SIC
close

FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
2SJ653 onsemi 2SJ653 2.8500
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 2SJ65 - 下载 rohs3符合条件 3（168）） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 -
IRFU220S2497 Harris Corporation IRFU220S2497 0.4400
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 IRFU220 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
IRF40H233XTMA1 Infineon Technologies IRF40H233XTMA1 -
RFQ
 ECAD 5323 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 8-POWERTDFN IRF40H233 MOSFET （金属 o化物） - PG-TDSON-8-900 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 40V - - - - - -
SQ9945AEY-T1-E3 Vishay Siliconix SQ9945AEY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1369 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SQ9945 MOSFET （金属 o化物） 2.4W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 3.7a 80Mohm @ 3.7A，10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V - 逻辑级别门
DMTH4014LDVW-7 Diodes Incorporated DMTH4014LDVW-7 0.2426
RFQ
 ECAD 3002 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMTH4014 MOSFET （金属 o化物） 1.16W（TA） PowerDI3333-8（类型UXD） 下载 到达不受影响 31-DMTH4014LDVW-7TR Ear99 8541.29.0095 2,000 2 n 通道（双） 40V 10.2A（ta），27.5a tc） 15mohm @ 20a，10v 3V @ 250µA 11.2nc @ 10V 750pf @ 20V -
MSCSM120DUM11T3AG Microchip Technology MSCSM120DUM11T3AG 310.6600
RFQ
 ECAD 8149 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 1067W（TC） SP3F - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120DUM11T3AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共来源 1200V（1.2kV） 254a（TC） 10.4mohm @ 120A，20V 2.8V @ 3mA 696nc @ 20V 9060pf @ 1000V -
NXH010P120MNF1PTG onsemi NXH010P120MNF1PTG 179.9900
RFQ
 ECAD 4791 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 NXH010 （SIC） 250W（TJ） - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH010P120MNF1PTG Ear99 8541.29.0095 28 2 n 通道（双）公共来源 1200V（1.2kV） 114a（TC） 14mohm @ 100a，20v 4.3V @ 40mA 454NC @ 20V 4707pf @ 800V -
DMN2053UFDB-13 Diodes Incorporated DMN2053UFDB-13 0.0912
RFQ
 ECAD 6677 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMN2053 MOSFET （金属 o化物） 820MW（TA） U-DFN2020-6（B型） 下载 到达不受影响 31-DMN2053UFDB-13TR Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双） 20V 4.6a（ta） 35mohm @ 5A，4.5V 1V @ 250µA 7.7nc @ 10V 369pf @ 10V -
SI3139KDWA-TP Micro Commercial Co SI3139KDWA-TP 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI3139 MOSFET （金属 o化物） 150MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 600mA 850MOHM @ 500mA，4.5V 1.1V @ 250µA 0.86NC @ 4.5V 40pf @ 16V -
DMN10H6D2LFDB-7 Diodes Incorporated DMN10H6D2LFDB-7 0.0869
RFQ
 ECAD 8712 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMN10 MOSFET （金属 o化物） 700MW（TA） U-DFN2020-6（B型） 下载 到达不受影响 31-DMN10H6D2LFDB-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 100V 270mA（ta） 6ohm @ 190mA，10v 2V @ 1mA 1.2NC @ 10V 41pf @ 50V -
SIX3134KA-TP Micro Commercial Co SIX3134KA-TP 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SIX3134 MOSFET （金属 o化物） 180MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 353-SIX3134KA-TPTR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 750mA 300mohm @ 500mA，4.5V 950mv @ 250µA 0.8NC @ 4.5V 33pf @ 16V -
CMLDM7003T TR Central Semiconductor Corp CMLDM7003T TR 0.4400
RFQ
 ECAD 735 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 CMLDM7003 MOSFET （金属 o化物） 350MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 280mA 1.5OHM @ 50mA，5V 1.2V @ 250µA 0.76NC @ 4.5V 50pf @ 25V -
MSCSM170TAM15CTPAG Microchip Technology MSCSM170TAM15CTPAG 1.0000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM170 （SIC） 843w（tc） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM170TAM15CTPAG Ear99 8541.29.0095 1 6 n 通道（相腿） 1700V（（1.7kV） 179a（TC） 15mohm @ 90a，20v 3.2V @ 7.5mA 534NC @ 20V 9900pf @ 1000V -
FDG6332C-F085P onsemi FDG6332C-F085P -
RFQ
 ECAD 8030 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG6332 MOSFET （金属 o化物） 300MW（TA） SC-70-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 700mA（ta），600mA（ta） 300MOHM @ 700mA，4.5V，420MOHM @ 600mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V，2NC @ 4.5V 113pf @ 10V，114pf @ 10V -
MCMNP2065A-TP Micro Commercial Co MCMNP2065A-TP 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 MCMNP2065 MOSFET （金属 o化物） 2W DFN2020-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V 6a（6a），4a ta（4a ta） 25mohm @ 5A，4.5V，51MOHM @ 3.4a，4.5V 1V @ 250µA 7.65nc @ 4.5V，5.41NC @ 10V 418pf @ 10V，880pf @ 6v -
SSF2215 Good-Ark Semiconductor SSF2215 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TA） SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 3,000 2个p通道 20V 3A（3A） 85MOHM @ 3A，4.5V 1V @ 250µA 8NC @ 4.5V 510pf @ 15V 标准
