1539 MOSFET （金属 o化物） 340MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 700mA，500mA 388MOHM @ 600mA，10V 2.5V @ 250µA 1.5NC @ 10V 28pf @ 15V 逻辑级别门
IRF7306TRPBF Infineon Technologies IRF7306TRPBF 1.1200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） IRF73 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 3.6a 100mohm @ 1.8A，10V 1V @ 250µA 25nc @ 10V 440pf @ 25V 逻辑级别门
SSM6P816R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P816R，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6P816 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 6a（6a） 30.1MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 1mA 16.6nc @ 4.5V 1030pf @ 10V 逻辑水平门，1.8V
ECH8674-TL-H Sanyo ECH8674-TL-H 0.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Sanyo - 大部分 过时的 150°C 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8674 MOSFET （金属 o化物） 1.3W（TA） SOT-28FL/ECH8 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 5A（5A） 41MOHM @ 3A，4.5V 1.3V @ 1mA 6.9nc @ 4.5V 660pf @ 6V -
SI1033X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1033X-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9858 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SI1033 MOSFET （金属 o化物） 250MW SC-89（SOT-563F） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 145mA 8ohm @ 150mA，4.5V 1.2V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V - 逻辑级别门
DMC4029SSDQ-13 Diodes Incorporated DMC4029SSDQ-13 0.3502
RFQ
 ECAD 7696 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC4029 MOSFET （金属 o化物） 1.8W（TA） 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道互补 40V （9A）（6.5A）（6.5A） 24mohm @ 6a，10v，45mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 8.8nc @ 4.5V，10.6nc @ 4.5V 1060pf @ 20v，1154pf @ 20V -
BSS8402DWQ-13 Diodes Incorporated BSS8402DWQ-13 0.1273
RFQ
 ECAD 3508 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS8402 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） SOT-363 下载 （1 （无限） 到达不受影响 31-BSS8402DWQ-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 60V，50V 115ma（ta），130mA（ta） 13.5ohm @ 500mA，10v，10ohm @ 100mA，5v 2.5V @ 250µA，2V @ 1mA - 50pf @ 25V，45pf @ 25V -
MCB30P1200LB-TRR IXYS MCB30P1200LB-TRR -
RFQ
 ECAD 8033 0.00000000 ixys MCB30P1200LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 9-PowersMD MCB30P1200 （SIC） - 9-SMPD-B - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCB30P1200LB-TRRTR Ear99 8541.29.0095 200 4（n n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） - - - - - -
UM6K31NFHATCN Rohm Semiconductor UM6K31NFHATCN 0.4900
RFQ
 ECAD 4516 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UM6K31 MOSFET （金属 o化物） 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 250mA（ta） 2.4OHM @ 250mA，10V 2.3V @ 1mA - 15pf @ 25V -
DMC2710UDW-13 Diodes Incorporated DMC2710UDW-13 0.0565
RFQ
 ECAD 2152 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMC2710 MOSFET （金属 o化物） 290MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMC2710UDW-13DI Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 20V 750mA（ta），600mA（ta） 450MOHM @ 600mA，4.5V，750MOHM @ 430mA，4.5V 1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V，0.7NC @ 4.5V 42pf @ 16v，49pf @ 16V -
MTD3N25E1 onsemi MTD3N25E1 0.4600
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 mtd3n - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
AO4821 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4821 -
RFQ
 ECAD 8938 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO482 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 9a 19mohm @ 9a，4.5V 850mv @ 250µA 23nc @ 4.5V 2100pf @ 6V 逻辑级别门
SI1553DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1553DL-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7147 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1553 MOSFET （金属 o化物） 270MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 660mA，410mA 385MOHM @ 660mA，4.5V 600mv @ 250µA（250µA）） 1.2nc @ 4.5V - 逻辑级别门
MCACD20N10Y-TP Micro Commercial Co MCACD20N10Y-TP 0.6628
RFQ
 ECAD 1648年 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 -55°C〜150°C 表面安装 8-Powervdfn MCACD20 MOSFET （金属 o化物） 17W DFN5060-8D 下载 353-MCACD20N10Y-TP Ear99 8541.29.0095 1 2 n通道 100V 20a 22mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 16NC @ 10V 1051pf @ 50V 标准
FDW2507N Fairchild Semiconductor FDW2507N 0.5100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） FDW25 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 7.5a 19mohm @ 7.5a，4.5V 1.5V @ 250µA 28nc @ 4.5V 2152pf @ 10V 逻辑级别门
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    2000+

    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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