SI6924AEDQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6924AEDQ-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2812 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） SI6924 MOSFET （金属 o化物） 1W 8-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 28V 4.1a 33mohm @ 4.6A，4.5V 1.5V @ 250µA 10NC @ 4.5V - 逻辑级别门
AON4803_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON4803_001 -
RFQ
 ECAD 3652 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 AON480 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TA） 8-DFN （3x2） - 到达不受影响 785-AON4803_001 过时的 1 2个p通道 20V 3.4a（ta） 90MOHM @ 3.4A，4.5V 1V @ 250µA 8NC @ 4.5V 745pf @ 10V 标准
APTM50AM19STG Microsemi Corporation APTM50AM19STG -
RFQ
 ECAD 6793 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 在sic中停产 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM50 （SIC） 1250W SP4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 500V 170a 19mohm @ 85a，10v 5V @ 10mA 492NC @ 10V 22400pf @ 25V -
MMBT7002DW Diotec Semiconductor MMBT7002DW 0.0520
RFQ
 ECAD 4882 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 MMBT7002 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2796-MMBT7002DWTR 8541.21.0000 3,000 2 n 通道（双） 60V 115ma（ta） 7.5OHM @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA - 50pf @ 25V 逻辑级别门
NVMFD6H846NLT1G onsemi NVMFD6H846NLT1G 2.0600
RFQ
 ECAD 1828年 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD6 MOSFET （金属 o化物） 3.2W（34W）（34W tc） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NVMFD6H846NLT1GTR Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 80V 9.4A（TA），31a （TC） 15mohm @ 5A，10V 2V @ 21µA 17NC @ 10V 900pf @ 40V -
MSCMC120AM07CT6LIAG Microchip Technology MSCMC120AM07CT6LIAG -
RFQ
 ECAD 7091 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCMC120 （SIC） 1350W（TC） sp6c li 下载 到达不受影响 150-MSCMC120AM07CT6LIAG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1200V（1.2kV） 264a（TC） 8.7MOHM @ 240A，20V 4V @ 60mA 690NC @ 20V 11400pf @ 1000V -
SI4947ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4947ADY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6959 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4947 MOSFET （金属 o化物） 1.2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 3a 80Mohm @ 3.9a，10V 1V @ 250µA（250µA） 8NC @ 5V - 逻辑级别门
DMN3401LDW-7 Diodes Incorporated DMN3401LDW-7 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN3401 MOSFET （金属 o化物） 290MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 800mA（ta） 400MOHM @ 590mA，10V 1.6V @ 250µA 1.2NC @ 10V 50pf @ 15V -
FDY1002PZ-G onsemi FDY1002PZ-G -
RFQ
 ECAD 7671 0.00000000 Onmi PowerTrench® 大部分 上次购买 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 MOSFET （金属 o化物） 446MW（TA） SOT-563 - 488-FDY1002PZ-G 1 2个p通道 20V 830mA ta） 500MOHM @ 830mA，4.5V 1V @ 250µA 3.1nc @ 4.5V 135pf @ 10V 逻辑级别门
FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies FF8MR12W1M1HB11BPSA1 217.5600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™ 托盘 积极的 - 底盘安装 模块 FF8MR12 MOSFET （金属 o化物） - ag-easy1b - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 - 1200V（1.2kV） - - - - - -
TC8020K6-G Microchip Technology TC8020K6-G 10.9800
RFQ
 ECAD 2111 0.00000000 微芯片技术 - 托盘 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 56-VFQFN暴露垫 TC8020 MOSFET （金属 o化物） - 56-qfn （8x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 250 6n和6p通道 200V - 8ohm @ 1A，10V 2.4V @ 1mA - 50pf @ 25V -
MSCSM120DHM31CTBL2NG Microchip Technology MSCSM120DHM31CTBL2NG 185.2400
RFQ
 ECAD 2760 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM120 （SIC） 310W - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM120DHM31CTBL2NG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 1200V 79a 31mohm @ 40a，20v 2.8V @ 1mA 232nc @ 20v 3020pf @ 1000V -
UPA1793G-E1-AT Renesas Electronics America Inc UPA1793G-E1-AT 0.6000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） UPA1793 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-psop - rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 20V 3a 69mohm @ 1.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 3.1nc @ 4V 160pf @ 10V 逻辑级别门
SI4388DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4388DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6003 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4388 MOSFET （金属 o化物） 3.3W，3.5W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 10.7a，11.3a 16mohm @ 8a，10v 3V @ 250µA 27nc @ 10V 946pf @ 15V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0个项目）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